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[发明专利]一种高容量镍钴锰酸锂前驱体及其制备方法-CN201510216749.4在审
发明人：郑江峰;晁锋刚;赵文;魏宁;张晨;文荣;贾效旭;沈立芳 -专利权人：宁夏东方钽业股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池正极材料，尤其是一种高容量镍钴锰酸锂前驱体及其制备方法。其特点是：化学式为Ni_xCo_yMn_z(OH)₂，其中0.5≤x≤0.9，0.05≤y≤0.2，0.05≤z≤0.3，x+y+z＝1。本发明提供了一种用共沉淀法制备的高容量镍钴锰酸锂前驱体及其制备方法，制备的颗粒粒径分布集中、振实密度高、球形度好，比容量高，低成本，寿命长，具有更高的放电平台和能量密度，首次1C充放电比容量达到195mA·h/g和186.5mA·h/g，循环50次容量保持率为95.6％。
一种容量镍钴锰酸锂前驱及其制备方法

[发明专利]一种提高磷酸铁锂正极材料倍率性能的制备方法-CN201510645377.7在审
发明人：赵世玺;赵建伟;程红美;陈昌科 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种提高磷酸铁锂正极材料倍率性能的制备方法，其包括以下步骤：按铁、锂、磷和硅元素的摩尔比为1:0.95～1.05:0.90～0.99:0.01～0.10，将二价铁盐、锂盐、磷酸盐和硅源混合，加入分散剂，以转速200～500rpm球磨4～16小时，将球磨产物干燥后，在保护气氛下300～500℃烧结6～12小时，随炉冷却至室温，研磨，得到预烧产物，即硅掺杂的基体；将预烧产物、碳源和硅酸锂混合，加入去离子水中，搅拌0.5～4小时，干燥后在保护气氛下600～900℃恒温焙烧6～12小时，随炉冷却至室温，研磨，即制得改性的磷酸铁锂粉末。其不但能广泛应用于工业生产，而且电化学性能提升明显。
一种提高磷酸正极材料倍率性能制备方法

[发明专利]一种锡粉掺杂钛酸锂锂离子电池的制备方法-CN201510438782.1在审
发明人：陈铭;张鹏飞;刁国旺 -专利权人：扬州大学
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种锡粉掺杂钛酸锂锂离子电池的制备方法，属于锂离子电池能源材料生产技术领域。本发明在制备钛酸锂时以碳酸锂、二氧化钛为前驱体，以无水乙醇为分散剂，利用球磨辅助固相法合成钛酸锂简便，易操作，成本低，无毒害，产率高，能够运用于工业的实际生产中。经过球磨法合成的Li₄Ti₅O₁₂颗粒形貌均一，结晶度好，没有团聚。经过Sn掺杂的Li₄Ti₅O₁₂在高倍率下电化学性能得到了显著提高。
一种掺杂钛酸锂锂离子电池制备方法

[发明专利]一种锂离子电池隔膜的制备方法-CN201510577175.3在审
发明人：刘久清;何俊颖 -专利权人：中南大学
申请日： 2015-09-13 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池隔膜的制备方法，包括：（1）聚偏氟乙烯与石墨烯共混聚合物隔膜的制备，所用原料聚偏氟乙烯、石墨烯纳米片分散液和成孔剂分别为总质量分数的8-25%、0.00001%-0.01%和0.05%-5.0%，剩余质量为二甲基乙酰胺；（2）商用隔膜和聚偏氟乙烯与石墨烯共混聚合物隔膜的复合，用乙醇水溶液润湿后将二者复合。本发明制备的锂离子复合电池隔膜展现出优异的机械性能（MD:1600kg/cm²,TD:1200kg/cm²）和热稳定性能（电解液活化后复合隔膜在120℃下加热1h的剩余质量为加热前质量的90%），同时分解电压高达4.5V，较商用隔膜的4.3V有一定的提升，锂离子电导率较商用隔膜提升340%，锂离子迁移数为0.56，所制备锂离子电池表现出良好的循环性能和倍率性能。
一种锂离子电池隔膜制备方法

[发明专利]一种GaN基LED外延片的生长方法-CN201210351407.X在审
发明人：肖志国;关秋云;杨天鹏;展望;张博;武胜利 -专利权人：大连美明外延片科技有限公司
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基LED外延片的生长方法，生长InGaN/GaN多量子阱时，在传统的生长条件下，适时适量的通入氢气，可以有效的抑制In的团簇效应，从而改善InGaN/GaN界面的平整度，提高出光效率，并且提高了器件的反向电压，降低了正向电压。本发明方法简单易行，生长工艺无特殊要求，按照标准芯片工艺制作成300微米×300微米的芯片，亮度在原有基础上提升了10～20%，反向电压提高了5V以上，正向电压降低了0.05V以上。
一种 gan led 外延生长方法

[发明专利]一种薄膜太阳能电池装夹装置-CN201510405795.9在审
发明人：姜长笑 -专利权人：四川海和风科技有限公司
申请日： 2015-07-11 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池装夹装置，包括底板，底板上设有放卷轮与收卷轮，底板上设有侧板，侧板的内侧设有扣板，扣板插接有调节杆，调节杆与扣板通过螺纹连接，扣板的下方设有锁片，调节杆的下端与锁片连接；调节杆的自由端设有旋柱。本发明可以绕扣板进行旋转，从而方便对锁片进行调节，方便装夹薄膜太阳能电池。
一种薄膜太阳能电池装置

[发明专利]一种高响应度雪崩光电二极管制备方法-CN201510547504.X在审
发明人：陈良惠;李慧梅;李晓敏;李健;于海龙;宋国峰;徐云 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直型雪崩光电二极管及其制备方法。所述雪崩光电二极管的制备方法包括：刻蚀垂直台面至In_0.53Ga_0.47As牺牲层；钝化台面侧壁及上表面；腐蚀去除In_0.53Ga_0.47As牺牲层实现衬底剥离；在N型InP欧姆接触层表面制备光学增透膜；上下表面制备P、N接触金属层，最后在P型接触金属层上再形成平坦的高反射镜面金属层。通过光学增透膜及平坦高反射金属层的有效结合，有效提高了雪崩光电二极管的响应度。本发明制备的高响应度的垂直型InP/In_0.53Ga_0.47As雪崩光电二极管具有成本低、制备工艺简单等优点。
一种响应雪崩光电二极管制备方法

[发明专利]基于蓝宝石衬底的多层氧化镓薄膜及其生长方法-CN201510396978.9在审
发明人：冯倩;李付国;代波;谢文林;徐通;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的多层氧化镓薄膜及其生长方法，主要解决现有氧化镓薄膜的表面形貌差和晶粒尺寸小的问题。该氧化镓薄膜包括蓝宝石衬底和氧化镓外延层，其特征在于：氧化镓外延层设为多层，且自下而上每层氧化镓外延层的下面设有8～12nm厚的氧化镓缓冲层，以在衬底上形成缓冲层与外延层交替分布的复合结构。本发明降低了Ga2O3薄膜表面的粗糙度，改善了Ga2O3薄膜的表面形貌，增大了Ga2O3晶粒尺寸，可用于制作半导体功率器件。
基于蓝宝石衬底多层氧化薄膜及其生长方法

[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极体基板及其显示装置-CN201510609535.3在审
发明人：徐向阳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极体基板及其显示装置，涉及显示技术领域。本发明的有源矩阵有机发光二极体基板包括：依次叠合的阴极电极层、发光层以及阳极电极层，所述阳极电极层为光的出射一侧；所述阳极电极层包括透明导电层和附加层，所述附加层的材料的光穿透率大于所述透明导电层的光穿透率，所述附加层的材料的电阻率小于所述透明导电层的电阻率；所述透明导电层位于所述附加层和所述发光层之间。通过上述方式，本发明能够解决现有存在有源矩阵有机发光二极体显示屏幕较难驱动的问题。
一种有源矩阵有机发光二极体及其显示装置

[发明专利]基于柔性基板的三维芯片堆叠封装结构及封装方法-CN201510487847.1在审
发明人：侯峰泽 -专利权人：成都锐华光电技术有限责任公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种基于柔性基板的三维芯片堆叠封装结构及封装方法，该封装结构包括条状柔性基板和2(N+1)个倒装芯片，其中N≥1，所有的倒装芯片堆叠放置，条状柔性基板穿插在倒装芯片之间，且分别与各倒装芯片通过焊盘连接。该封装方法主要包括：制作柔性基板；倒装芯片安装；折叠堆叠；固封成型。本发明开创性的采用柔性基板将倒装芯片三维堆叠起来，其工艺简单，容易实现，成本比较低，可实现多层堆叠(3层或3层以上芯片堆叠)，尤其可以实现相同尺寸芯片的三维多层堆叠。
基于柔性三维芯片堆叠封装结构方法

[发明专利]一种采用激光烧铜的产品加工工艺-CN201510191597.7在审
发明人：温国豪;张子岳;邓月忠 -专利权人：丽智电子(昆山)有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用激光烧铜的产品加工工艺，包括如下步骤：（1）蚀刻：对目标铜板进行正面蚀刻；（2）对步骤（1）中蚀刻完成的铜板进行固晶、打线和模压；（3）烧铜：对模压后的产品进行烧铜工艺，实现端电极露铜；（4）切割：对烧铜后的产品进行切割，完成产品的加工；其中，步骤（3）中烧铜工艺中采用的是激光烧铜的干式蚀刻工艺。通过采用激光蚀刻的方式完成模压后的烧铜工序，提高了烧铜精度，减小了产品误差，且不会有废水产生，制程时间也更短。
一种采用激光产品加工工艺

[发明专利]一种氮化镓异质结场效应晶体管及其形成方法-CN201510557926.5在审
发明人：刘新科;何佳铸;刘强;俞文杰;吕有明;陈凌霄;杨育佳 -专利权人：深圳大学
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明适用于电子元器件领域，提供了一种氮化镓异质结场效应晶体管的形成方法，包括：形成衬底；在所述衬底之上形成介质层；在所述介质层上形成栅极；以及在所述栅极的外侧包裹着应力衬垫薄膜。本发明还提供了一种氮化镓异质结场效应晶体管。本发明能有效提高氮化镓异质结场效应晶体管的电学性能，即有效控制阈值电压或把阈值电压向正方向移动从而实现增强型氮化镓器件，同时降低器件的寄生电阻。
一种氮化镓异质结场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]一种电容器全自动检测裁脚机-CN201510598051.3在审
发明人：陈宏志;徐友龙;陈永真;陈巍龙;龙立平;张学军 -专利权人：益阳市和天电子有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01G13/00 文献下载
摘要：一种电容器全自动检测裁脚机，包括依次连接的设置有电性能检测的环形老化输出链、上料机械手、外观检测装置、下料机械手、裁脚输送装置，上料机械手将老化电性能检测后的电容器装入外观检测装置，下料机械手将外观检测后的电容器装入裁脚输送装置进行裁脚。本发明实现了电容器老化、电性能测试、外观检测、裁脚、CP线变形、装袋的全自动连线生产，很大程度的节省了人力；同时由于实现全自动检测减少了人为的误判和由于视觉疲劳带来的误判。本发明中通过安装计数传感器能够准确的设置包装的数量，消除人工计数带来的误差。
一种电容器全自动检测裁脚机

[发明专利]一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法-CN201510582389.X在审
发明人：亓钧雷;林景煌;刘瑜琳;张骜天;冯吉才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，本发明涉及石墨烯基电极材料的制备方法。本发明要解决现有对垂直生长石墨烯片润湿性进行改善，其中多种合成方法制备具有不同微观结构的石墨烯材料，涉及较多参数的调节，难以准确把握改善的程度及表面改性的机理，而化学修饰的方法涉及化学药品的选取，制备和化学反应，过程相对复杂的问题。方法：一、沉积；二、刻蚀；三、关闭射频电源和加热电源，以Ar为保护气体，冷却到室温，即完成缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法。本发明用于缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法。
一种缺陷诱导石墨电极材料制备方法

[发明专利]花簇型导电聚噻吩柔性电极及基于此柔性电极的超级电容器及其制备方法-CN201510562651.4在审
发明人：胡秀杰;白晓霞;严峻;孙兴明;周树云;陈萍 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开一种“花簇型”导电聚噻吩柔性电极及基于此柔性电极的超级电容器及其制备方法，本发明中以柔性基底为载体、将其去污、浸渍于聚合体系中，原位化学聚合反应得到“花簇型”导电聚噻吩柔性电极；取所得两个电极，隔膜分离、加入电解液、柔性外壳进行封装，组装得到基于此柔性电极的超级电容器。本发明所制得的柔性电极以柔性基底为支撑体，形成3D导电网络结构，能有效的增大活性电极的比表面积；本发明制备的柔性超级电容器具有较高的质量比容量、倍率特性及快速充放电等优异的电化学性能，同时兼具可弯折性、成本低、制备工艺简单等优势，从而在能量存储、各类机动车辆、微电子器件领域等具有非常广阔的应用前景。
花簇导电噻吩柔性电极基于超级电容器及其制备方法