[发明专利]层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410083360.9 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1604321A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 臼井良辅;水原秀树;中村岳史 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，其多层层积由层间绝缘膜及铜配线构成的配线层，在最上层形成抗焊料剂层，构成多层配线结构。在其表面上设置第一元件及第二元件和电路元件。将第一元件及第二元件通过粘接层粘接。第一元件上面作为等离子处理面，在该面上搭载第二元件。 | ||
| 搜索关键词： | 层积 半导体 芯片 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，含有第一半导体芯片和在该第一半导体芯片上搭载的第二半导体芯片，其中，所述第一半导体芯片的上面是等离子处理面，在所述等离子处理面上搭载所述第二半导体芯片。
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