[发明专利]半导体装置及其驱动方法有效
| 申请号： | 200310116482.9 | 申请日： | 2003-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1503452A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是提供一种数字电路，它能不管输入信号的二进制电位而正常地运行。提供含有校正单元和逻辑单元的一种半导体装置，其中所述校正单元包括一个电容器，第一和第二开关，其中所述电容器的第一电极连接到输入端，而所述电容器的第二电极连接到逻辑电路内的晶体管的栅极，其中第一开关控制晶体管栅极和漏极之间的连接，而第二开关控制提供给晶体管的漏极的电位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：逻辑电路；及校正单元，所述校正单元包括：一个电容元件；第一开关，用于控制所述逻辑电路的晶体管的栅极和漏极间的连接；及第二开关，用于控制提供给所述逻辑电路的所述晶体管的漏极的电位；其中，所述电容元件的第一电极连接到一个输入端，并且所述电容元件的第二电极连接到所述逻辑电路的所述晶体管的栅极。
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- 一种超冷原子的磁场噪声被动抑制的方法及装置，该方法包括：利用变压器对市电信号进行降压处理，得到低压正弦波信号；利用电压比较器对低压正弦波信号进行波形转换，得到低压方波信号；利用双刀双掷开关和逻辑非门对低压方波信号进行正向或反向输出，得到时钟信号；基于时钟信号通过D触发器芯片对选通信号进行触发，得到输出控制信号。该装置包括变压器、开关电源、双刀双掷开关、电压比较器、D触发器芯片和逻辑非门。通过使用本发明，通过与市电同步的方波来控制实验的进行，减少市电产生的噪声的影响，使原子内态操控的相干时间实现数量级增长。本发明可广泛应用于有源降噪技术领域。
- 一种用于拓扑识别的特征电流发生电路-202321235284.3
- 于雪峰;金锡碧;张绪 - 浙江航都科技有限公司
- 2023-05-19 - 2023-09-19 - H03K19/003
- 本实用新型涉及一种用于拓扑识别的特征电流发生电路，包括特征电流信号发生模块、特征电流驱动模块、特征电流切投模块、光耦，本实用新型通过采用驱动放大电路，相比起现有的特征电流发生电路，实现了性能稳定的优点，其采用过流故障保护模块，相比起现有的特征电流发生电路，实现了过流保护的优点，其还采用续流模块作用于保护MOS管，在MOS管从导通到截止的瞬间，对流过MOS管回路的电流起到分流的作用，实现了可靠性高的优点。
- 串叠结构及电子装置-202311029133.7
- 纪杰;陈伟梵;蔡国基 - 青岛嘉展力芯半导体有限责任公司
- 2023-08-16 - 2023-09-15 - H03K19/003
- 本申请提供串叠结构及电子装置，涉及半导体的技术领域。该串叠结构包括第一器件、第二器件和保护器件；第一器件的第二端电连接第二器件的第一端，第一器件的控制端电连接第二器件的第二端；第二器件的控制端用于电连接于控制电路的信号输出端；保护器件包括第一保护三极管和第二保护三极管中的至少一个，第一保护三极管的第一端电连接于第一器件的第二端，第一保护三极管的第二端电连接第二器件的第二端；第二保护三极管的第一端电连接于第二器件的控制端，所述第二保护三极管的第二端电连接第二器件的第二端。本申请能够解决串叠结构易出现损坏等现象，串叠结构的稳定性差的问题。
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