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[发明专利]伯努利基座装置及沉积设备-CN201610237813.1在审
发明人：刘源;保罗·邦凡蒂 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出了一种伯努利基座装置及沉积设备，在基座表面设置具有倾角的气孔，使喷出的气体朝向所述基座外侧扩散，气体管路为气孔提供预定压力的气体，当晶圆放置在基座表面，通过气孔喷出的气体，一方面可以借助于伯努利原理使晶圆被吸附在基座表面，另一方面喷出的气体向晶圆的四周扩散，避免反应气体进入晶圆和基座之间的间隙中在晶圆背面形成薄膜，此外，晶圆与基座保持预定距离，实现晶圆与基座完全不接触，从而能够确保晶圆背面不会存在缺陷，也不会生长额外的薄膜，能够提高晶圆的性能。
伯努利基座装置沉积设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710233508.X在审
发明人：筱原正昭 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。具体提供了一种半导体器件，其具有形成在半导体衬底的主面中的元件隔离结构，在沟槽中具有空间，并且防止由于空间的顶部高度的增加所引起的性能劣化。通过使用硬掩模绝缘膜在半导体衬底的主面中形成沟槽部。形成覆盖硬掩模绝缘膜的上表面以及沟槽部的表面的第一绝缘膜，后面跟随第一绝缘膜的回蚀以露出硬掩模绝缘膜的上表面。然后，形成覆盖硬掩模绝缘膜的上表面和沟槽部的表面的第二和第三绝缘膜，以在沟槽部中形成空间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]智能功率模块及具有其的空调器-CN201710476245.5在审
发明人：李媛媛;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能功率模块和具有其的空调器，智能功率模块包括金属基板，金属基板具有相对设置的第一表面和第二表面，第二表面设有朝向第一表面凹入的隔热凹槽；绝缘层，绝缘层设在第一表面上，绝缘层上分布有电路布线层；功率器件和控制器件，功率器件和控制器件分别设在绝缘层上且与电路布线层电连接，隔热凹槽在第一表面的正投影的外周沿围绕控制器件设置且位于控制器件的外侧；绝缘塑封件，绝缘塑封件包裹金属基板、功率器件和控制器件。根据本发明实施例的智能功率模块，通过在金属基板上设置隔热凹槽，操作简单，可以降低功率器件对控制器件的热传导，确保智能功率模块在理想温度下正常运行，提升了智能功率模块的使用可靠性。
智能功率模块具有空调器

[发明专利]一种确定焊线芯片表面焊盘间距的方法-CN201710419620.2在审
发明人：吴现伟;龙华;郑瑞 -专利权人：深圳国民飞骧科技有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种确定焊线芯片表面焊盘间距的方法。该方法包括以下步骤设定线弧高度，定义为K；选取劈刀，测量劈刀尖嘴外扩角度，定义为C；测量劈刀尖嘴直径，定义为T；测量劈刀孔径，定义为H；确定焊线芯片表面焊盘间距，定义为P，公式如下P＝(T+H)/2+[tan(C/2)]*K。本发明所述的方法可以更准确地确定焊线芯片表面焊盘间距，从而可提供更宽性能调试空间；此外，还可以降低封装劈刀与已焊线触碰导致线变形，甚至与其它线短路等，导致互感变异等问题，从而提高工作效率，并减少验证次数。
一种确定芯片表面间距方法

[发明专利]一种增加非功能性芯片的封装结构及其制作工艺-CN201710426617.3在审
发明人：王荣 -专利权人：太极半导体（苏州）有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种增加非功能性芯片的封装结构，包括铜基板，具有相对的一顶面和一底面；功能性芯片，配置于所述铜基板的顶面或非功能芯片上方；非功能性芯片，配置于功能性芯片的上方、下方或者侧面，其中非功能芯片位于功能性芯片的下方和侧面时，非功能芯片与铜基板相连；金线，用于连接功能性芯片与铜基板；绝缘树脂，用于将上述增加非功能性芯片的封装结构的封装空间填充满，本发明的增加非功能性芯片的封装结构以及制作工艺，在生产工艺流程上简易，从而获得成本上的比较优势，且针对不同厚度的薄芯片的不同封装需求，通过调整非功能芯片的位置，大小，厚度等因素，来解决芯片的再利用，利润最大化，满足了实际的生产加工需求。
一种增加功能芯片封装结构及其制作工艺

[发明专利]鳍式场效应晶体管-CN201710224306.9在审
发明人：管清华;蒋振劼;郑志成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种FinFET，包括衬底、多个绝缘体和栅极堆叠件。衬底包括多个沟槽和位于沟槽之间的至少一个半导体鳍，其中，半导体鳍包括至少一个槽，并且至少一个槽位于半导体鳍的顶面上。绝缘体设置在沟槽中。栅极堆叠件部分地覆盖半导体鳍、至少一个槽和绝缘体。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管。
场效应晶体管

[发明专利]一种单管单电容存储单元装置及其制备方法-CN201710426275.5在审
发明人：廖敏;肖文武;周益春;彭强祥;钟向丽;王金斌 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：本发明公开了一种单管单电容存储单元装置，包括晶体管和电容结构，所述电容结构的上电极与所述晶体管的漏极通过引线连接。本发明单管单电容存储单元装置采用β‑Ga2O3作为沟道材料，一种热稳定性和化学稳定性都良好的宽禁带半导体材料，且预期具有非常好的抗辐射性能，可以加固沟道部位的抗辐射能力。同时，本发明还公开了一种所述单管单电容存储单元装置的制备方法及包含所述单管单电容存储单元装置的存储器。
一种单管单电容存储单元装置及其制备方法

[发明专利]抗辐射Sence‑Switch型nFLASH开关单元结构及其制备方法-CN201710478341.3在审
发明人：刘国柱;洪根深;赵文斌;曹利超;刘佰清;朱少立 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗辐射Sence‑Swtich型nFLASH开关单元结构及其制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述Sence‑Switch型nFLASH开关单元是制作在SOI顶层硅P阱中，并被STI隔离槽全介质隔离；所述的Sence‑Switch型FLASH开关单元是通过浮栅多晶硅实现了编程/擦除管与信号传输管电荷共享；所述的编程/擦除管的隧道氧化层和信号传输管的栅氧化层是采用掺N工艺与HTO结合的加固双栅氧工艺实现，其余均采用业界标准工艺制作完成。本发明抗辐射Sence‑Switch型nFLASH开关单元工艺简单，兼容于CMOS工艺，不仅具有良好的电荷保持特性、耐久性、阈值窗口宽，而且具有抗总剂量和单粒子能力等优点。同时，本发明抗辐射Sence‑Switch型nFLASH开关单元SOI工艺集成方法也适用于体硅CMOS工艺。
辐射 sence switch nflash 开关单元结构及其制备方法

[发明专利]一种具有照相功能的闪存存储器及制备方法、电子装置-CN201610208297.X在审
发明人：李玉科 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供一种具有照相功能的闪存存储器及制备方法和电子装置。所述闪存存储器包括若干存储器单元，所述存储器单元包括基底；栅极叠层，位于所述基底上方，包括依次层叠的隧穿氧化物层、浮栅层、隔离层和控制栅层；互连结构，位于所述栅极叠层的上方并与所述栅极叠层电连接；滤光膜，位于互连结构的上方；棱镜，设置于所述滤光膜的表面上。本发明闪存存储器是首次具有紫外图像拍摄功能的闪存(flash)存储芯片，具有非挥发性的优点，断电后图像信息不会丢失，而且很好的与闪存(flash)工艺结合。
一种具有照相功能闪存存储器制备方法电子装置

[发明专利]一种沟槽栅RC‑IGBT及其制备方法-CN201710464021.2在审
发明人：马丽;李佳豪;谢加强;康源 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅RC‑IGBT，包括从上到下依次设置的N+发射极、P+发射极、P‑base区、N‑层，P‑base区上表面还设置有P+发射极，P+发射极与N+发射区并排设置，N‑层上表面刻蚀有若干个沟槽，沟槽内设置有SiO2栅氧层，SiO2栅氧层上淀积有多晶硅栅，P+发射极、N+发射极及P‑base区位于沟槽的同侧，N+发射极及P‑base区的侧壁均与沟槽侧壁外表面相接触，N‑层的背面设置有N缓冲层，N缓冲层的背面设置有P+集电极，P+集电极的一侧设置有N+集电极，N+集电极的上表面设置有若干个P柱区。本发明解决了现有技术中存在的传统RC‑IGBT正向工作时电流分布不均匀，及反向工作时反向恢复峰值电流过大，新结构的RC‑IGBT大幅降低了器件的导通压降。
一种沟槽 rc igbt 及其制备方法

[发明专利]一种表面陷光结构InGaN/GaN太阳电池-CN201710471829.3在审
发明人：毕臻;杨晓东;张进成;张春福;吕玲;林志宇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面陷光结构InGaN/GaN太阳电池，包括n‑Si衬底和InGaN/GaN层，InGaN/GaN层包括AlN成核层、GaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构和p‑GaN层，p‑GaN层表面为纳米陷光结构；p‑GaN层和n‑GaN层表面引出Ni/Cr/Au欧姆电极。本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有陷光结构的InGaN/GaN电池原型器件，包括表面条栅结构和周期性纳米阵列，实现表面高减反特性；由于采用了纳米陷光结构，有利于增加入射光程，增加光程和有效光吸收，产生更多的光生载流子，提高电池的光电流和转换效率。
一种表面结构 ingan gan 太阳电池

[发明专利]一种太阳能光伏真空玻璃-CN201710467246.3在审
发明人：王飞 -专利权人：合肥博之泰电子科技有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能光伏真空玻璃，包括真空玻璃和太阳能光伏本体，所述真空玻璃与太阳能光伏本体通过封边固定连接，所述太阳能光伏本体由外到内依次包括第一玻璃基板、太阳能主板、网状载体、蜂窝体和第二玻璃基板，所述太阳能主板设置在第一玻璃基板上，所述网状载体设置在太阳能主板上，所述蜂窝体焊接于网状载体上，所述第二玻璃基板设置在蜂窝体上，所述蜂窝体为多面体型筒状中空结构，且蜂窝体材质为太阳能板。本发明的太阳能光伏真空玻璃具有太阳能利用率高，无论太阳从哪个角度照射，均会有一部分的太阳能板面接收太阳光，同时具有良好的散热功能，降低太阳能光伏本体的温度，提高使用寿命。
一种太阳能真空玻璃

[发明专利]一种耐候型光伏背板及其制备方法-CN201710333937.4在审
发明人：庄益春;卞祖慧;贾敏;陈宁 -专利权人：江苏东昇光伏科技有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L31/049 文献下载
摘要：本发明提供一种耐候型光伏背板及其制备方法，所述光伏背板包括依次粘结的耐候层、第一粘结层、PET基材、第二粘结层和绝缘层，耐候层由以下原料制成聚丙烯、尼龙12、微晶纤维素、聚碳酸酯、甲基硅油，绝缘层由以下原料制成聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、纳米二氧化硅；其制备方法是先分别制备耐候层和绝缘层，然后在PET基材一侧施加胶水形成第一粘结层，再压合耐候层；之后在PET基材的另一侧施加胶水形成第二粘结层，再压合绝缘层。本发明采用聚丙烯、尼龙12、聚碳酸酯复合、并添加微晶纤维素和甲基硅油作为耐候层，提高了背板的耐候性能，以保护太阳能电池背板的长期使用性能。
一种耐候型光伏背板及其制备方法

[发明专利]一种背接触太阳能电池的掺杂处理方法-CN201710402896.X在审
发明人：林建伟;刘志锋;何大娟;季根华;刘勇 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种背接触太阳能电池的掺杂处理方法，包括以下步骤(1)对N型晶体硅基体前表面进行掺杂处理；(2)采用离子注入方式对其背表面进行掺杂处理，离子源为两个，分别实现硼注、磷注入；在其背表面和离子源之间设置掩膜夹具，其上设有用于形成n+/p+掺杂区域的第一、二开口，硼、磷离子在一次注入工艺中同时完成；(3)对N型晶体硅进行退火处理，激活注入的离子，在其背表面形成交替排列的n+/p+掺杂区域，在其前表面形成n+掺杂前表面场。其有益效果是无需使用复杂介质膜掩膜生长就可形成交替排列的n+/p+掺杂区域，简化了工艺流程；n+前表面场、背表面n+/p+掺杂区域在一次高温工序中同时形成，减少了高温工序数目，节约了生产成本。
一种接触太阳能电池掺杂处理方法

[发明专利]耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法及其装置-CN201610234554.7在审
发明人：龚正;刘建政;杨政达 -专利权人：元茂光电科技（武汉）有限公司
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，包括下列步骤设置耐高温磁性吸附组件于载具的第一容置空间内、设置芯片于载具的第二容置空间内以及以非磁性金属掩膜覆盖载具的第二容置空间，其中高温的温度大于80℃以上。本发明还提供一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，包括一载具、一耐高温磁性吸附组件、一芯片以及一非磁性金属掩膜。载具具有第一容置空间及第二容置空间。耐高温磁性吸附组件设置于第一容置空间内。芯片设置于载具的第二容置空间内。非磁性金属掩膜覆盖载具的第二容置空间，其中高温的温度为80℃以上。
耐高温发光二极管镀膜图案形成方法及其装置