[发明专利]半导体集成电路器件以及使用它们的电子装置

摘要

本发明的目的是提供一种电压提升电路,其中的多个以二极管方式连接的MOSFET是串联连接的,并且通过电容器将输入信号输入到MOSFET的节点上。并且通过电容器将输入信号输入到MOSFETM0至Mn的阈值VthMo至VthMn和电容元件C1至Cn的容量(C1至Ccn,或者通过为作为输入到信号提升电路的输入信号的时钟信号φ和φ*的波形高度值的电压提升电路形成一种结构为具有电压提升电路的电子装置提供高效率和低成本的半导体集成电路器件。

主权项

1.一种包含有信号电压提升电路的半导体集成电路器件，其特征是，提供了第一节点和电连接到第一节点的第一反相器，第一节点处的电压是在预定电压电平的第一电压和大于和大于第一电压的第二提升电压间变化，第一反相器包含一个P型MISFET和一个N型MISFET，源极和衬底与MISFET的阱中的一个电连接到第一节点，低于第一电压的第三电压加到源极和衬底与N型MISFET的阱中的一个之上。而且在第一种情况下第一反相器的P型MISFET变为高阻抗和N型MISFET变为低阻抗，这时具有高于第三电压的第四电压的输入信号输入到第一反相器的一个输入端。具有第四电压的输入信号输入到第一反相器的输入端，而且第三电压或接近第三电压的电压从第一反相器输出，而且假如不是第一种情况的话，具有使P型MISFET变为低阻抗和N型MISFET变为高阻抗的电压的第一信号输入到第一反相器的输入端，而且第一节点的电压或接近第一节点电压的电压从第一反相器输出。