“N·K·英格尔”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果42个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]通过自由基成分化学气相沉积的共形层-CN201180018779.4无效
发明人：梁璟梅;X·陈;D·李;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-02-10 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：描述了用以由无碳的硅与氮的前驱物与自由基-氮的前驱物形成含有硅与氮的共形介电层(例如，硅-氮-氢(Si-N-H)膜)的方法、材料以及系统。无碳的硅与氮的前驱物主要藉由接触自由基-氮的前驱物而激发。因为硅与氮的膜在无碳情况下形成，因此可在较少孔形成以及较低体积收缩率下完成膜至硬化的氧化硅的转化。可将经沉积的含硅与氮的膜完全或部分转化为氧化硅，所述氧化硅容许共形介电层的光学特性成为可选择的。可在低温下进行含硅与氮的薄膜的沉积，以在基板沟槽中形成衬垫层。已发现低温衬垫层来增进湿润特性，并且所述低温衬垫层容许可流动的膜更完整地填充沟槽。
通过自由基成分化学沉积共形层

[发明专利]使用氧化物衬垫的可流动电介质-CN201080063586.6无效
发明人：梁璟梅;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明描述形成氧化硅层的方法。本方法包括以下步骤：将不含碳的含硅前驱物与氮自由基前驱物进行混合，以及在基板上沉积含硅及氮的层。通过使含氢及氮的前驱物流至等离子体中，在等离子体中形成氮自由基前驱物。在沉积含硅及氮的层之前，形成氧化硅衬垫层以改良含硅及氮的层的粘附性、平滑性及可流动性。含硅及氮的层可通过固化及退火所述膜而转化为含硅及氧的层。本方法还包括在施加旋涂式含硅材料之前形成二氧化硅衬垫层。
使用氧化物衬垫流动电介质

[发明专利]自由基成分CVD的原位臭氧固化-CN201080062197.1无效
发明人：王琳林;A·B·马利克;N·K·英格尔;S·文卡特拉马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本案描述用以形成介电层的方法。所述方法包含混合含硅前驱物及等离子体流出物的步骤，以及在基板上沉积含硅及氮的层的步骤。通过在用来沉积所述含硅及氮的层的同一基板处理区域内在含臭氧气氛中进行固化，使所述含硅及氮的层转化成含硅及氧的层。可在所述含硅及氧的层上沉积另一含硅及氮的层，并且所述层堆叠可在臭氧中再次固化，皆无需从所述基板处理区域中移除所述基板。待完成整数倍的沉积-固化循环之后，可在含氧环境中在较高温度下退火以进行所述含硅及氧的层堆叠的转化。
自由基成分 cvd 原位臭氧固化

[发明专利]以可变的氮/氢比所制造的自由基来生长介电薄膜的方法-CN201080059994.4无效
发明人：梁璟梅;X·陈;M·L·米勒;N·K·英格尔;S·文卡特拉马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明描述形成介电层的方法。本方法可包括以下步骤：混合含硅前驱物与氮自由基前驱物，以及沉积介电层至基板上。氮自由基前驱物在远端等离子体中藉由将氢(H2)及氮(N2)流动至等离子体中以便允许调整氮/氢比例所形成。介电层起初为含硅及氮层，所述含硅及氮层可藉由在含氧环境中固化和/或退火薄膜而转化为含硅及氧层。
可变制造自由基生长薄膜方法

[发明专利]不含碳自由基成分CVD膜的氧掺杂-CN201080057867.0无效
发明人： N·K·英格尔;A·B·马利克;E·O·索利斯;N·科瓦斯基;O·柳比莫瓦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：描述形成氧化硅层的方法。方法包括将自由基前体与自由基氧前体两者同时与不含碳的含硅前体结合的步骤。自由基前体与含硅前体之一包含氮。方法造成沉积含硅-氧-与-氮层于基板上。接着提高含硅-氧-与-氮层的氧含量以形成可能含有非常少量氮的氧化硅层。可在不同等离子体或相同等离子体中产生自由基氧前体与自由基前体。通过在含氧气氛存在下退火层而引起氧含量的提高，并通过在惰性环境中将温度提至更高而进一步提高薄膜的密度。
不含碳自由基成分 cvd 掺杂

[发明专利]在流动式CVD工艺所形成的介电材料上进行的湿法氧化工艺-CN201080055791.8无效
发明人： L·王;A·B·马利克;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：提供在含硅介电材料上进行湿法氧化工艺的方法，该含硅介电材料填充在基板内所界定的沟槽或孔洞内。在一实施例中，在基板上形成介电材料的方法包括藉由流动式CVD工艺在基板上形成介电材料、固化设置在基板上的介电材料、在设置在基板上的介电材料上进行湿法氧化工艺，以及在基板上形成经氧化介电材料。
流动 cvd 工艺形成材料进行湿法氧化

[发明专利]使用非碳可流动CVD处理形成氧化硅-CN201080040606.8无效
发明人： J·梁;N·K·英格尔;S·文卡特拉马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：揭示了一种形成氧化硅层的方法。该方法可包含下列步骤：混合一种无碳的含硅与氮前驱物及自由基前驱物，并沉积一种含硅与氮层于基材上。接着将含硅与氮层转变为氧化硅层。
使用非碳可流动 cvd 处理形成氧化

[发明专利]使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积-CN201010169884.5无效
发明人： N·K·英格尔;Z·袁;P·基;K·萨普瑞 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文描述沉积氧化硅层于基材上的方法。该方法可包括提供基材至沉积室、在沉积室外产生氧原子前驱物以及将氧原子前驱物引至沉积室中的多个步骤。该方法亦可包括引进硅前驱物至沉积室中，其中硅前驱物和氧原子前驱物先在沉积室内混合。硅前驱物与氧原子前驱物反应而形成氧化硅层于基材上，所沉积的氧化硅层可经退火处理。本文亦描述用来沉积氧化硅层于基材上的系统。
使用前驱原子进行质量流体氧化物化学沉积

[发明专利]使膜层紧密及改善间隙填充效果的多步骤硬化膜层方法-CN200780012289.7无效
发明人： N·K·英格尔;袁正;V·班西亚;夏欣筠;H·J·L·福斯特纳;潘容 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明揭示一种将基材退火的方法，该基材具有含有介电质材料的沟渠，该介电质材料形成于该介电质材料与该基材之间的氮化硅层上，其中该方法包括：在包含有含氧气体的第一大气下，将该基材退火于约800℃或更高的第一温度；以及在缺乏氧的第二大气下，将该基材退火于约800-1400℃的第二温度。
使膜层紧密改善间隙填充效果步骤硬化方法

[发明专利]使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积-CN200780000130.3有效
发明人： N·K·英格尔;Z·袁;P·基;K·萨普瑞 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文描述沉积氧化硅层于基材上的方法。该方法可包括提供基材至沉积室、在沉积室外产生氧原子前驱物以及将氧原子前驱物引至沉积室中的多个步骤。该方法亦可包括引进硅前驱物至沉积室中，其中硅前驱物和氧原子前驱物先在沉积室内混合。硅前驱物与氧原子前驱物反应而形成氧化硅层于基材上，所沉积的氧化硅层可经退火处理。本文亦描述用来沉积氧化硅层于基材上的系统。
使用前驱原子进行质量流体氧化物化学沉积

[发明专利]气体分配喷头-CN02827497.0无效
发明人： K·亚纳基拉曼;N·K·英格尔;Z·袁;S·E·贾诺拉基斯 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2002-11-27 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于半导体制造工艺的气体分配喷头，其具有面板(316)，该面板具有细长狭缝或通道形式的气体出口(318B)。按照本发明的实施例，细长气体出口的使用显著减少沉积材料的不期望的斑点形成(spotting)和条纹形成(streaking)，其中喷头和晶片近距离间隔开。也公开了具有面板的喷头，而面板具有锥形轮廓，以减小在面板到晶片近间距下沉积材料的边缘厚度。
气体分配喷头

[发明专利]使用组合化学品原位清洗半导体制造装置的方法和系统-CN00811232.0无效
发明人： B·E·梅耶;R·H·查塔姆三世;N·K·英格尔;Z·袁 -专利权人： ASML美国公司
申请日： 2000-07-12 - 公布日： 2002-10-16 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：提供一种用于原位清洗半导体制造装置(10)的两步骤或者其组合的方法和系统。本发明在各步骤中利用两分开的含氟化学品,该步骤选择性针对去除不同类型的堆积于装置表面的淀积物。更具体地,粉末状和致密膜状固体淀积物,以及两者的组合,在室(12)表面和相关装置元件上堆积。这两种类型的淀积物通过本发明被选择性地去除掉。这种组合清洗步骤的选择性,得到了改善的清洗技术。在另一实施方案中,通过在分开的步骤中使用不同的化学品,并按不同所需序列进行实施该步骤,本发明的方法和系统提供了进行清洗室(12)和相关装置的方法。
使用组合化学品原位清洗半导体制造装置方法系统

首页
«上一页
1
2
3
共 42 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top