[发明专利]中间衬底及具有半导体元件、中间衬底和衬底的结构体有效
| 申请号： | 200410061643.3 | 申请日： | 2004-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1574310A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 齐木一;浦岛和浩 | 申请（专利权）人： | 日本特殊陶业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48;H05K1/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;杨青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种中间衬底，其包括：包含绝缘材料的中间衬底主体，其具有第一面和第二面，所述第一面将安装半导体元件，所述第二面与所述第一面是相对的；以及半导体元件安装区域，其包括设置在所述第一面上的多个第一面端子，并且所述区域由所述的多个第一面端子的最外周边围绕，其中，所述半导体元件安装区域的中心偏离于所述第一面的中心。 | ||
| 搜索关键词： | 中间 衬底 具有 半导体 元件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种中间衬底，其包括：包含绝缘材料的中间衬底主体，其具有第一面和第二面，所述第一面将安装半导体元件，所述第二面与所述第一面是相对的；以及半导体元件安装区域，其包括设置在所述第一面上的多个第一面端子，且该区域由所述的多个第一面端子的最外周边围绕；其中，所述半导体元件安装区域的中心偏离于所述第一面的中心。
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