[发明专利]半导体封装体、其制造方法及半导体器件无效
| 申请号： | 200510085957.1 | 申请日： | 2005-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1731580A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 稻生寿穗;平野辰也;清水克敏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/28;H01L27/14;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装体、其制造方法及半导体器件。本发明的目的在于：提供一种实现引线和铸模树脂之间较强的粘合力、可靠性较高的半导体封装体、其制造方法及半导体器件。半导体器件(1)，包括：半导体芯片(11)、用于进行半导体芯片(11)和外部设备之间的信号授受的引线(12)、金属细线(17)、将引线(12)封上的封闭体(13)、以及盖部件(15)。在引线(12)的表面上，形成有通过氧化处理的金属氧化膜(20)。此氧化膜的厚度，大于自然氧化膜，在小于等于80nm的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体封装体，具有用于在半导体芯片和外部设备之间授受信号的多根引线、和至少将上述多根引线的各一部分封上的封闭体，其特征在于：在上述各引线的表面上，形成有厚度大于等于1.7nm小于等于80nm的金属氧化膜。
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