[发明专利]高频集成电路封装构造及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610057848.3 申请日: 2006-03-01
公开(公告)号: CN101030565A 公开(公告)日: 2007-09-05
发明(设计)人: 黄祥铭;刘安鸿;林勇志;李宜璋;杜武昌;林俊宏;邱士峰 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/50;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是有关于一种高频集成电路封装构造及其制造方法。该高频集成电路封装构造,主要包括一基板、一凸块化晶片及复数个导电填料。该基板是具有由一上表面贯穿至一下表面的复数个凸块容置通孔并包含有一线路层,该凸块化晶片的一主动面是贴附于该基板的该上表面,使得该凸块化晶片的复数个凸块是容置于对应的该些凸块容置通孔内,该些导电填料是形成于该些凸块容置通孔内,达到电性连接该些凸块至该线路层。该高频集成电路封装构造具有电性传导路径短、防止冲线以及封装薄化的功效。
搜索关键词: 高频 集成电路 封装 构造 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种高频集成电路封装构造,其特征在于其包括:一基板,其具有一上表面、一下表面以及复数个贯穿该上表面至该下表面的凸块容置通孔,且该基板包含一线路层;一晶片,其具有一主动面以及复数个在该主动面上的凸块,其中该主动面是贴附于该基板的该上表面,而使该些凸块容置于对应的该些凸块容置通孔内;以及复数个导电填料,其形成于该些凸块容置通孔内,并电性连接该些凸块至该线路层。
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