[发明专利]气化器以及半导体处理系统有效

专利信息
申请号: 200610163552.X 申请日: 2006-09-29
公开(公告)号: CN1955338A 公开(公告)日: 2007-05-02
发明(设计)人: 冈部庸之;大仓成幸;氏家一夫 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社;创研工业株式会社
主分类号: C23C16/448 分类号: C23C16/448;H01L21/00;H01L21/205;H01L21/203
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种用于从液体原料获得处理气体的气化器(2),其包括规定了气化器(2)处理空间的容器(40)、以及在容器(40)内具有将液体原料以雾状向下方喷出的喷出口(30a)的喷射器。在喷出口(30a)的下侧,于容器(40)内配置有下部挡块(31),由此在喷出口(30a)与下部挡块(31)之间,规定了上述雾状液体原料的助动空间(G),在容器(40)的内侧面与下部挡块(31)之间,规定了与助动空间(G)连续的环状空间(F)。在容器(40)及下部挡块(31)上各自配置有第1以及第2加热器(48、33),第1以及第2加热器(48、33)加热通过环状空间(F)的雾状液体原料而生成处理气体。为从环状空间(F)中导出处理气体,在容器(40)上连接有气体导出流路(53)。
搜索关键词: 气化 以及 半导体 处理 系统
【主权项】:
1.一种从液体原料获得处理气体的气化器,其包括:容器,其规定了所述气化器的处理空间;喷射器,其在所述容器内具有以雾状将所述液体原料向下方喷出的喷出口;下部挡块,其在所述喷出口的下侧配置于所述容器内,在所述喷出口与所述下部挡块之间,规定了所述雾状液体原料的助动空间,在所述容器的内侧面与所述下部挡块之间,规定了与所述助动空间连续的环状空间;第1以及第2加热器,其分别配置于所述容器与所述下部挡块上,所述第1以及第2加热器对通过所述环状空间的所述雾状液体原料进行加热,从而生成所述处理气体;气体导出流路,为从所述环状空间导出所述处理气体而与所述容器相连接。
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