[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510116265.9 | 申请日： | 2005-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1790735A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 马尔汉·拉杰什·库马尔;竹内有一 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘兴鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅半导体装置，包括：具有碳化硅基片(1，61)、第一半导体层(2)、第二半导体层(3)和第三半导体层(4)的半导体基片；贯穿第二和第三半导体层(3，4)并到达第一半导体层(2)的沟槽(5)；位于沟槽(5)侧壁和底部上的沟道层(6)；沟道层(6)上的氧化物膜(8)；氧化物膜(8)上的栅极(9)；与第三半导体层(4)相连的第一电极(14)；与碳化硅基片(1，61)相连的第二电极(19)。第一半导体层(2)和第二半导体层(3)间的边界位置低于氧化物膜(8)的最低位置。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，包括：半导体基片，其包括第一导电型或第二导电型碳化硅基片(1，61)、由第一导电型碳化硅制成且杂质浓度低于碳化硅基片(1，61)的第一半导体层(2)、由第二导电型碳化硅制成的第二半导体层(3)、由第一导电型碳化硅制成的第三半导体层(4)，它们按此顺序堆栈；沟槽(5)，其位于半导体基片的单元区域中，并贯穿第二和第三半导体层(3，4)，到达第一半导体层(2)；沟道层(6)，其为第一导电型，且位于沟槽(5)的侧壁和底部上；氧化物膜(8)，其位于沟槽(5)中的沟道层(6)上，并包括用作栅极氧化物膜的一部分；栅极(9)，其位于沟槽(5)中的氧化物膜(8)的表面上；第一电极(14)，其电连接到第三半导体层(4)；以及第二电极(19)，其电连接到碳化硅基片(1，61)，其中第一半导体层(2)和第二半导体层(3)间的边界位置低于沟槽(5)中氧化物膜(8)的最低位置。
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