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[发明专利]只读存储器的诊断和修复-CN202180092338.2在审
发明人： B·纳多-多西;尹钟信 -专利权人：西门子工业软件有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：一种测试电路，其被配置来测试和诊断只读存储器，所述测试电路包括：两个多输入特征寄存器，所述多输入特征寄存器被配置来生成两组特征，所述两组特征用于对读取所述只读存储器中存储的部分字或全部字的多次迭代；控制电路，其被配置成根据测试算法控制在所述迭代中的每次迭代期间两个多输入特征寄存器中的每一者从只读存储器的输出中的哪些输出接收针对每次读取操作的测试响应信号位；和故障元素位置确定器件，其被配置成基于所述两组特征与参考特征的比较结果，生成针对所述只读存储器的故障元素位置信号。
只读存储器诊断修复

[发明专利]一种企业级固态硬盘时延指标的测试方法及测试系统-CN202310934576.4在审
发明人：沈纪鹏;王建刚 -专利权人：江苏华存电子科技有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种企业级固态硬盘时延指标的测试方法及测试系统，其能够对企业级固态硬盘的各项时延指标进行标准化的测试并得到一个综合的时延指标图，用于判断企业级固态硬盘时延指标的分布规律，使得企业级固态硬盘的时延指标可视化，并且能够判断时延指标的稳定性。
一种企业级固态硬盘指标测试方法系统

[发明专利]基于校验复用的固态硬盘FTL方法、系统、设备及介质-CN202310486309.5在审
发明人：郑圣安;张婉茹;黄林鹏;孙鹏昊;惠一锋 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种基于校验复用的固态硬盘FTL方法、系统、设备及介质，包括：数据写入：步骤A1：计算数据的CRC16校验码，进行预去重；步骤A2：计算数据的SHA1‑256校验码，进行去重；步骤A3：如果发现重复，直接返回写入成功；否则进行步骤A4；步骤A4：对数据进行编码；步骤A5：将数据和其他信息一并写入SSD的NAND闪存中。数据读取：步骤B1：以一定闪存读取精度，从SSD的NAND闪存中读取数据以及其他信息。步骤B2：对数据进行解码，并使用CRC16校验码辅助解码。步骤B3：如果解码成功，返回数据给主机，读取成功；如果解码失败，提高闪存读取的精度，进行步骤B1；在解码次数超过一定次数后，返回读取失败。本发明能够降低数据读写延迟，增大全盘的读写带宽。
基于校验固态硬盘 ftl 方法系统设备介质

[发明专利]半导体存储器循环冗余校验装置及半导体存储器-CN201810371996.5有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体存储器的循环冗余校验装置及半导体存储器。循环冗余校验装置包括存储控制器，用于提供第一帧检查序列及第一数据块进行写入操作且产生第一校验读取命令；校验电路接收第一数据块被执行写入操作后传输至校验电路形成的第二数据块和第一帧检查序列，并产生循环冗余校验结果；输出控制电路用于根据第一校验读取命令和第一时钟信号分别生成输出指令和第二时钟信号；缓存电路用于根据输出指令输出循环冗余校验结果；输出电路用于接收第二时钟信号并根据第二时钟信号输出循环冗余校验结果，以使循环冗余校验结果从输出电路输出的时刻相对于第一校验读取命令延迟的时钟周期数为第一预设值，第一预设值为大于1的正整数。
半导体存储器循环冗余校验装置

[发明专利]解码方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置-CN201910098176.8有效
发明人：林玉祥;严绍维;杨政哲;赖国欣 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种解码方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。所述方法包括：配置多个读取电压类别，其中所述多个读取电压类别分别具有多个代表读取电压组；根据所述多个代表读取电压组读取第一物理程序化单元并执行解码操作以获得多个解码信息；根据所述多个解码信息选择第一读取电压类别；以及根据第一读取电压类别中的多个第一读取电压组读取所述第一物理程序化单元并执行所述解码操作。
解码方法存储器控制电路单元存储装置

[发明专利]一种基于数字电路控制的FeFET阵列数据校验方法-CN202310261551.2有效
发明人：闫力;任嵩楠;顾佳妮;胡塘;李相迪;郝春玲;刘志威 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于数字电路控制的FeFET阵列数据校验方法，该方法通过构建m*n个铁电晶体管FeFET组成的存储阵列及其外围电路铁电晶体管FeFET阵列，再根据权重数据存储缓存中的数据设计出校验码编码规则，然后利用数字电路完成校验码的生成及读写控制；实现计算前校验及测试阶段校验两种校验方式，以达到计算前快速校验及坏点确定的目标。本发明能够有效地降低存储在FeFET阵列中数据校验过程的数据读取时间、功耗和数据，将FeFET阵列存内计算的特性发挥出来。
一种基于数字电路控制 fefet 阵列数据校验方法

[发明专利]读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质-CN202211491412.0有效
发明人：彭永林;黎永健;王振彪 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本申请涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种读取芯片配置文件信息的方法、装置、设备及存储介质，该方法根据上电读取电压读取芯片中的配置区域中的校验码信息和配置文件信息，生成易失校验码信息和易失配置文件信息，校验码信息为二进制数据；根据易失校验码信息中0和/或1的数量调节上电读取电压，并根据调节后的上电读取电压重新读取芯片的配置区域，本申请根据易失校验码信息中0和1的数量即可定向调节上电读取电压的增大或减小，调节后重新对配置区域进行读取，最终读取到NorFLASH芯片中正确的配置文件信息。
读取芯片配置文件信息方法装置设备存储介质

[发明专利]一种用于生成NAND校验数据的XORE模块配置系统及方法-CN202310183339.9在审
发明人：唐汉钊;王运哲;粟汝发;王璞;徐源长;王宇 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本发明公开一种用于生成NAND校验数据的XORE模块配置系统及方法，配置系统包括NAND控制器、XORE模块以及仲裁模块，每个NAND控制器和XORE模块均分配一组ID号码，并且所有NAND控制器和XORE模块都连接至仲裁模块，系统工作时，通过ID号码绑定NAND控制器和XORE模块，使得NAND控制器的数据通过仲裁模块发送至对应ID号码的XORE模块来生成校验数据。每个XORE模块设置了两组相同的配置接口来接收NAND控制器发送的配置信息，当XORE通过接口1被启动时，接口2接收并缓存下一轮操作所需配置信息，本轮计算结束后，则立即开启下一轮工作。本发明在XORE数量有限的前提下，尽可能高效的实现校验信息的生成以及NAND数据的写入。
一种用于生成 nand 校验数据 xore 模块配置系统方法

[发明专利]非易失性存储器装置、其操作方法及数据存储装置-CN201811428995.6有效
发明人：金志烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本发明公开一种非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列；外围电路，被配置为对存储器单元阵列执行与从外部装置提供的命令相对应的操作；失败发生寄存器，被配置为存储用于故意引起操作失败发生的失败发生信息；以及控制逻辑，被配置为：基于从外部装置接收的失败发生命令，将失败发生信息存储在失败发生寄存器中；控制外围电路对存储器单元阵列执行与从外部装置接收的测试操作命令相对应的测试操作；以及控制外围电路基于失败发生信息在测试操作中引起故意失败发生。
非易失性存储器装置操作方法数据存储

[发明专利]存储系统以及存储系统的操作方法-CN202210712578.4在审
发明人：李圭慜;张仁钟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：存储系统包括：储存器件，其用于储存数据；系统存储器，在其中储存有正常固件以及调试固件；固件运行器，其用于运行正常固件或调试固件；以及控制器，其用于在由正常固件驱动存储系统的正常模式中控制储存器件。当在正常模式中检测到的错误是不可校正的时，控制器将储存在系统存储器中的调试固件上载到固件运行器，从而将正常模式改变为调试模式。固件运行器通过运行上载的调试固件对储存器件执行调试操作。
存储系统以及操作方法

[发明专利]一种存储设备的管理方法、系统及存储介质-CN202211570202.0在审
发明人：肖斌;陈国虎;陈娅娟;李海银 -专利权人：海纳云物联科技有限公司;青岛海纳云智能系统有限公司;青岛海纳云数字科技有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本申请涉及智慧安全领域，具体而言，涉及一种存储设备的管理方法、系统及存储介质，该存储设备的管理方法包括：所述存储设备的数据存储包括第一分区和第二分区，其中，第一分区和第二分区至少包含相同能让系统独立运行的数据,第一分区是主使用分区，第二分区是备份分区，通过CRC对第一分区的数据进行校验,得到第一校验码；响应于第一校验码与预设校验码不一致，则通过CRC对第二分区的数据进行校验，得到第二校验码；响应于第二校验码与预设校验码一致，则通过第二分区的数据对第一分区的数据进行数据修复，响应于数据修复成功，则根据第一分区的修复数据启动系统。本发明提供的方法可以减少由于分区异常导致无有效修复机制对系统启动的影响。
一种存储设备管理方法系统介质

[发明专利]测试芯片中SRAM模组可靠性的方法、装置、存储介质及芯片-CN202211492314.9在审
发明人：杨健明;陈焰强;刘浩;张静 -专利权人：珠海泰芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种测试芯片中SRAM模组可靠性的方法、装置、存储介质及芯片，涉及芯片测试领域。本申请利用汉明码编码规则和汉明码解码规则，对第一SRAM模组和第二SRAM模组中各个存储单元的可靠性测试，相对于现有技术中对芯片的SRAM模组每次对一个存储单元进行可靠性测试相比，本申请可以每次测试两个存储单元，从而提高测试效率和缩短测试时间。
测试芯片 sram 模组可靠性方法装置存储介质

[发明专利]使用解码数据的软位参考电平校准-CN202210133074.7在审
发明人： R·扎米尔;A·巴扎尔斯基;E·沙龙 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：本发明公开了非易失性存储器系统中的软位参考电平的校准。当要校准该软位参考电平时，从存储器单元的组读取编码数据。对该编码数据进行解码和错误校正。因此，复原编程到该存储器单元中的原始数据。在候选软位参考电平和可能的其他参考电平感测该存储器单元的该组。针对每个候选软位参考电平，确定原始编程数据与针对该候选软位参考电平的数据之间的互信息。该互信息用作该候选软位参考电平将有助于解码数据的程度的良好量度。在一个方面，选择数个候选中的具有最高互信息的软位参考电平作为校准的软位参考电平。
使用解码数据参考电平校准

[发明专利]在存储器装置中通过校正子计算进行错误校正-CN202210454032.3在审
发明人： M·N·凯纳克;P·R·哈亚特;S·帕塔萨拉蒂 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：描述在存储器装置中通过校正子计算进行错误校正的方法、系统和设备。在存储器装置中产生用于第一经编码数据的第一校正子。所述第一校正子和所述第一经编码数据发射到与所述存储器装置耦合的控制器。产生用于第一和第二经编码数据的第二校正子。所述第一经编码数据和所述第二经编码数据根据错误校正码相互关连。所述第二校正子发射到所述控制器但不发射所述第二经编码数据，且所述控制器将基于所述第一校正子、所述第二校正子或其组合中的至少一个将所述第一经编码数据解码。
存储器装置通过校正计算进行错误

[发明专利]用于NAND存储器编程的架构和方法-CN202210901444.7在审
发明人：万维俊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G11C29/38 文献下载
摘要：在一种对存储装置编程的方法当中，将禁止信息存储至第一锁存器和第二锁存器。将第一状态编程电压施加至存储器件的存储单元的数据线，从而将存储单元编程至第一状态。将第一状态验证电压施加至存储单元的数据线，从而对存储单元执行第一状态验证操作。第一状态验证操作基于第一目标值验证存储单元的第一状态阈值电压，并且还生成第一状态验证操作的失败模式数据。之后将失败模式数据存储至第二锁存器。此外，将第一电平经调整验证电压施加至第一电平验证操作失败了的一部分存储单元的数据线，从而执行第一电平经调整验证操作。
用于 nand 存储器编程架构方法

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