[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200610074464.2 | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1983587A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡豪益;杨肇祥;侯上勇;蔡佳伦;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有热传导路径的半导体结构及其形成方法。此半导体结构包括在半导体基板上形成保护环，且基本上围住激光熔丝结构。此激光熔丝结构包括激光熔丝及接点结构，可连接此激光熔丝至集成电路。通过上述的接点结构可将保护环热耦接至半导体基板。半导体结构还包括金属板，可将激光束产生的热能传导至保护环。利用本发明，可有效地改变激光程序的热传导路径，及减少传导至下方低介电常数层的热，以防止各层的剥落。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体基板；激光熔丝，连接该半导体基板上的连接结构；保护环，形成在该半导体基板上，且围住该激光熔丝及该连接结构；以及至少有一接点，热耦接该保护环及该半导体基板。
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