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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201410043235.9有效
发明人：上村启介;小山内润 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供防止向内部电路的水分浸入的半导体装置。该半导体装置包括在焊垫下层形成的衬底多晶硅膜（10），衬底多晶硅膜（10）上方通过层间绝缘膜（21）而设置的焊垫（1），以包围焊垫（1）的外侧的方式配置的外围布线（3），其中外围布线（3）与衬底多晶硅膜（10）通过连续的外围接触件来连接，由此阻断从焊垫通向内部电路的水分。
半导体装置

[发明专利]基准电压产生装置-CN201310050845.7有效
发明人：吉野英生;小山内润;桥谷雅幸;广濑嘉胤 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供基准电压产生装置，其具有平坦的温度特性。该基准电压产生装置具备第一导电类型的耗尽型MOS晶体管(10)，其为了作为电流源发挥功能而进行连接并流过恒定电流；以及第一导电类型的增强型MOS晶体管(20)，其进行二极管连接，具有与耗尽型MOS晶体管(10)的迁移率大致相同的迁移率，基于恒定电流产生基准电压(VREF)，因为耗尽型NMOS晶体管(10)与增强型NMOS晶体管(20)的迁移率大致相同，所以它们的温度特性也大致相同，基准电压(VREF)的温度特性平坦。
基准电压产生装置

[发明专利]半导体器件-CN200910176351.7有效
发明人：吉野英生;原田博文;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2009-09-10 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供的是包括耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管的半导体器件。在半导体器件中，为了提供具有增强的温度特性或模拟特性而没有通过电路的添加而增加半导体器件面积的基准电压生成电路，形成具有彼此不同浓度的耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管的阱区。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200910171599.4无效
发明人：加藤伸二郎;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：在金属氧化物半导体(MOS)电容器的条件下，其中在p型硅衬底(1)的电荷积累区域(6)中形成沟槽(3)以减少p型硅衬底(1)和轻掺杂n型阱区域(2)之间的接触面积，从而减少从轻掺杂n型阱区域(2)到p型硅衬底(1)的漏电流。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200910159707.6有效
发明人：加藤伸二郎;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：提供一种半导体器件(100)，其中，用于对于其特别需要精确性并且应当被避免接收来自构成所述半导体器件(100)的元件之中的封装件的应力的元件的元件区(3)被缓冲区(8)围绕用于松弛应力，从而抑制封装过程中所产生的拉应力或压应力的影响，由此减小封装过程之前和之后的特性变化。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN200910006636.6无效
发明人：上村启介;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供即便从半导体封装件的密封树脂对半导体芯片施加了应力，特性值的偏移也少的半导体装置。本发明的半导体装置通过组合形成了对半导体芯片的一边呈垂直方向的沟道的MOS晶体管和形成水平方向的沟道的MOS晶体管，来抵消应力引起的特性值变动，减少特性值的偏移。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200810187023.2有效
发明人：理崎智光;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明“半导体装置的制造方法”是具有如下工序的沟槽深度稳定的半导体装置的制造方法，这些工序是：在半导体衬底上做成相对于所述半导体衬底蚀刻选择比高的第一膜；在所述第一膜上做成相对于所述第一膜蚀刻选择比高的第二膜；蚀刻一部分区域的所述第二膜和第一膜，使所述区域的半导体衬底表面露出；蚀刻所述露出的半导体衬底表面而做成沟槽。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200810213401.X有效
发明人：塚本明子;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其中，可不依赖于阻挡金属层的叠层状态地防止因阻挡金属层薄膜化或断线而导致的布线材料向衬底的渗出。在上述阻挡金属层淀积后，通过用绝缘膜等在侧壁上形成保护层，从而可不依赖于连接孔的侧壁及阻挡金属层的叠层状态而防止在后续的合金热处理影响下布线材料向衬底的渗出。另外，通过形成保护层，可使侧壁变得更平滑，因此，同时也可改善布线材料的覆盖。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的熔丝修整方法-CN200810096679.3有效
发明人：塚本明子;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的熔丝修整方法，该半导体装置在半导体晶片上形成晶体管或电阻等电路元件，并具有能够利用激光微调对所述电阻元件的电阻值进行调整的熔丝元件，该方法的特征在于包括电阻校正步骤，在所述半导体晶片的特定区域，基于所述电阻元件的电阻值与目标值的偏差进行校正。
半导体装置修整方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN200810095162.2有效
发明人：理崎智光;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2008-02-05 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。在阱(5)中，形成用于在栅极宽度方向在阱(5)中设置凹凸的沟槽部(10)，隔着绝缘膜(7)在沟槽部(10)的内部和上表面部形成栅电极(2)。在栅电极(2)的栅极长度方向的一侧形成源极区域(3)，在另一侧形成漏极区域(4)。源极区域(3)和漏极区域(4)都被形成到栅电极(2)底部附近(沟槽部(10)的底部附近)的深度。这样，将源极区域(3)和漏极区域(4)形成得较深，由此，能够使集中地在栅电极(2)部位处的较浅部分流动的电流一样地在沟槽部(10)整体流动，利用形成在阱(5)中的凹凸使有效的栅极宽度变宽。因此，半导体装置(1)的导通电阻降低，驱动能力提高。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置制造方法及半导体装置-CN200710106444.3有效
发明人：塚本明子;长谷川尚;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置制造方法，包括场氧化物绝缘薄膜形成步骤，所述场氧化物绝缘薄膜形成步骤包括形成场氧化物绝缘薄膜(12)，使得当在平面图中观察半导体衬底(11)时，在有源区域(13)中，部分(13a)朝着离心力作用方向(F)的前向侧具有曲面凸出，所述部分(13a)对应于所述有源区域(13)的侧表面部分，所述侧表面部分沿着半导体衬底(11)的表面在离心力作用方向(F)上与半导体衬底(11)的表面上旋转涂覆中的旋转中心(O)相对。
半导体装置制造方法

[发明专利]高压工作场效应晶体管、用于该晶体管的偏置电路以及高压电路-CN200510065663.2有效
发明人：长谷川尚;吉田宜史;小山内润;林丰 -专利权人：精工电子有限公司;林丰
申请日： 2005-02-24 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过利用用于IC或者LSI的标准电源电压的晶体管的组成部分或者处理技术，一种高压工作场效应晶体管形成在IC或者LSI。为了增加场效应晶体管的工作电压，采取一些措施，其中栅极被分成分栅极，并且电位分别被提供给更靠近漏极的分栅极，其中该电位更接近漏极电位并且根据漏极电位的增加或减小而改变。
高压工作场效应晶体管用于偏置电路以及

[发明专利]高压工作场效应晶体管、其偏置电路以及高压电路-CN200510065650.5有效
发明人：林丰;长谷川尚;吉田宜史;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司;林丰
申请日： 2005-02-24 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过利用IC或LSI的标准功率电源电压的晶体管的组成部分，或者利用其制造工艺，在IC或LSI中形成高压工作场效应晶体管。为了提高场效应晶体管的工作电压，采取这样的措施：设置其电位分布根据漏极电位而变化的栅极。
高压工作场效应晶体管偏置电路以及

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200510089645.8无效
发明人： 小山内润 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2005-07-14 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：在用非常薄的膜构成SOI衬底的MOS半导体器件中，通过在源极和漏极上的薄绝缘膜中提供的接触孔形成多晶硅膜。然后，在其上提供较厚的绝缘膜并用接触孔形成。通过多晶硅膜在金属布线与源极和漏极之间建立电结。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410085154.1有效
发明人：石井和敏;小山内润;北岛裕一郎;南志昌;上村启介;和气美和 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2004-09-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的课题是，使电学特性分散性减少，实现能以高品质、高成品率制造半导体器件的半导体器件制造方法。这是一种由制造形成作为产品的半导体器件的晶片的主体晶片制造工序和制造形成监测元件的晶片的监测晶片制造工序构成的半导体制造方法，仅共有监测工序，上述主体晶片制造工序包含分散性减少工序，将上述监测晶片制造工序定为包含完成情况观测工序和条件设定工序的半导体制造方法。
半导体器件制造方法

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