[发明专利]一种多孔硅片及其制备方法有效
| 申请号： | 200610144144.X | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1964024A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 李琛;廖怀林;黄如;张兴;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/3063;C25F3/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多孔硅片及其制备方法(Silicon on Porous－silicon，SOP)。本发明所提供的多孔硅片，包括位于正面的硅层和与硅层一体成型的多孔硅层。本发明利用多孔硅电化学加工技术在硅衬底上生长多孔硅能够有效提高衬底电阻率，从而非常适合制备低损耗的射频有源无源器件、微波传输线及射频集成电路等等，所预制而得的新型高品质高阻硅片，能够有效提高电路、器件等各方面性能，而且这种新型硅片解决方案成本低廉，工艺简单，不影响后续电路器件制备，与标准微电子工艺完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 硅片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多孔硅片，包括位于正面的硅层和与硅层一体成型的多孔硅层。
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