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[发明专利]在编程期间预充电之后利用选定字线电压的延迟斜升来减少干扰-CN201880062113.0有效
发明人： H-Y·陈;Y·董 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2018-09-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于减少存储器单元的热电子注入类型干扰的存储器装置和相关技术。在一种方法中，在预充电操作之后，包括选定字线(WLn)和WLn的一条或多条漏极侧字线的第一组相邻字线的电压在剩余字线的电压增加之后增加。在另一种方法中，在所述预充电操作之后，所述第一组相邻字线的所述电压分步增加，而所述剩余字线的所述电压连续增加。在另一种方法中，所述第一组相邻字线的所述电压从负电压增加，而所述剩余字线的所述电压从0V增加。在另一方面，可根据所述WLn在多层叠堆中的位置来实现干扰对策。
编程期间充电之后利用选定电压延迟斜升来减少干扰

[发明专利]用于存储器装置中的边缘数据字线的编程方案-CN202211448028.2在审
发明人： H-Y·陈;卢景煌 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于存储器装置中的边缘数据字线的编程方案。在编程操作期间，存储器装置中的控制逻辑使编程电压在脉冲持续时间周期内施加到存储器阵列的块的多个字线中的选定数据字线。所述控制逻辑进一步使第一通过电压在所述脉冲持续时间周期内施加到所述块的所述多个字线中的一或多个未选定数据字线，且使第二通过电压在所述脉冲持续时间周期的至少第一部分施加到所述块的所述多个字线的最后未选定数据字线，其中所述第二通过电压具有低于所述第一通过电压的量值。
用于存储器装置中的边缘数据编程方案

[发明专利]减少存储器设备的冷读取中的读取干扰的注入类型-CN201880070552.6有效
发明人： H-Y·陈;Y·董 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请公开一种用于在选定NAND串的读取操作期间优化未选定NAND串中的沟道升压电平的存储器设备和相关技术。跟踪电路跟踪一个块的未选定字线的浮动电压的指示符。例如，这可以包括跟踪自上一次感测操作以来的时间，以及确定是否在没有后续感测操作的情况下发生了通电事件。响应于读取命令，指示符用于设置读取操作中的参数，这可以减少干扰。这可以包括在未选定字线的电压的增加期间设置选择栅极电压脉冲的持续时间和/或幅值。控制栅极电压脉冲的持续时间和/或幅值也可以基于温度来设置。
减少存储器设备读取中的干扰注入类型

[发明专利]编程验证后通过修改两层堆叠体中接口处字线电压来减少编程干扰-CN201880062642.0有效
发明人： H-Y·陈;Y·董 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2018-09-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种用于减少对形成在两层堆叠体中的存储器单元的编程干扰的存储器设备以及相关联的技术，其中层之间接口处的存储器单元之间的距离增大。在编程循环中进行验证测试之后，与剩余存储器单元相比，使用不同定时来减小接口存储器单元的字线电压。在一方面，延迟开始减小接口存储器单元的字线电压。在另一方面，将接口存储器单元的字线电压减小到中间电平并保持一时间段，之后进一步减小。在另一方面，以较低速率减小接口存储器单元的字线电压。
编程验证通过修改堆叠接口处字线电压减少干扰

[发明专利]非选定子块源极线和位线进行预充电以减少读取干扰-CN202210862665.8在审
发明人：杨翔宇;H-Y·陈;卢景煌 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及非选定子块源极线和位线进行预充电以减少读取干扰。一种存储器装置，其包含：非选定子块，其包含位线；漏极选择(SGD)晶体管，其与位线耦合；源极电压线；源极选择(SGS)晶体管，其与源极电压耦合；以及字线，其与单元串的栅极耦合，单元串具有耦合在SGS/SGD晶体管之间的沟道。与非选定子块耦合的控制逻辑进行以下操作：在使多个字线从接地电压斜变到与非选定字线相关联的通过电压时，使SGD/SGS晶体管导通以准备读取操作；在使字线斜变时，通过将位线和源极电压线上的电压斜变到大于源极读取电压电平的目标电压来对沟道进行预充电；以及响应于字线达到通过电压，使SGD晶体管和SGS晶体管关断，以使沟道在读取操作期间预充电到目标电压。
选定子块源极线进行充电减少读取干扰

[发明专利]冷启动催化剂和其在排气系统中的用途-CN202211131732.5在审
发明人： H-Y·陈;R·R·拉什拉姆;刘东霞 -专利权人：庄信万丰股份有限公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B01J29/74 文献下载
摘要：公开了一种冷启动催化剂。所述冷启动催化剂是有效于在某个低温以下吸附NOx和烃(HC)和在高于所述低温的温度转化和释放吸附的NOx和HC的冷启动催化剂。所述冷启动催化剂包含分子筛催化剂和负载的铂族金属催化剂。所述分子筛催化剂基本上由贵金属和分子筛组成。所述负载的铂族金属催化剂包含一种或多种铂族金属和一种或多种无机氧化物载体。本发明还包括一种包括冷启动催化剂的排气系统，和一种利用冷启动催化剂来处理来自内燃机的废气的方法。
冷启动催化剂排气系统中的用途

[发明专利]用于处理废气的系统和方法-CN201580021472.8有效
发明人： G·R·钱德勒;H-Y·陈;J·E·考利尔;J·M·范德克;A·N·M·格林 -专利权人：庄信万丰股份有限公司
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B01D53/94 文献下载
摘要：提供了用于减少废气中的N2O排放物的方法，包括使包含NH3和入口NO浓度的废气与包含具有约3至约15的SAR并具有约1‑5重量％的经交换的过渡金属的小孔沸石的SCR催化剂组合物接触。
用于处理废气系统方法

[发明专利]包含CU-CHA的SCR催化剂-CN202111575895.8在审
发明人： J·M·范德克;A·里瓦斯-卡尔多纳;H-Y·陈 -专利权人：庄信万丰股份有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B01J29/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于NOx的SCR的铜‑CHA沸石催化剂。
包含 cu cha scr 催化剂

[发明专利]高二氧化硅Cu-CHA的混合模板的合成-CN201811355940.7有效
发明人： J·M·范德克;A·里瓦斯-卡多纳;H-Y·陈 -专利权人：庄信万丰股份有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B01J29/76 文献下载
摘要：公开了一种过渡金属CHA分子筛催化剂和混合模板合成过程。
二氧化硅 cu cha 混合模板合成

[发明专利]存储器子系统中的编程操作期间的预增压方案-CN202110703175.9在审
发明人： H-Y·陈;Y·董 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请涉及存储器子系统中的编程操作期间的预增压方案。存储器装置中的控制逻辑在存储器阵列上起始编程操作，所述编程操作包括在编程阶段之前发生的预增压阶段。所述控制逻辑致使在所述预增压阶段期间将第一正预增压电压施加到所述存储器阵列的数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一个耦合到所述数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元的相应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的选定字线。所述控制逻辑致使在所述预增压阶段期间将第二正预增压电压施加到所述数据块的第二多个字线，其中所述第二多个字线邻近于所述第一多个字线，其中所述第二多个字线中的每一个耦合到所述存储器单元串中的第二多个存储器单元的相应存储器单元，且其中所述第二正预增压电压具有比所述第一正预增压电压低的量值。所述控制逻辑进一步致使在所述预增压阶段期间在所述第一正预增压电压斜降到接地电压之前所述第二正预增压电压斜降到所述接地电压。
存储器子系统中的编程操作期间增压方案

[发明专利]在存储器子系统中的编程操作期间的经修改的接种方案-CN202110652279.1在审
发明人： H-Y·陈;Y·董 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及在存储器子系统中的编程操作期间的经修改的接种方案。存储器系统中的处理装置启动存储器装置上的编程操作，所述编程操作包括接种阶段。所述处理装置进一步使接种电压在所述编程操作的所述接种阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块中的存储器单元串，且使正电压在所述接种阶段期间被施加到所述数据块的第一多个字线。所述第一多个字线中的每一者耦合到所述串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选字线。
存储器子系统中的编程操作期间修改接种方案

[发明专利]存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复-CN202110654996.8在审
发明人： H-Y·陈;Y·董 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复。存储器装置中的控制逻辑在所述存储器装置上启动编程操作，所述编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段。所述控制逻辑进一步使负电压信号在所述编程操作的所述编程验证恢复阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一个耦合到所述数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所述所选择字线的一或多个数据字线。
存储器子系统具有减少编程干扰验证恢复

[发明专利]在存储器子系统中管理子块擦除操作-CN202011620943.6在审
发明人： K·C·卡瓦利普拉普;T·O·伊瓦萨基;E·E·于;H-Y·陈;徐昀飞 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本申请案涉及在存储器子系统中管理子块擦除操作。存储器系统中的处理装置接收擦除存储在存储器装置的数据块处的数据的擦除请求，所述擦除请求识别所述数据块的多个子块中用于擦除的选定子块，所述多个子块中的每一个包括选择栅极装置SGD及数据存储装置。对于所述多个子块中未选定用于擦除的每一子块，所述处理装置在所述相应子块的位线处施加输入电压，且向所述相应子块的多个字线施加多个栅极电压，所述多个字线耦合到所述SGD及所述数据存储装置，施加到所述多个字线中的连续字线的所述多个电压中的每一电压比施加到前一字线的前一电压小等于降压区间的量。
存储器子系统管理擦除操作

[发明专利]基于酚醛清漆/DNQ的化学增幅型光致抗蚀剂-CN201980034950.7在审
发明人： M·A·托克西;刘卫宏;T·工藤;H-Y·陈;J·殷 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G03F7/022 文献下载
摘要：本发明涉及抗蚀剂组合物，其包含聚合物组分、光致产酸剂组分(PAG)、光活性邻叠氮萘醌组分(PAC)、碱组分、溶剂组分和任选的杂环硫醇组分。所述聚合物组分是酚醛清漆衍生物，其包含具有游离酚羟基部分的酚醛清漆重复单元，和包含用酸可裂解的缩醛部分保护的酚羟基部分的酚醛清漆重复单元。所述缩醛部分选自单官能烷基缩醛部分，其保护包含酚醛清漆酚羟基部分的重复单元；缩醛，其包含用PAC部分官能化的部分，用来保护包含酚醛清漆酚羟基部分的重复单元；包含二官能缩醛的部分，其连接和保护两个含有酚醛清漆酚羟基部分的重复单元，在所述聚合物组分中在两个不同的聚合物链之间形成连接点；以及任何这三种类型的酸可裂解的缩醛部分的混合物。PAC组分选自所述缩醛，其包含用PAC部分官能化的部分，用来保护包含酚醛清漆酚羟基部分的重复单元；游离PAC组分和这两种类型的PAC组分的混合物。本发明还涉及在厚膜或薄膜光致抗蚀剂器件制造方法中使用本发明组合物的方法。
基于酚醛清漆 dnq 化学增幅型光致抗蚀剂

[发明专利]AEI沸石的合成-CN201410858464.6有效
发明人： A·里瓦斯-卡多纳;J·M·菲迪科;H-Y·陈 -专利权人：庄信万丰股份有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： B01J29/80 文献下载
摘要：公开了一种具有AEI骨架的过渡金属沸石，制备此种沸石的方法，以及其作为催化剂的使用。本发明的沸石材料包含AEI骨架和任选的ITE骨架，其可作为混合相材料和/或作为连生体，以及一种非骨架过渡金属。
aei 合成

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