“李玉科”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果134个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]存储单元、存储器及其制造方法、电子设备-CN202310767383.4有效
发明人：毛淑娟;赵超;王桂磊;李玉科 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种存储单元、存储器及其制造方法、电子设备。本申请涉及半导体技术领域。该存储单元包括垂直晶体管。垂直晶体管包括半导体柱，沿垂直于衬底方向延伸，半导体柱包括依次设置的漏极区、沟道区和源极区；栅极绝缘层和栅极，至少部分的栅极绝缘层、与栅极依次设置于所述半导体柱的沟道区的外周；垂直晶体管包括下述至少一项：靠近源极区的栅极绝缘层的介电常数大于靠近漏极区的栅极绝缘层的介电常数；靠近源极区的栅极的功函数大于靠近漏极区的所述栅极的功函数。本申请实施例能够抑制寄生三极管的开启，从而能够降低漏电。
存储单元存储器及其制造方法电子设备

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备-CN202310753427.8有效
发明人：梁鸿刚;余泳;李玉科;李志轩 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及但不限于存储技术领域，半导体器件的制造方法包括：在第一硅基底上形成第一金属硅化物薄膜；在第二硅基底上形成第二金属硅化物薄膜；采用倒装芯片键合的方式，将所述第一硅基底的所述第一金属硅化物薄膜与所述第二硅基底的所述第二金属硅化物薄膜键合，使所述第一金属硅化物薄膜和所述第二金属硅化物薄膜形成金属硅化物层；通过刻蚀工艺，将所述金属硅化物层刻蚀形成线状的位线；使第一硅基底形成所述半导体柱；解决位线断路以及位线与半导体柱接触不良等问题，并保证半导体柱高度的均一性。
一种半导体器件及其制造方法电子设备

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备-CN202310450191.0在审
发明人： 李玉科;毛淑娟;梁鸿刚 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：第一晶圆和设置在所述第一晶圆上的第二晶圆，所述第一晶圆包括衬底和设置在所述衬底上的位线；所述第二晶圆包括至少一个晶体管，所述晶体管包括沿垂直于所述衬底方向延伸的半导体柱，所述半导体柱包括沟道区域和分别设置在所述沟道区域两侧的第一区域和第二区域，所述第二区域设置在所述沟道区域朝向所述衬底一侧，所述位线与所述第二区域接触。本公开实施例提供的方案，通过使用两片晶圆，在其中一片晶圆上制备晶体管，另一晶圆上制备位线，工艺简单，可以避免位线形成空洞，且位线形状更为稳定，位线与半导体柱间的接触电阻更稳定。
一种半导体器件及其制造方法电子设备

[发明专利]三维堆叠芯片和电子设备-CN202210774815.X在审
发明人： 李玉科 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：一种三维堆叠芯片和电子设备，三维堆叠芯片包括：第一芯片；第二芯片，位于所述第一芯片上堆叠设置；散热层，位于所述第一芯片和所述第二芯片之间；一条或多条信号导线，至少部分信号导线的至少部分区域与所述散热层同层间隔设置；其中，与所述散热层间隔设置的所述至少部分信号导线的至少部分区域与所述散热层之间的最小距离d满足：d≥V0/0.4V·nm‑1；其中，d的单位为nm；V0为所述至少部分信号导线的至少部分区域上承载的电压，V0的单位为V。本申请实施例的三维堆叠芯片可以有效将芯片运行产生的热量高效率的散发出去。
三维堆叠芯片电子设备

[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件-CN202211162806.1在审
发明人：尹晓明;李玉科 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开是关于一种半导体器件的制作方法及半导体器件，半导体器件的制作方法包括：提供衬底；形成垂直沟道型氧化物半导体晶体管，对所述氧化物半导体材料层进行离子掺杂。本公开通过在源接触区和漏接触区掺杂第二离子，降低氧化物半导体材料层与金属的接触电阻，结合通过在沟道层掺杂含氧离子，使沟道层内部的氧空位被填充，进而降低漏电流，最终达到降低接触电阻，提升开态电流和开关比的效果。另外，可以选择将掺杂过程在垂直沟道型氧化物半导体晶体管形成之前实施，以减小对栅极氧化层的污染；也可以选择将掺杂过程在对晶体管电学测试之后实施，以修正改善晶圆至晶圆的均匀性。
半导体器件制作方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310200004.3在审
发明人：孟敬恒;平延磊;李玉科 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底，包括阵列排布的有源柱；栅极结构，位于所述有源柱的相对的两侧，且同一所述栅极结构与其两侧的所述有源柱均接触。本申请可以进一步提高器件集成度。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件的形成方法及半导体器件-CN202210227839.3有效
发明人：石卓;李玉科 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件的形成方法及半导体器件，形成方法包括：在半导体衬底上制作栅极结构；在所述栅极结构的侧壁表面形成侧墙，并且所述侧墙的厚度等于设计目标值与预设加厚值之和；以所述栅极结构和所述侧墙为掩膜，对所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成源区和漏区。本申请通过加厚栅极结构的侧墙，使得半导体器件源漏之间的距离变大，从而可以降低沟道内的电场峰值，改善HCI效应，该方法操作简单，基本不增加成本。
一种半导体器件形成方法

[发明专利]钙钛矿量子点、纳米片、半导体传感器的制备方法-CN202210897964.5在审
发明人：徐丹;李玉科 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种钙钛矿量子点、钙钛矿纳米片、钙钛矿半导体传感器的制备方法，以及钙钛矿半导体传感器。该钙钛矿量子点的制备方法包括：匹配带隙需求，选择卤化铅；采用常温反溶剂扩散的方法，基于所述卤化铅制备卤化铅前驱体；制备油酸铯前驱体；将所述卤化铅前驱体加入到所述油酸铯前驱体中，并对所得化合物进行离心提纯，得到所述钙钛矿纳米片。该钙钛矿量子点的制备方法能够匹配不同光波的接收需求和/或不同波段的光源所产生的不同的信号处理需求，使所得钙钛矿量子点适于用作像素点。
钙钛矿量子纳米半导体传感器制备方法

[外观设计]合页-CN202230208394.5有效
发明人：陈晓平;李玉科 -专利权人：石家庄鸿钜冶金科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： 08-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：合页。2.本外观设计产品的用途：用于连接物体两个部分并能使之活动的部件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
合页

[实用新型]一种外转子电机的轴承测温布线结构-CN202122854166.8有效
发明人：曲振业;刘国增;孙庆玲;张换清;王博文;范晓彬;刁孟磊;李玉科;朱峰;周明;张娟娟 -专利权人：卧龙电气南阳防爆集团股份有限公司;卧龙电气驱动集团股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H02K11/25 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外转子电机的轴承测温布线结构，用于检测外转子电机的转轴两端部上轴承的温度，包括轴承测温元件和测温线，所述转轴两端部上均安装有轴套，轴套与轴承接触安装且位于两个轴承之间，所述轴承测温元件的探头插入轴套内，所述轴承测温元件另一端连接测温线；所述转轴的任一端部设有穿线槽，所述测温线的另一端穿过穿线槽伸出转轴连接至测温仪器上；本实用新型避免转轴上开设通孔或者开设长孔，有效解决外转子电动滚筒轴承测温布置制造成本高、强度差、安装、防松脱不便的现状，使电机的轴承测温布置更加简便，并合理布线，提高电机内在品质及可靠性。
一种外转电机轴承测温布线结构

[实用新型]晶圆承载卡盘及晶圆测试系统-CN202122450717.4有效
发明人：李明;赵远勇;李玉科 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆承载卡盘，包括卡盘本体，所述卡盘本体具有一用于承载待测晶圆的承载面，所述承载面为绝缘表面，所述卡盘本体的承载面上开设有至少两个环状设置的真空槽，所述晶圆承载卡盘还包括至少四个导电探针，且所述至少四个导电探针伸出所述卡盘本体的高度可调节，所述至少四个导电探针位于相邻的所述真空槽之间，在不改变现有晶圆承载卡盘尺寸的条件下，减小了晶圆承载卡盘与待测晶圆的接触电阻，增加了测试的准确性，减少了因为测试问题导致的重新测试，节省了时间成本。进一步的，所述晶圆承载卡盘的材质采用绝缘材质，所述晶圆承载卡盘无需使用镀金材质，节省了成本。
承载卡盘测试系统

[实用新型]探针卡及晶圆测试系统-CN202122460860.1有效
发明人：李明;赵远勇;李玉科 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种探针卡及晶圆测试系统，所述探针卡包括电性监控量测控制模块、第一支撑件、第一螺杆、第二螺杆和探针单元，所述电性监控量测控制模块与所述探针单元电连接，所述探针单元包括固定探针单元和可移动探针单元，所述固定探针单元固定在所述第一支撑件上，所述可移动探针单元位于所述第二螺杆上，所述可移动探针单元沿第一螺杆方向或者第二螺杆方向移动。所述探针卡可以测试不同尺寸的产品，无需制备不同的探针卡，降低制造成本和储存空间，也无需更换探针卡，降低了测试时间和加换探针卡失误的风险；通过在电性监控量测控制模块内设置不同尺寸的产品对应不同测试程序，可以自动实现不同的尺寸产品的测试。
探针测试系统

[发明专利]图像传感器、其制备方法及电子设备-CN202210097559.5有效
发明人： 李玉科 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器、其制备方法及电子设备，图像传感器包括：基底，基底中形成有间隔排列的至少两个光电转换元件；深槽，位于基底中相邻的两个光电转换元件之间，深槽具有第一宽度；第一旋涂式介电材料，填充于深槽的底部；单晶硅层，形成于深槽侧壁，使深槽的宽度缩小至第二宽度，第二宽度小于第一宽度；高K介质层，形成于深槽底部和侧壁；第二旋涂式介电材料，填满深槽。本发明大幅度提高了深槽的深宽比，同时避免了深槽填充时孔洞的产生。
图像传感器制备方法电子设备

[发明专利]一种近红外图像传感器结构及其制作方法-CN202210148961.1在审
发明人：徐丹;李玉科 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种近红外图像传感器结构及其制作方法，该结构包括近红外光转换层及光电二极管层，近红外光转换层包括稀土上转换纳米发光材料以将近红外光转化为可见光，光电二极管层位近红外光转换层下方以响应近红外光转换层发出的可见光。本发明通过引入稀土上转换纳米材料作为感光材料，利用其优异的上转换发光性能，将近红外光的光信号转化为可见光的光信号，并通过发光二极管将可见光的光信号转化为电信号以生成图像信号，可以拓宽CMOS图像传感器的光响应范围，实现CMOS图像传感器在近红外领域的应用。本发明的制作方法形成的近红外光转换层中，稀土上转换纳米材料能够以稳定形式存在，能够满足稀土上转换纳米材料的器件应用。
一种红外图像传感器结构及其制作方法

[实用新型]一种高效率粉体浆料分散研磨设备-CN202121960983.5有效
发明人：李文彬;李玉科 -专利权人：杭州阿凡达光电科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B02C17/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高效率粉体浆料分散研磨设备。所述高效率粉体浆料分散研磨设备包括框架；两个平面台，两个所述平面台均固定安装在所述框架的底部内壁上；接料框，所述接料框设置在所述框架的底部内壁上，所述接料框位于两个所述平面台之间；顶板，所述顶板固定安装在所述框架的顶部；两个支撑块，两个所述支撑块均固定安装在所述顶板的底部；两个侧板，两个所述侧板分别固定安装在两个所述平面台的顶部。本实用新型提供的高效率粉体浆料分散研磨设备具有便于分散研磨，操作省时省力，便于接料，提高生产效率的优点。
一种高效率浆料分散研磨设备

1
2
3
4
5
6
7
8
9
下一页»
尾页
共 134 条