[发明专利]具有外延的C49-硅化钛（TiSi₂）层的半导体装置及其制造方法无效

申请号：	200410004627.0	申请日：	2004-02-20
公开（公告）号：	CN100501954C	公开（公告）日：	2009-06-17
发明（设计）人：	李文根;李泰权;梁俊模;朴兑洙;李润稙	申请（专利权）人：	海力士半导体有限公司
主分类号：	H01L21/52	分类号：	H01L21/52;H01L21/3205;H01L21/314;H01L21/768
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人：	王学强
地址：	韩国***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：	本发明是关于一种具有C49相的外延生长硅化钛层的半导体装置及其制造方法。此硅化钛层具有预定而不转换该钛层相的界面能量，因此，可防止钛层凝块及沟纹现象的发生。该半导体装置包括：硅层；形成在该硅层上的绝缘层，其中打通部分的绝缘层以形成曝露出部分硅层的接触孔；外延生长的硅化钛层，其具有C49相且会形成在该已布置于该接触孔内的经曝露出的硅基材上；及金属层，其形成在该硅化钛层的表面上。
搜索关键词：	具有外延 c49 硅化钛 tisi sub 半导体装置及其制造方法
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【主权项】：

1. 一种用来制造半导体装置的方法，其步骤包括：提供已完成预定加工的硅衬底；在所述硅衬底上形成绝缘层；通过打开部分所述绝缘层直至暴露出所述硅衬底的表面而形成接触孔；通过使用经缓冲的氧化蚀刻剂或氢氟酸的湿式清洁方法和使用三氟化氮的干式清洁方法的其中之一来清洁所述硅衬底；在包含氮的气体环境中，对所述硅衬底的表面进行等离子体处理；通过使用物理气相沉积技术在所述硅衬底上沉积钛层；及通过利用热处理使所述硅衬底与已沉积的钛层反应，以形成具有C49相的外延生长的硅化钛层，其中所述等离子体处理在400℃至450℃的温度范围、3托尔至5托尔的压力范围下并且采用400瓦至500瓦的功率进行30秒至60秒。

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摘要：本发明公开了一种功率芯片预封装方法及功率芯片封装方法，该功率芯片预封装方法包括：将上垫片、功率芯片和下垫片进行烧结；在绝缘框架中用于与功率芯片的终端和侧面贴合的贴合部上涂覆粘接剂；将烧结后的所述功率芯片放入绝缘框架中，使所述功率芯片的终端和侧面与对应的所述贴合部粘接，并将所述上垫片和所述下垫片暴露在所述绝缘框架外面；对所述粘接剂进行固化。本发明通过提供一种功率芯片预封装方法，将功率芯片终端和侧面与PI框架粘接，从而对芯片的终端与侧面进行保护，提高功率芯片了在测试和组装过程中局部放电的起始电压，避免了功率芯片因打火造成的耐压下降与电压击穿的现象。

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摘要：本发明提供一种粘晶装置，包括：平台(52)，相对于台座(41)可沿Y轴方向移动地设置；以及第1反作用构件(58A)及第2反作用构件(58B)，分别相对于台座可沿Y轴方向移动地设置；第1反作用构件及第2反作用构件构成为在平台沿Y轴方向移动时，分别在Y轴方向上与平台反向地移动，第1反作用构件及第2反作用构件以平台为间隔而分别配置于X轴方向的两侧，并且第1反作用构件及第2反作用构件以第1反作用构件及第2反作用构件的重心成为基于平台的重心的位置的方式配置。由此，提供一种可抑制空间的增加并且改善台座中的重量平衡的粘晶装置。

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摘要：实施方式提供一种能够抑制电路板的位置偏移的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法具备如下步骤：一边从与底面交叉的方向将挤压肋的一部分压扁，一边将电路板朝向第1面保持在第1壳体部，所述第1壳体部具备第1凹部及从第1凹部的壁面突出的衬底保持用肋，且衬底保持用肋具有第1面、第2面、挤压肋及槽，所述第1面位于与第1凹部的底面隔开的位置，所述第2面从第1凹部的壁面朝向第1凹部的底面倾斜，所述挤压肋以从第2面突出的方式沿第2面的倾斜方向延伸，所述槽以与第2面的下端相接的方式设置在第1面与第2面之间。

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申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/52
摘要：本发明提供了一种三维堆叠的气密封装方法，包括转接板气密方法及金属外腔气密方法；其中，转接板气密方法为：对转接板的互连孔，采用三维堆叠技术中实心孔填充工艺加工工字形实心互连孔，作为互连结构；金属外腔气密方法为：首先焊接密封环，然后清洗密封环助焊剂后，焊接封盖；焊接密封环时，采用较低的焊接温度梯度，以防止已经焊接的结构重熔。与现有技术相比，解决了薄膜堆叠模块的互连孔和腔体气密封装问题，使模块整体气密性达到10^‑7以上，填补了薄膜陶瓷基片气密封装的技术空白。成型产品可直接集成在母板表面，无需额外设计气密结构，体积缩小60%以上。

半导体装置的制造方法以及封装装置-201780073186.5
发明人：瀬山耕平 -专利权人：株式会社新川
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摘要：半导体装置的制造方法包含：载置步骤，将透出对准标记(52)的临时基板(300)载置于接合面(51)；图像取得步骤，取得对准标记的图像(51)及半导体裸片(200)的图像；修正步骤，基于在图像取得步骤中取得的对准标记(300)的图像及半导体裸片(200)的图像，对将半导体裸片(200)压接于临时基板(300)的接合头(30)的水平方向的位置进行修正；以及压接步骤，基于修正后的水平方向的位置，将半导体裸片(200)压接于透射基板(300)。由此，提供能够抑制配置于临时基板上的半导体裸片之间的间隔的不均的半导体装置的制造方法以及封装装置。

导热性膏和电子装置-201780068006.4
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申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/52
摘要：本发明的导热性膏包含热固性树脂和导热性填料，润湿扩展面积的比例为90％以上，当设导热性填料的平均粒径D₅₀为D，设除了导热性填料以外的该导热性膏在室温25℃的粘度为η，设该导热性膏中的导热性填料的沉降度为S＝D²/η时，S为8[10^‑12·m³·s/kg]以上900[10^‑12·m³·s/kg]以下。

裸片接合装置及接合方法-201510566562.7
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申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/52
摘要：本发明提供一种裸片接合装置及接合方法，其能够实现确实地除去粘着力强的异物的筒夹清洁而避免异物飞散。本发明的特征在于，从晶圆拾取裸片并将裸片接合在基板上，在吸附裸片的筒夹的吸附面上，使具有十μm至数百μm的线径的金属刷沿着吸附面与吸附面相对地移动来清洁吸附面的裸片接合装置及接合方法。

柔性集成封装系统的制造方法-201810631330.9
发明人：冯雪;蔡世生;郑坤炜;付际 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/52
摘要：本公开涉及一种柔性集成封装系统的制造方法。该方法包括：采用光刻技术在柔性基板上，生成多条可延展导线和与多条可延展导线连接的多个端口；将待集成的多个具有不同功能的芯片转印到柔性基板上；通过键合线连接多个具有不同功能的芯片和多条可延展导线；将获取到的柔性封装体与柔性基板连接，形成柔性集成封装系统。其中，柔性基板设置有非贯通的多个第一孔洞，柔性基板和柔性封装体的材料为柔性材料。本公开实施例所提供的柔性集成封装系统的制造方法，采用先集成后封装的制造流程，制造工艺简单，所制造的柔性集成封装系统的集成度和传输效率高、功耗低，且系统的柔性高、散热性能好，用途广泛。

一种高效率MOS管安装治具-201821789697.5
发明人：刘运胜;王志愿 -专利权人：徐州大工电子科技有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/52
摘要：本实用新型公开了一种高效率MOS管安装治具，包括安装工作台和铝条。所述安装工作台包括从前往后依次布置的安装台一、安装台二和安装台三；所述安装台一上设有若干组与MOS管引脚相匹配的定位槽；所述安装台一和安装台二之间的高度差为铝条与MOS管的高度之和，所述安装台二的宽度与铝条的宽度一致；所述铝条的一端布置有压条，另一端开设有用于连接压条的螺孔；所述铝条的上端面开设有若干个与MOS管上的安装孔一一对应的定位孔，所述压条上布置有若干个与MOS管上的安装孔一一对应的定位柱一。本实用新型在保证MOS管安装精确度的同时，可简化安装过程，从而大大提高MOS管安装的工作效率。

一种功率半导体器件与控制器壳体的安装方法-201610851706.8
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摘要：本发明提供了一种功率半导体器件与控制器壳体的安装方法，功率半导体器件直接或间接安装在控制器壳体的内侧壁。控制器壳体的外侧带有插槽和散热翅片，散热翅片安装在插槽内。本发明的安装方法可使控制器能够适应不同的安装场合，功率半导体器件能够更好地散热。

基板装置的制造方法-201610532455.7
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摘要：本发明的课题在于能够缩短使元件的朝向改变的时间。基板装置的制造方法具有：第1工序，在该第1工序中，将从晶圆切出且在一端部形成有功能部的多个元件，以保持该晶圆的该功能部的朝向不变的方式载置于多个载置部；以及第2工序，在该第2工序中，在使一个载置部相对于其他载置部相对旋转以使得所述功能部的朝向互不相同之后，以保持所述载置部的所述功能部的朝向不变的方式将所述一个载置部以及所述其他载置部的元件载置于基板。

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申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/52
摘要：本发明提供一种接合装置及接合方法，无需设置专用的照相机，而可容易地对接合工具与位置检测用照相机的偏移进行检测。本发明的接合装置包括：接合头，将顶部照相机与筒夹一体地保持并移动，顶部照相机朝向接合作业面配置，筒夹配置为与顶部照相机具有偏移；底部照相机，用于对由筒夹保持的半导体芯片相对于筒夹的位置进行检测，且朝向筒夹侧设置；参考标记，配置于底部照相机的视野内；以及控制部；且控制部基于由顶部照相机识别出的标记的位置，使接合头移动之后，基于由底部照相机识别出的筒夹相对于参考标记的位置，而算出偏移的值。

一种电动二极管安装工具-201821437310.X
发明人：唐佳青;吴远;陈爱梅 -专利权人：太仓天宇电子有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/52
摘要：本实用新型公开了一种电动二极管安装工具，包括二极管头部、二极管座、安装座、电动推杆、蓄电池和把手，所述安装座内部开设有引脚插孔，所述安装座两端上侧安装有第一支撑杆，所述第一支撑杆一端外侧活动套设有第二支撑杆，所述第二支撑杆一端安装有顶座，所述顶座下侧中部安装有电动推杆，所述电动推杆下侧传动连接有伸缩杆，所述伸缩杆与安装座上中部固定连接，所述二极管头部一侧安装有两根二极管引脚，所述二极管座内部开设有安装孔，本实用新型一种电动二极管安装工具，能够进行电动推动安装座下移使二极管头部装入安装孔内，安装方便快捷，省时省力。

用于增加空腔封装制造速率的真空辅助的密封工艺和系统-201780042239.7
发明人： R·罗斯;J·倪;R·布雷甘特;傅彪;M·布雷甘特;C·安帕鲁 -专利权人： RJR技术公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/52
摘要：本公开说明了使用热固性、热塑性塑料、其它已知的或尚未知的粘合剂或这种粘合剂的混合组合来密封空腔电子封装的密封工艺和结构。所公开的工艺包括提供基部和盖子的步骤，基部和盖子中的至少一个具有涂覆有粘合剂的配合表面。首先，在基部、盖子和粘合剂之间保持气隙，并在基部、盖子和粘合剂周围产生真空。一旦已经产生真空，就使基部和盖子配合以形成其中具有真空的配合的封装组件。在配合之后，将配合的封装组件加热至固化温度以固化粘合剂，并且也可以施加压力。因为配合的封装组件内的空气在加热之前已经被抽空，所以其中没有空气压力积聚，减少或消除了井喷和针孔的出现。

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摘要：本发明的目的在于提供于半导体芯片的多段层叠化中即使以高温短时间进行固化时亦可降低孔洞发生的膜状粘接剂、使用膜状粘接剂的半导体封装及其制造方法。本发明的膜状粘接剂的特征为含有环氧树脂(A)、环氧树脂固化剂(B)、苯氧树脂(C)、二氧化硅填充剂(D)，所述二氧化硅填充剂(D)的含量，相对于所述环氧树脂(A)、所述环氧树脂固化剂(B)、所述苯氧树脂(C)及二氧化硅填充剂(D)的合计量，为30～70质量％，且自室温以5℃/分钟的升温速度升温时，于超过120℃且180℃以下的范围显示200～10000Pa﹒s的范围的最低熔融粘度，基于JIS K6911所规定的热板法的于180℃下的凝胶化时间为1～200秒。

对基板作业装置-201380080308.5
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摘要：对基板作业装置的特征在于，具备：基板搬运装置，搬运基板并将上述基板定位于对基板作业装置内的多个部位；多个作业装置，将上述基板定位于作业位置并对上述基板进行作业；及控制装置，从上述多个部位中的、基板行进方向的上游侧位置开始依次对上述基板进行定位，并由上述多个作业装置中的第一装置进行作业，在上述多个部位中的、由上述第一装置对基板进行作业期间的基板行进方向的最下游侧位置的作业完成之后，由上述多个作业装置中的第二装置开始作业，从上述多个部位中的、基板行进方向的下游侧位置开始依次对上述基板定位，来进行上述第二装置的作业。

模块化混合电路封装-201711019670.8
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摘要：电子封装(100)包括平台(102)以及安装到该平台(102)的板(104)，所述板(104)在上面安装有电子器件。馈穿销(136‑148)穿过馈穿主体(106)且气密密封至馈穿主体，并引线接合到所述板(104)。盖(110)接合到馈穿主体(106)的外表面且围绕馈穿主体的外表面，以产生容纳平台(102)和板(104)的气密密封腔室(111)。

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摘要：本发明提供一种半导体封装及半导体封装的制造工艺方法，该方法包含提供半导体晶圆，于半导体晶圆上形成粘着层，切割半导体晶圆以形成多个芯片。每一芯片具有多个柱状凸块及自粘着层切割的粘着层片。将每一芯片的粘着层片粘着至载体的第一表面，形成模封层以包封芯片及载体，研磨模封层以显露出多个柱状凸块并产生研磨面，形成互连结构，且互连结构包含位于研磨面上的多个线路，每一线路电连接至对应芯片的柱状凸块。切割互连结构及模封层以形成多个半导体封装，每一半导体封装包含对应线路及至少一芯片。本发明通过粘着层可以提高半导体封装的良率。

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发明人：森川慎吾;堀内武善 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L21/52
摘要：本发明涉及一种保持装置、安装装置、安装方法以及生产电路板装置的方法。该保持装置包括：主体，所述主体上形成有两个表面，所述两个表面与元件顶表面的沿纵向的两条脊线以一一对应的方式抵接，所述主体将所述元件保持为所述两个表面与所述两条脊线抵接的状态；以及限制单元，该限制单元设置在所述主体中，与所述元件的所述顶表面接触，并将所述元件相对于所述主体的倾斜限制在倾斜极限内。

半导体装置、半导体装置的制造方法-201380075504.3
发明人：吉田一男;根岸将人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L21/52
摘要：本发明所涉及的半导体装置的特征在于，具备：安装基板；粘接剂，其涂敷于该安装基板；以及器件，其利用该粘接剂将下表面与该安装基板粘接，该器件的侧面上部与该器件的侧面下部相比表面粗糙度较小。

热固化性树脂组合物、半导体装置及电气电子部件-201480077514.5
发明人：藤原正和;佐竹由宇;似内勇哉 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/52
摘要：本发明提供一种高热传导性、散热性优异、可以将半导体元件及发光元件通过无加压的方式与基板良好地接合的半导体粘接用热固化性树脂组合物及发光装置用热固化性树脂组合物。一种热固化性树脂组合物、将该树脂组合物作为芯片粘接膏使用的半导体装置及作为散热部件粘接用材料使用的电气电子部件，所述热固化性树脂组合物含有：(A)厚度或短径为1～200nm的银微粒、(B)除所述(A)成分以外的平均粒径大于0.2μm且30μm以下的银粉、(C)树脂粒子以及(D)热固化性树脂，将(A)成分的银微粒和(B)成分的银粉的总量设为100质量份时，(C)成分配合成0.01～1质量份、(D)成分配合成1～20质量份。

裸片安装系统及裸片安装方法-201480077454.7
发明人：中山幸则;中井健二;吉冈谕 -专利权人：株式会社富士
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/52
摘要：裸片安装系统将裸片供给装置(12)设置于元件安装机(11)，利用元件安装机(11)的安装头(15)吸附从裸片供给装置(12)供给的裸片(22)并向电路基板(17)安装，对拍摄切割片(29)上的裸片(22)的相机(41)的拍摄图像进行处理而识别出裸片(22)的位置，通过供给头移动机构(34)使供给头(33)移动到裸片吸附位置，利用供给头(33)吸附裸片(22)并使供给头(33)上下翻转，并且通过供给头移动机构(34)使供给头(33)移动到裸片交接位置，在该元件交接位置利用元件安装机(11)的安装头(15)吸附供给头(33)上的裸片(22)并向电路基板(17)安装。此时，将裸片交接位置设定在能够并行地执行利用安装头(15)吸附供给头(33)上的裸片(22)的裸片交接动作和利用相机(41)拍摄切割片(29)上的裸片(22)的裸片拍摄动作的位置。

接合装置以及接合方法-201480078129.2
发明人：角谷修;小林泰人;佐藤安 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/52
摘要：本发明涉及一种可缩短每个电路基板的处理时间并且可抑制空间的增加的接合装置以及接合方法。接合装置包括：中间平台(41)；移送部(30)，移送半导体芯片(11)并载置于中间平台(41)；以及第1接合部(50A)及第2接合部(50B)，自中间平台(41)拾取半导体芯片(11)并将所述半导体芯片(11)接合于电路基板(15)；且中间平台(41)在第1接合部(50A)可拾取半导体芯片(11)的第1位置(P1)与第2接合部(50B)可拾取半导体芯片(11)的第2位置(P2)之间移动。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]具有外延的C49-硅化钛（TiSi2）层的半导体装置及其制造方法无效

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[发明专利]具有外延的C49-硅化钛（TiSi₂）层的半导体装置及其制造方法无效