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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件和电平移位电路-CN202310779468.4在审
发明人：黄禹轩;蔡庆威;邱奕勋;陈豪育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种半导体器件和电平移位电路，半导体器件包括形成在衬底中的多个晶体管、设置在衬底前侧上的前侧电源轨和设置在衬底背侧上的背侧电源轨。晶体管形成至少在第一电源电压下工作的第一单元和在不同于第一电源电压的第二电源电压下工作的第二单元。前侧电源轨向第一单元提供第一电源电压，背侧电源轨向第二单元提供第二电源电压。
半导体器件电平移位电路

[实用新型]集成电路结构-CN202321027552.2有效
发明人：卢麒友;邱奕勋;陈志良;赖知佑;邱上轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路(integrated circuit,IC)结构包括在第一方向上在半导体基板中延伸的第一及第二主动区域；第一及第二栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸，其中第一及第二栅极结构中的每一者上覆于第一及第二主动区域中的每一者；第一类金属定义(metal‑like defined,MD)区段，其在第二方向上在第一与第二栅极结构之间延伸，且上覆于第一及第二主动区域中的每一者；及定位在第一MD区段与第一主动区域之间的隔离结构。第一MD区段电连接至第二主动区域且与第一主动区域的在第一及第二栅极结构之间的部分电隔离。
集成电路结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210586233.9在审
发明人：周智超;邱奕勋;张尚文;蔡庆威;王志豪;曹敏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：公开了包括背侧电容器的半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括第一晶体管结构；位于第一晶体管结构的前侧上的前侧互连结构，前侧互连结构包括前侧导线；位于第一晶体管结构的背侧上的背侧互连结构，背侧互连结构包括背侧导线，背侧导线具有大于前侧导线的线宽度的线宽度；以及耦合至背侧互连结构的第一电容器结构。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210724891.X在审
发明人：周智超;邱奕勋;张尚文;蔡庆威;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：提供了有助于从器件的背侧实施物理故障分析(PFA)测试的半导体器件和方法。在至少一个实例中，提供了包括半导体器件层的器件，半导体器件层包括多个扩散区域。第一互连结构设置在半导体器件层的第一侧上，并且第一互连结构包括至少一个电接触件。第二互连结构设置在半导体器件层的第二侧上，并且第二互连结构包括多个背侧电源轨。背侧电源轨的每个至少部分与多个扩散区域中的相应扩散区域重叠并且限定暴露相应扩散区域的位于半导体器件层的第二侧处的部分的开口。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]集成电路及制造半导体元件的方法-CN201710669088.X有效
发明人：彭士玮;王中兴;陈志良;杨超源;曾健庭;邱奕勋;侯元德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路包括衬底以及形成于所述衬底上的第一组功能胞单元(functional cell unit)。每一所述功能胞单元包括具有不同阈值电压的一对功能单元以及位于其所述功能单元(functional cell)之间的填充单元(filler cell)。所述第一组功能胞单元中的所述功能胞单元的数目等于或大于第二组功能胞单元的数目，每一所述第二组功能胞单元包括具有不同阈值电压且彼此贴靠(abut)的一对功能单元。如此一来，能够减小所述集成电路的泄漏电流(leakage current)。
集成电路制造半导体元件方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210187385.1在审
发明人：周智超;邱奕勋;张尚文;蔡庆威;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了在半导体装置中形成双侧超级电源轨(dual‑side super power rail)的方法、以上述方法形成的半导体装置，以及测试半导体装置的方法。在一实施例中，一种半导体装置包括一晶体管结构；一前侧互连结构，位于此晶体管结构的一前侧上；及一背侧互连结构，位于此晶体管结构的一背侧上。此前侧互连结构包含一前侧电源输送网络(power delivery network；PDN)及一前侧输入/输出引脚。此背侧互连结构包含一背侧PDN。
半导体装置形成方法

[发明专利]具有栅极切割结构的半导体器件及其形成方法-CN202210100872.X在审
发明人：谌俊元;王培宇;苏焕杰;邱奕勋;庄正吉;蔡庆威;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了具有栅极切割结构的半导体器件及其形成方法。根据本公开的方法包括提供包括正面和背面的工件。该工件包括衬底、在衬底的第一部分之上的第一多个沟道构件、在衬底的第二部分之上的第二多个沟道构件、夹在衬底的第一部分和第二部分之间的隔离特征。该方法还包括形成环绕第一多个沟道构件和第二多个沟道构件中的每一个的接合栅极结构，在隔离特征中形成引导开口，延伸该引导开口穿过接合栅极结构以形成将接合栅极结构分为第一栅极结构和第二栅极结构的栅极切割开口，以及将电介质材料沉积到栅极切割开口中以形成栅极切割特征。
具有栅极切割结构半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法、半导体结构-CN202110540544.7在审
发明人：谌俊元;王培宇;苏焕杰;邱奕勋;庄正吉;蔡庆威;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的半导体器件包括：第一栅极结构，设置在第一后侧介电部件上方；第二栅极结构，设置在第二后侧介电部件上方；栅极切割结构，从第一栅极结构和第二栅极结构之间连续地延伸至第一后侧介电部件和第二后侧介电部件之间；以及衬垫，位于栅极切割部件和第一后侧介电部件之间以及栅极切割部件和第二后侧介电部件之间。本发明的实施例还涉及半导体结构。
半导体器件及其形成方法半导体结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110931296.9在审
发明人：黄禹轩;蔡庆威;邱奕勋;廖翊博;程冠伦;林威呈;赖韦安;蔡铭谦;曾健庭;陈豪育;谌俊元;苏焕杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体结构包括具有第一源极/漏极(S/D)部件和第一栅极的第一晶体管；具有第二S/D部件和第二栅极的第二晶体管；设置在第一晶体管和第二晶体管上方的多层互连件；位于第一晶体管和第二晶体管下方的信号互连件；以及位于信号互连件下方并且与信号互连件电隔离的电源轨，其中，信号互连件将第一S/D部件和第一栅极的一个电连接至第二S/D部件和第二栅极的一个。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202110743034.X在审
发明人：庄正吉;游力蓁;邱奕勋;林佑明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括一半导体鳍片、金属栅极结构、第一层间电介质层以及第一导电部件。半导体鳍片设置于基底上；一金属栅极结构设置于半导体鳍片的通道区上；一第一层间电介质层设置于与半导体鳍片的通道区相邻的源极/漏极(S/D)区上；一第一导电部件包括设置于金属栅极结构上的第一导电部分，以及设置于第一层间电介质层上的第二导电部分，其中第一导电部分的顶面低于第二导电部分的顶面，第一导电部分的第一侧壁连接第二导电部分的第一侧壁的下部部分。
半导体装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110471568.1在审
发明人： 邱奕勋;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体结构包括：衬底，具有前侧和背侧；静态随机存取存储器(SRAM)电路，具有形成在衬底的前侧上的SRAM位单元，其中，每个SRAM位单元包括交叉耦合在一起的两个反相器以及耦合至这两个反相器的第一传输门和第二传输门；第一位线，设置在衬底的前侧上并连接至第一传输门；以及第二位线，设置在衬底的背侧上并连接至第二传输门。本申请的实施例提供了半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110578143.0在审
发明人：苏焕杰;庄正吉;张尚文;邱奕勋;王培宇;蔡庆威;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：电源轨接触件；位于电源轨接触件上的隔离区；位于隔离区上的第一电介质鳍；邻近隔离区和电源轨接触件的第二电介质鳍；位于第二电介质鳍上的第一源极/漏极区；位于第一源极/漏极区和第一电介质鳍之间的源极/漏极接触件，源极/漏极接触件连接到第一源极/漏极区和电源轨接触件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110216619.6在审
发明人：吴国晖;庄惠中;陈志良;庄正吉;张尚文;邱奕勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括沿着第一横向方向延伸的第一栅极结构。半导体器件包括设置在第一栅极结构上方的第一互连结构，第一互连结构沿着垂直于第一横向方向的第二横向方向延伸。第一互连结构包括通过第一介电结构彼此电隔离的第一部分和第二部分。半导体器件包括设置在第一栅极结构和第一互连结构之间的第二互连结构，第二互连结构将第一栅极结构电耦接到第一互连结构的第一部分。第二互连结构包括沿着竖直方向与第一栅极结构和介电结构基本对准的凹进部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN202110510030.7在审
发明人：苏焕傑;游力蓁;谌俊元;庄正吉;张尚文;邱奕勋;王培宇;蔡庆威;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路结构及其形成方法，IC结构包含源极磊晶结构、漏极磊晶结构、第一硅化物区域、第二硅化物区域、源极接触、背侧连通轨、漏极接触以及前侧互连结构。第一硅化物区域位于源极磊晶结构的前侧上以及第一侧壁上。第二硅化物区域在漏极磊晶结构的前侧上。源极接触与第一硅化物区域接触，并且具有延伸超过源极磊晶结构的背侧的突出。背侧连通轨与源极接触的突出接触。漏极接触与第二硅化物区域接触。前侧互连结构在源极接触的前侧表面上以及漏极接触的前侧表面上。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]存储器器件及其布局和制造方法-CN202011634732.8在审
发明人：张盟昇;黄家恩;邱奕勋;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开了存储器器件及其布局和制造方法。存储器器件包括第一晶体管。所述第一晶体管包括沿第一方向彼此间隔开的一个或多个第一半导体纳米结构。一个或多个第一半导体纳米结构中的每个具有沿垂直于第一方向的第二方向的第一宽度。存储器器件还包括串联耦合到第一晶体管的第二晶体管。第二晶体管包括沿第一方向彼此间隔开的一个或多个第二半导体纳米结构。一个或多个第二半导体纳米结构中的每个具有沿第二方向的第二不同宽度。
存储器器件及其布局制造方法

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