[发明专利]半导体存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 01132802.9 | 申请日： | 2001-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1344029A | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | 堀口文男;大泽隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/105;H01L21/8239;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体存储器包括源扩散层(形成在半导体衬底上。与固定电位线连接);柱状半导体层(按阵列状配置,形成于源扩散层上。一端与源扩散层连接。通过该源扩散层使柱状半导体层的规定的半导体层之间共同连接。具有积蓄过剩多个载流子的第一阈值电压的第1数据状态和释放过剩多个载流子的第2阈值电压的第2数据状态。);漏扩散层(形成在柱状半导体层的另一端);和栅电极(通过栅绝缘膜与柱状半导体层对置,与字线连接);字线(与栅电极连接);位线(连接到漏扩散层,其中该位线与字线正交)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，包括以下部分：源扩散层(形成在所述半导体衬底上，与固定电位线连接)；柱状半导体层(按阵列状配置，形成在所述源扩散层上，一端与所述源扩散层连接，通过该源扩散层使所述柱状半导体层的规定的半导体层之间共同连接，获得积蓄过剩的多数载流子的具有第一阈值电压的第1数据状态和释放所述过剩的多数载流子的具有第2阈值电压的第2数据状态)；漏扩散层(形成在所述柱状半导体层的另一端)；栅电极(通过栅绝缘膜与所述柱状半导体层对置，与所述字线连接)；字线(与栅电极连接)；和位线(连接到所述漏扩散层，其中该位线与所述字线正交)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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