[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610100995.4 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1909221A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 浅川达彦;加藤洋树 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60;H01L21/28;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种安装性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：具有电极(14)的半导体基板(10)；树脂突起(20)，其在半导体基板(10)的形成有电极(14)的面上形成，形成沿一直线(21)延伸的形状；与电极(14)电连接，形成至树脂突起(20)上的布线(30)。树脂突起(20)具有沿直线(21)距树脂突起(20)的中央越远高度越低的倾斜区域(24)。布线(30)通过倾斜区域(24)上而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其中，包括：具有电极的半导体基板；树脂突起，其形成于所述半导体基板的形成有所述电极的面上，形成沿一直线延伸的形状；布线，其与所述电极电连接，形成于所述树脂突起上，所述树脂突起具有沿所述直线距所述树脂突起的中央越远其高度越低的倾斜区域，所述布线通过所述倾斜区域上而形成。
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