[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610131718.X | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1941340A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 森田佑一;石部真三;野间崇;大塚久夫;高尾幸弘;金森宽 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/522;H01L21/28;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，防止半导体装置的外部连接用的焊盘电极受到损伤。在半导体基板(1)上形成电子电路(30)、与电子电路(30)连接的第一焊盘电极(3)、与第一焊盘电极(3)连接的第二焊盘电极(4)。此外，形成覆盖第一焊盘电极(3)并且只在第二焊盘电极(4)上具有开口部的第一保护膜(5)。并且，形成通过贯通半导体基板(1)的通孔(8)连接在第一焊盘电极(3)的背面并从通孔(8)延伸到半导体基板(1)的背面的布线层(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板；形成在所述半导体基板上的电子电路；第一焊盘电极，其形成在所述半导体基板上并与所述电子电路连接；第二焊盘电极，其形成在所述半导体基板上并与所述第一焊盘电极连接；保护膜，其覆盖所述第一焊盘电极并且只在所述第二焊盘电极上具有开口部；以及布线层，其通过贯通所述半导体基板的通孔与所述第一焊盘电极的背面连接，并从所述通孔延伸到所述半导体基板的背面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610131718.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
