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[发明专利]经掺杂的氧化硅的热沉积-CN202280011443.3在审
发明人：沈泽清;戚波;A·B·玛里克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物和含氧前驱物。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含碳前驱物。含碳前驱物可以由碳‑碳双键或碳‑碳三键表征。所述方法可以包括使含硅前驱物、含氧前驱物和含碳前驱物在低于约650℃的温度下进行热反应。所述方法可以包括在基板上形成含硅氧碳层。
掺杂氧化沉积

[发明专利]低温石墨烯生长-CN202280013270.9在审
发明人：王佳良;S·S·罗伊;A·B·玛里克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：半导体处理的示例性方法可包括将含碳前驱物与含氢前驱物递送至半导体处理腔室的处理区。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区内产生含碳前驱物与含氢前驱物的等离子体。所述方法可包括在定位在半导体处理腔室的处理区内的基板上形成石墨烯层。基板可维持在低于或约600℃的温度。所述方法可包括在以含氢前驱物维持等离子体的同时，停止含碳前驱物的流动。
低温石墨生长

[发明专利]低k碳氮化硼膜-CN202280013114.2在审
发明人：沈泽清;戚波;A·B·玛里克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硼和碳和氮的前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括生成含硼和碳和氮的前驱物的电容耦合等离子体。所述方法可包括在基板上形成含硼和碳和氮的层。所述含硼和碳和氮的层可由低于3.5或约为3.5的介电常数表征。
氮化

[发明专利]具有气体分布及单独泵送的批量固化腔室-CN201911127078.9有效
发明人： A·可罕;S·文卡特拉曼;J·D·平森三世;J-G·杨;N·K·英格尔;梁奇伟 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。
具有气体分布单独批量固化

[发明专利]等离子体蚀刻工艺中使用涂布部件的工艺裕度扩充-CN201880051161.X有效
发明人： D·杨;陈天发;P·希尔曼;L·朱;N·K·英格尔;D·卢博米尔斯基;C·斯纳迪加尔;M·夏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本技术的实施例可包括一种蚀刻方法。该方法可包括在腔室的第一部分中混合等离子体流出物与气体以形成第一混合物。该方法也可包括在腔室的第二部分中使第一混合物流到基板。第一部分和第二部分可包括镀镍材料。该方法可进一步包括使第一混合物与基板反应以相对于第二层选择性蚀刻第一层。此外，该方法可包括形成第二混合物，该第二混合物包括来自第一混合物与基板反应的产物。
等离子体蚀刻工艺使用部件扩充

[发明专利]针对锗的扩散阻挡层-CN202180055191.X在审
发明人：王慧圆;S·S·罗伊;T·越泽;戚波;A·B·玛里克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本技术的示例包括用于在半导体结构中形成针对锗的扩散阻挡层的半导体处理方法。所述方法可包括从多对Si与SiGe层形成半导体层堆叠。可通过形成硅层，然后形成硅层的锗阻挡层来形成Si与SiGe层对。在一些实施例中，锗阻挡层可以是小于或约硅锗层可形成在锗阻挡层上，以完成Si与SiGe层对的形成。在一些实施例中，硅层可以是非晶硅层，而SiGe层可特征在于大于或约5原子％的锗。本技术的示例还包括半导体结构，所述半导体结构包括硅锗层、锗阻挡层和硅层。
针对扩散阻挡

[发明专利]组合处理腔室和处置腔室-CN201910130024.1有效
发明人：王安川;X·陈;Z·李;H·哈玛纳;Z·陈;C-M·徐;J·黄;N·K·英格尔;D·卢博米尔斯基;S·文卡特拉马;R·撒库尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。
组合处理处置

[发明专利]无氢二氧化硅-CN202180024620.7在审
发明人：沈泽清;戚波;A·B·玛里克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-02-11 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文公开无氢(低H)二氧化硅层。一些实施例提供用于使用无氢的硅前驱物和无氢的氧源来形成低H层的方法。一些实施例提供用于调节低H二氧化硅膜的应力轮廓的方法。进一步，本公开内容的一些实施例提供在退火之后展现减少的堆叠弓曲的氧化物氮化物堆叠。
二氧化硅

[发明专利]清洁高深宽比通孔-CN201680023572.9有效
发明人：刘杰;S·朴;A·王;Z·崔;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：描述了一种自通孔移除非晶硅/氧化硅膜堆叠的方法。该方法可涉及包含氟的远程等离子体及包含氟及远程等离子体中未激发的含氮与氢的前驱物的局部等离子体以移除氧化硅。该方法可随后涉及惰性物种的局部等离子体以潜在地移除任何薄碳层(光阻剂的残留物)并且处理非晶硅层，以为移除作准备。该方法可随后涉及利用相同基板处理区域内可能的若干选项移除经处理的非晶硅层。通孔的底部可随后具有已暴露的单晶硅，此已暴露的单晶硅有益于外延单晶硅膜生长。本文所呈现的方法可特别适用于三维NAND(例如，VNAND)装置形成。
清洁高深

[发明专利]使用远程等离子体CVD技术的低温氮化硅膜-CN201480057976.0有效
发明人： A·查特吉;A·B·玛里克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明的实施例总体上提供用于在基板上形成氮化硅层的方法。在一个实施例中，公开了一种用于在低于300摄氏度的温度下，使用远程等离子体化学气相沉积(CVD)来形成氮化硅层的方法。用于远程等离子体CVD工艺的前体可包括：三(二甲胺基)硅烷(TRIS)、二氯硅烷(DCS)、三硅烷胺(TSA)、双叔丁基胺基硅烷(BTBAS)、六氯二硅烷(HCDS)或六甲基环三硅氮烷(HMCTZ)。
使用远程等离子体 cvd 技术低温氮化

[发明专利]使用多个流动途径的自由基化学调制及控制-CN202010304638.X在审
发明人： N·K·英格尔;A·王;X·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明描述了关于半导体处理腔室的系统及方法。示例性腔室可包括与腔室的第一出入口流体耦接的第一远端等离子体系统，及与腔室的第二出入口流体耦接的第二远端等离子体系统。系统亦可包括腔室中的气体分配组件，该气体分配组件可经配置以输送第一前驱物及第二前驱物两者进入腔室的处理区域内，同时保持第一前驱物及第二前驱物彼此流体隔离，直至该等前驱物经输送进入腔室的处理区域内为止。
使用流动途径自由基化学调制控制

[发明专利]具有气体分布及单独泵送的批量固化腔室-CN201580025098.9有效
发明人： A·可罕;S·文卡特拉曼;J·D·平森三世;J-G·杨;N·K·英格尔;梁奇伟 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。
具有气体分布单独批量固化

[发明专利]评估等离子体处理装备中内表面调节的系统与方法-CN201580055951.1有效
发明人： S·朴;Y·朱;E·C·苏亚雷斯;N·K·英格尔;D·卢博米尔斯基;J·黄 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在实施例中，一种等离子体源包括：第一电极，配置成用于移送一种或更多种等离子体源气体通过所述第一电极中的第一穿孔；绝缘体，设置成绕所述第一电极的外周与所述第一电极接触；以及第二电极，设置成使所述第二电极的外周抵靠所述绝缘体，使得所述第一和第二电极以及所述绝缘体界定等离子体生成腔。所述第二电极配置成用于使来自所述等离子体生成腔的等离子体产物移动通过所述第二电极而前往工艺腔室。电源跨所述第一和第二电极提供电功率以在所述等离子体生成腔中利用所述一种或更多种等离子体源气体点燃等离子体，从而产生所述等离子体产物。所述第一电极、所述第二电极和所述绝缘体中的一者包括端口，所述端口提供来自所述等离子体的光学信号。
评估等离子体处理装备表面调节系统方法

[发明专利]氮化硅的选择性蚀刻-CN201480050763.5有效
发明人： Z·陈;Z·李;A·王;N·K·英格尔;S·文卡特拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与经图案化的异质结构反应，以便选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地去除硅(诸如，多晶硅)。氮化硅的选择性部分地源于使用相异的(但可能重叠的)等离子体路径而引入含氟前体以及含氮和氧的前体，所述相异的等离子体路径可以是串联的或并联的。
氮化选择性蚀刻

[发明专利]硅-碳-氮化物的选择性蚀刻-CN201380048686.5有效
发明人：陈智君;张景春;王安川;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：兹描述蚀刻图案化异质结构上曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳材料的方法，该方法包括由含氟前驱物和含氧前驱物形成的远程等离子体蚀刻。来自远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在基板处理区域该等离子体流出物与含‑硅‑氮‑和‑碳材料的曝露区域反应。该等离子体流出物与该图案化异质结构反应，以选择性地从该曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳材料区域去除含‑硅‑氮‑和‑碳材料，同时非常缓慢地去除选定的其他曝露材料。该含‑硅‑氮‑和‑碳材料的选择性部分是由位于远程等离子体和基板处理区域之间的离子抑制元件的存在所致。该离子抑制元件控制到达基板的离子性带电物种的数量。可以使用该方法来以比曝露的氧化硅或曝露的氮化硅更快的速率选择性地去除含‑硅‑氮‑和‑碳材料。
碳材料曝露等离子体远程等离子体基板处理离子抑制异质结构流出物前驱物去除蚀刻选择性蚀刻碳-氮化物流出物流区域去除蚀刻图案速率选择元件控制氮化硅离子性图案化氧化硅带电含氟含氧基板物种

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