[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610001670.0 | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1819172A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 小林纮二郎;广濑明夫;山际正宪 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社;小林纮二郎 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;B23K35/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;权鲜枝 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，包括：制备表面上有由第一金属制成的第一金属层的半导体元件、和由第二金属制成的金属衬底，金属衬底的表面具有由第四金属制成的第四金属层，半导体元件安装在其表面上；在第一和第四金属层间提供通过将平均直径为100nm或更小的由第三金属制成的细颗粒分散到有机溶剂中形成的金属纳米膏；对其间有金属纳米膏的半导体元件和金属衬底加热或加热并加压，以去除溶剂。第一、第三和第四金属的每种由金、银、铂、铜、镍、铬、铁、铅、钴中任一种、包含至少一种这些金属的合金、或这些金属或合金的混合物制成。通过该方法，能将半导体元件良好地接合到金属衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，包括：制备在表面上具有由第一金属制成的第一金属层的半导体元件、以及由第二金属制成的金属衬底，该金属衬底在其表面上具有由第四金属制成的第四金属层，并将该半导体元件安装在该金属衬底的表面上；在第一金属层和第四金属层之间提供金属纳米膏，该金属纳米膏是通过将平均直径为100nm或更小的由第三金属制成的细颗粒分散到有机溶剂中形成的；以及对其间设有该金属纳米膏的该半导体元件和该金属衬底加热，或者加热并加压，从而去除该溶剂，其中，该第一、第三和第四金属中的每种由金、银、铂、铜、镍、铬、铁、铅、以及钴中的任一种金属、包含这些金属中的至少一种的合金、或者这些金属或合金的混合物制成。
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