[发明专利]气化器以及半导体处理系统有效
申请号: | 200610163552.X | 申请日: | 2006-09-29 |
公开(公告)号: | CN1955338A | 公开(公告)日: | 2007-05-02 |
发明(设计)人: | 冈部庸之;大仓成幸;氏家一夫 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;创研工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;H01L21/00;H01L21/205;H01L21/203 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种用于从液体原料获得处理气体的气化器(2),其包括规定了气化器(2)处理空间的容器(40)、以及在容器(40)内具有将液体原料以雾状向下方喷出的喷出口(30a)的喷射器。在喷出口(30a)的下侧,于容器(40)内配置有下部挡块(31),由此在喷出口(30a)与下部挡块(31)之间,规定了上述雾状液体原料的助动空间(G),在容器(40)的内侧面与下部挡块(31)之间,规定了与助动空间(G)连续的环状空间(F)。在容器(40)及下部挡块(31)上各自配置有第1以及第2加热器(48、33),第1以及第2加热器(48、33)加热通过环状空间(F)的雾状液体原料而生成处理气体。为从环状空间(F)中导出处理气体,在容器(40)上连接有气体导出流路(53)。 | ||
搜索关键词: | 气化 以及 半导体 处理 系统 | ||
【主权项】:
1.一种从液体原料获得处理气体的气化器,其包括:容器,其规定了所述气化器的处理空间;喷射器,其在所述容器内具有以雾状将所述液体原料向下方喷出的喷出口;下部挡块,其在所述喷出口的下侧配置于所述容器内,在所述喷出口与所述下部挡块之间,规定了所述雾状液体原料的助动空间,在所述容器的内侧面与所述下部挡块之间,规定了与所述助动空间连续的环状空间;第1以及第2加热器,其分别配置于所述容器与所述下部挡块上,所述第1以及第2加热器对通过所述环状空间的所述雾状液体原料进行加热,从而生成所述处理气体;气体导出流路,为从所述环状空间导出所述处理气体而与所述容器相连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的