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[发明专利]具有最佳参考路径长度的光声气体传感器-CN201911212607.5有效
发明人： H·托伊斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本公开涉及具有最佳参考路径长度的光声气体传感器。例如，光声气体传感器可包括检测器部件。检测器部件包括限定参考体积的封装。参考体积容纳参考气体。检测器部件包括压力感测元件，以测量参考体积中的压力的量。参考体积中的压力的量取决于参考体积中的参考气体对光的波长的吸收。测量参考体积中的压力的量时的压力感测元件的灵敏度取决于与参考体积相关联的参考路径的长度。检测器部件包括参考路径结构，其使得参考路径的长度小于或等于0.5毫米。
具有最佳参考路径长度声气传感器

[发明专利]具有连接在载体层级处的部件的封装-CN201810538202.X有效
发明人： K·埃利安;M·申德勒;V·施特鲁茨;H·托伊斯;M·韦伯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：公开了一种封装(100)，其包括具有容纳通孔(104)的载体(102)、至少部分布置于容纳通孔(104)内的部件(106)、以及连接载体(102)与部件(106)的连接结构(108)。
具有连接载体层级部件封装

[发明专利]超声换能器-CN202310344890.7在审
发明人： K·伊利安;M·埃贝尔;H·托伊斯;R·M·沙勒;F·梅宝勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B06B1/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种超声换能器。提出一种超声换能器(910)，具有：至少一个超声换能器元件；至少一个半导体芯片(911)，其中半导体芯片(911)具有超声换能器元件；至少一个壳体(912)，其中半导体芯片(911)布置在壳体(912)中，其中半导体芯片(911)嵌入形状稳定的包封体(913)中，其中包封体(913)的接触面(914)设置用于将超声换能器(910)声耦合到面板(920)。还提出了一种超声换能器系统和一种用于安装超声换能器或超声换能器系统的方法。
超声换能器

[发明专利]模制引线框传感器封装-CN201911133019.2有效
发明人： J·丹格尔迈尔;M·辛德勒;H·托伊斯;M·瓦佩尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开的实施例总体上涉及模制引线框传感器封装。提供的示例涉及传感器封装的模制引线框。示例传感器封装可以包括：模制引线框，包括位于模制引线框中的开口，其中开口从模制引线框的安装侧延伸到模制引线框的芯片侧，其中模制引线框的芯片侧与安装侧相对；以及传感器，安装至模制引线框的芯片侧。
引线传感器封装

[发明专利]半导体元件和用于制造半导体元件的方法-CN201811158550.0有效
发明人： M·瓦佩尔;B·克诺特;H·托伊斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提出了一种制造半导体元件的方法。该方法包括提供壳体。至少一个半导体芯片布置在壳体的空腔中。此外，半导体芯片的电触点通过接合线连接到壳体的电触点。该方法还包括将保护材料施加到半导体芯片的电触点以及接合线与半导体芯片的电触点的邻接区域，和/或施加到壳体的电触点以及接合线与壳体的电触点的邻接区域。此外，该方法还包括用凝胶填充空腔的至少一个子区域。
半导体元件用于制造方法

[发明专利]传感器装置、所属的制造方法和用于确定测量电流的方法-CN202211466052.9在审
发明人： H·托伊斯;R·沙勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：传感器装置包括具有第一传感器元件的第一磁场传感器芯片，其第一磁场传感器芯片被设计成参考第一灵敏度方向检测在第一传感器元件位置处的第一磁场的第一分量。传感器装置还包括与第一磁场传感器芯片分离的、具有第二传感器元件的第二磁场传感器芯片，其中第二磁场传感器芯片被设计成参考第一灵敏度方向检测在所述第二传感器元件位置处的第二磁场的第一分量。传感器装置还包括电流导体，其被设计用于引导测量电流，其中通过测量电流在两个传感器元件的位置处感应出磁场。两个磁场传感器芯片和电流导体相对于彼此布置成使得均匀的杂散磁场对两个所检测的第一分量的影响在两个所检测的第一分量的差形成或和形成时被补偿。
传感器装置所属制造方法用于确定测量电流

[发明专利]改进的应力去耦微机电系统传感器-CN201910575373.4有效
发明人： H·托伊斯;T·考茨施;S·比塞尔特;H·弗雷利施;M·豪博尔德;B·克诺特;W·朗海因里希;A·罗特;M·施特格曼;M·福格特 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本公开涉及改进的应力去耦微机电系统传感器。例如，一种半导体器件可包括应力去耦结构以至少部分地去耦半导体器件的第一区域和半导体器件的第二区域。应力去耦结构可包括基本垂直于半导体器件的主表面的沟槽集合。第一区域可包括微机电(MEMS)结构。半导体器件可包括密封元件以至少部分地密封应力去耦结构的开口。
改进应力微机系统传感器

[发明专利]射频器件和用于制造射频器件的方法-CN202210092263.4在审
发明人： W·哈特纳;K·埃利安;T·厄尔德埃尔;C·盖斯勒;B·里德;R·M·沙勒;H·托伊斯;M·沃杰诺维斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01P1/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及射频器件和用于制造射频器件的方法。一种射频器件，包括印刷电路板和安装在印刷电路板上带有射频芯片和射频辐射元件的射频封装。射频器件还包括具有波导的波导部件，其中射频辐射元件被设计为将发送信号辐射到波导中、和/或通过波导接收接收信号。射频器件还包括布置在射频封装的第一侧与波导部件的第二侧之间的间隙和屏蔽结构，该屏蔽结构被设计为：在垂直于射频封装的第一侧的第一方向上允许射频封装与波导部件之间的相对运动，并且屏蔽发送信号和/或接收信号，使得信号通过间隙的传播被减弱或阻止。
射频器件用于制造方法

[发明专利]多用途非线性半导体封装体装配线-CN202111665279.1在审
发明人： S·布拉德尔;A·海因里希;T·迈尔;S·米特哈纳;G·奥夫纳;P·舍尔;H·托伊斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种生产封装半导体装置的方法包括提供第一封装衬底面板。提供第二封装衬底面板。第一和第二封装衬底面板使用控制机构移动通过包括多个封装体装配工具的装配线。第一类型封装半导体装置形成在第一封装衬底面板上，第二类型封装半导体装置形成在第二封装衬底面板上。第二类型封装半导体装置与第一类型封装半导体装置不同。控制机构以非线性方式使第一和第二封装衬底面板移动通过装配线。
多用途非线性半导体封装装配线

[发明专利]光声传感器和所属的制造方法-CN202111008989.7在审
发明人： H·托伊斯;R·M·沙勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01D11/30 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及光声传感器和所属的制造方法。一种光声传感器包括：具有光学MEMS发射器的第一层；堆叠在第一层之上的第二层，其具有MEMS压力传感器和透光窗口，其中MEMS压力传感器和透光窗口彼此横向偏移地布置；以及堆叠在第二层之上的第三层，其具有用于参考气体的腔体。光学MEMS发射器被设计为沿着光路传输光辐射，其中光路延伸穿过透光窗口和用于参考气体的腔体，并且其中MEMS压力传感器布置在光路的延伸路线之外。
传感器所属制造方法

[发明专利]多用途非线性半导体封装体装配线-CN201710929897.X有效
发明人： S·布拉德尔;A·海因里希;T·迈尔;S·米特哈纳;G·奥夫纳;P·舍尔;H·托伊斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种生产封装半导体装置的方法包括提供第一封装衬底面板。提供第二封装衬底面板。第一和第二封装衬底面板使用控制机构移动通过包括多个封装体装配工具的装配线。第一类型封装半导体装置形成在第一封装衬底面板上，第二类型封装半导体装置形成在第二封装衬底面板上。第二类型封装半导体装置与第一类型封装半导体装置不同。控制机构以非线性方式使第一和第二封装衬底面板移动通过装配线。
多用途非线性半导体封装装配线

[发明专利]具有传感器和MEMS麦克风的传感器装置及所属方法-CN202110612755.7在审
发明人： R·M·沙勒;H·托伊斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B60R21/0136 文献下载
摘要：本公开的实施方式涉及具有传感器和MEMS麦克风的传感器装置及所属方法。一种传感器装置包括传感器，该传感器被设计为采集通过碰撞事件产生的物理参量并产生基于碰撞事件的第一测量数据。传感器装置还包括MEMS麦克风，其被设计为采集通过碰撞事件产生的声波并产生基于碰撞事件的第二测量数据。传感器装置被设计为将第一测量数据和第二测量数据提供给逻辑单元。逻辑单元被设计为基于第一测量数据和第二测量数据的组合来检测碰撞事件。
具有传感器 mems 麦克风装置所属方法

[发明专利]具有透气罩的传感器装置及所属的制造方法-CN202110294766.5在审
发明人： R·M·沙勒;K·伊利安;H·托伊斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有透气罩的传感器装置及所属的制造方法。传感器装置包括具有MEMS结构的传感器芯片以及透气罩，其中MEMS结构布置在传感器芯片的主表面处，透气罩布置在传感器芯片的主表面上方，透气罩覆盖MEMS结构并在MEMS结构上方形成空腔。
具有透气传感器装置所属制造方法

[发明专利]封装的半导体器件和制作封装的半导体器件的方法-CN202110367208.7在审
发明人： H·托伊斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种用于制作封装的半导体器件的方法包括：提供多个半导体裸片，所述半导体裸片被以阵列的形式布置在载体上，使得所述半导体裸片的第一侧面对载体，并且使得在每个半导体裸片的侧旁布置有空的空间；将包括多个导电元件的衬底布置在所述多个半导体裸片之上，使得导电元件被布置在每个半导体裸片旁边的相应的空的空间中；在所述多个半导体裸片之上模制，以形成模制体；以及通过切穿模制体将封装的半导体器件从模制体单个化分割。
封装半导体器件制作方法

[发明专利]MEMS声学换能器元件和制造MEMS声学换能器元件的方法-CN201810307956.4有效
发明人： M·施泰尔特;H·托伊斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种MEMS声学换能器元件(100)以及一种用于制造这样的MEMS声学换能器元件(100)的方法，其中，所述方法还包括提供第一衬底(200)，其中所述第一衬底(200)具有第一衬底侧(201)、对置的第二衬底侧(202)和布置在所述第一衬底侧(201)上的膜层(203)。另外的方法步骤包括：从所述第二衬底侧(202)起，在对置于所述膜层(203)的第一面部段(221)中实施第一蚀刻，直到第一深度(d1)，另外的方法步骤包括：从所述第二衬底侧(202)起，在大于所述第一面部段(221)并且包括所述第一面部段(221)的第二面部段(222)中实施第二蚀刻，以便在所述第一面部段(221)中暴露所述膜层(203)并且为所述膜层(203)产生背部容积。
mems 声学换能器元件制造方法

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