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[发明专利]具有高频线元件的半导体装置和相应的制造方法-CN201811574662.4有效
发明人： W·哈特纳;C·盖斯勒;T·基尔格;J·洛德迈耶;F-X·米尔鲍尔;M·R·涅斯纳;C·韦希特尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。
具有高频元件半导体装置相应制造方法

[发明专利]射频器件和用于制造射频器件的方法-CN202210092263.4在审
发明人： W·哈特纳;K·埃利安;T·厄尔德埃尔;C·盖斯勒;B·里德;R·M·沙勒;H·托伊斯;M·沃杰诺维斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01P1/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及射频器件和用于制造射频器件的方法。一种射频器件，包括印刷电路板和安装在印刷电路板上带有射频芯片和射频辐射元件的射频封装。射频器件还包括具有波导的波导部件，其中射频辐射元件被设计为将发送信号辐射到波导中、和/或通过波导接收接收信号。射频器件还包括布置在射频封装的第一侧与波导部件的第二侧之间的间隙和屏蔽结构，该屏蔽结构被设计为：在垂直于射频封装的第一侧的第一方向上允许射频封装与波导部件之间的相对运动，并且屏蔽发送信号和/或接收信号，使得信号通过间隙的传播被减弱或阻止。
射频器件用于制造方法

[发明专利]具有热界面的电路装置-CN202111507035.0在审
发明人： R·黑尔维希;P·阿莫斯;W·哈特纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有热界面的电路装置。一种电路装置具有呈eWLB装置形式的芯片装置，芯片装置具有在一侧上焊接触点和在芯片装置背离焊接触点的一侧上的热界面，其被设计用于从半导体芯片散热。在示例中，热界面具有导热导电材料，其中在芯片装置的俯视图中，导热导电材料与芯片装置热接触的接触区域被限制在扇出区域上。在示例中，热界面具有至少一个高频吸收层，该高频吸收层被设计用于在半导体芯片的工作频率处吸收电磁辐射。
具有界面电路装置

[发明专利]包括衰减介电材料的高频器件-CN202111536097.4在审
发明人： P·布伦纳;W·哈特纳;J·W·凯萨;S·卡里姆 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种包括衰减介电材料的高频器件。一种器件包括高频芯片和布置在第一区域和第二区域之间的介电材料，第一区域辐射在1GHz和1THz之间的第一频率范围中的电磁干扰信号，第二区域接收电磁干扰信号。介电材料的衰减至少在第一频率范围的子范围内大于5dB/cm。
包括衰减材料高频器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111487320.0在审
发明人： W·哈特纳;F·阿尔乔尼;T·厄尔德埃尔;V·费奥雷;H·科尔曼;A·罗尼;E·斯塔瓦格纳;C·瓦格纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括布置在半导体芯片的主表面上的电接触件；外部连接元件，被配置为在半导体器件与印刷电路板之间提供第一电连接；以及电再分布层，在与半导体芯片的主表面平行的方向上延伸，并被配置为在半导体芯片的电接触件与外部连接元件之间提供第二电连接。电再分布层包括连接到地电位的地线以及被配置为承载具有波长的电信号的信号线。当在垂直于半导体芯片的主表面的方向上查看时：地线与信号线之间的间隙的宽度沿一路径连续小于波长的10％，且至少小于40微米，该路径的起点和半导体芯片的电接触件相对于从电接触件到外部连接元件的中心的方向具有相似的位置。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]射频装置和所属的制造方法-CN202110491460.9在审
发明人： W·哈特纳;B·里德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种射频装置和所属的制造方法。射频装置包括包封材料和嵌入包封材料中的射频芯片，其中射频芯片具有第一主面和第二主面。射频装置还包括布置在射频芯片的第一主面和包封材料之上的电再分配层以及在再分配层中形成的射频天线，该射频天线被设计为在从第二主面指向第一主面的方向上辐射信号和/或在从第一主面指向第二主面的方向上接收信号。射频装置还包括具有导电壁结构的微波部件，该微波部件布置在射频天线下方并且嵌入包封材料中。
射频装置所属制造方法

[发明专利]射频装置和所属的制造方法-CN202110955546.2在审
发明人： W·哈特纳;B·里德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种射频装置和所属的制造方法。一种射频装置，包括电路板和在电路板上安装在第一安装点处的射频封装，射频封装带有射频芯片和射频辐射元件，其中电路板至少在包括第一安装点的第一部段中具有第一弹性。射频装置还包括在电路板上安装在第二安装点处的带有波导的波导部件，其中射频辐射元件被设计成将信号辐射到波导中和/或经由波导接收信号。电路板至少在第一安装点与第二安装点之间的弹性提高的第二部段中具有第二弹性，第二弹性高于第一弹性。
射频装置所属制造方法

[发明专利]具有非电连接的半导体装置-CN202010266528.9在审
发明人： W·哈特纳;F·阿尔乔尼;B·赫勒;M·R·涅斯纳;C·韦希特尔;M·沃杰诺维斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置。该半导体装置包括：具有高频电路和高频端子的半导体芯片；外部高频端子；以及布置在半导体芯片的高频端子与外部高频端子之间的非电连接，其中该非电连接被设计为传输高频信号。
具有连接半导体装置

[发明专利]具有塑料波导的半导体封装-CN201910620076.7在审
发明人： M·沃杰诺维斯基;D·哈默施密特;W·哈特纳;J·洛德迈耶;C·马里奥蒂;T·迈尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本公开涉及具有塑料波导的半导体封装。例如，一种半导体装置，包括集成电路(IC)封装和塑料波导。IC封装包括：半导体芯片；以及嵌入式天线，形成在耦合至半导体芯片的再分配层(RDL)内，其中RDL被配置为在半导体芯片和嵌入式天线之间传输射频(RF)信号。塑料波导附接至IC封装，并且被配置为在嵌入式天线和IC封装的外侧之间传输RF信号。
半导体芯片嵌入式天线波导塑料半导体封装半导体装置传输射频再分配层耦合附接配置封装集成电路传输

[发明专利]具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法-CN201910596692.3在审
发明人： C·盖斯勒;W·哈特纳;C·韦希特尔;M·沃杰诺维斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法，方法包括提供至少一个半导体组件，其中至少一个半导体组件中的每个包括：半导体芯片，其中半导体芯片包括第一主表面和与第一主表面相对置的第二主表面，和布置在半导体芯片的相对置的第二主表面上的牺牲材料。该方法还包括用包封材料包封至少一个半导体组件。该方法还包括去除牺牲材料，其中在至少一个半导体芯片中的每个上形成包封材料中的凹部。该方法还包括将至少一个盖布置在至少一个凹部上，其中通过至少一个凹部和至少一个盖在至少一个半导体芯片的每个上形成封闭空腔。
半导体芯片主表面凹部半导体组件包封材料牺牲材料半导体装置封闭空腔包封去除制造

[发明专利]微波芯片封装器件-CN201510474094.0有效
发明人： E·泽勒;M·沃杰诺维斯基;W·哈特纳;J·伯伊克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供了微波芯片封装器件。一种微波器件包括：包括微波半导体芯片的半导体封装和与半导体封装相关联的波导部分。波导部分被配置成传递微波波导信号。波导部分包括一个或多个块。微波器件进一步包括被配置成将来自微波半导体芯片的微波信号变换成微波波导信号或将微波波导信号变换成用于微波半导体芯片的微波信号的变换器元件。
微波芯片封装器件

[发明专利]具有集成天线的半导体封装及其形成方法-CN201310643238.1有效
发明人： G·比尔;O·盖特纳;W·哈特纳;M·波尔穆萨维;K·普雷泽尔;M·沃伊诺夫斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及具有集成天线的半导体封装及其形成方法。在本发明的一个实施例中，半导体封装包括具有第一主表面和相对的第二主表面的衬底。芯片设置在该衬底中。该芯片包括在该第一主表面的多个接触焊盘。第一天线结构设置在该第一主表面。反射器设置在该第二表面。
具有集成天线半导体封装及其形成方法

[发明专利]嵌入式芯片封装及用于制造嵌入式芯片封装的方法-CN201310716999.5有效
发明人： G·比尔;W·哈特纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及嵌入式芯片封装及用于制造嵌入式芯片封装的方法。提供了用于制造嵌入式芯片封装的方法。所述方法可以包括在衬底上方形成导电线；将所述衬底放置得紧邻包括芯片的芯片装置，所述芯片包括一个或多个接触焊盘，其中一个或多个导电线被布置为接近于所述芯片的侧壁；以及在所述芯片装置上方形成一个或多个电互连，以将至少一个导电线电连接至至少一个接触焊盘。
嵌入式芯片封装用于制造方法

[发明专利]芯片封装件和用于制造芯片封装件的方法-CN201310334968.3有效
发明人：奥特马尔·盖特纳;米夏埃尔·鲍尔;W·哈特纳;安德烈亚斯·施蒂克于尔根;乌尔里希·瓦赫特;玛齐·沃伊诺夫斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片封装件和用于制造芯片封装件的方法，该芯片封装件包括芯片，包括在芯片正面上形成的至少一个接触焊垫；密封材料，至少部分围绕所述芯片和覆盖所述至少一个接触焊垫；以及至少一个电气互连件，穿过所述密封材料形成，其中，所述至少一个电气互连件被配置为将所述至少一个接触焊垫从在所述芯片正面处的芯片封装件第一面电重定向到在芯片背面处的芯片封装件第二面上方形成的至少一个焊接结构。
芯片封装用于制造方法

[发明专利]无线通信系统、雷达系统和用于确定物体位置信息的方法-CN201410784317.9在审
发明人： J·伯伊克;R·拉赫纳;M·沃杰诺维斯基;W·哈特纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： G01S13/02 文献下载
摘要：一种无线通信系统包括第一半导体模块和第二半导体模块。该第一半导体模块包括被连接至天线结构的半导体裸片。该第一半导体模块的半导体裸片和该第一半导体模块的天线结构被布置在共同封装之内。该第一半导体模块的半导体裸片包括发射器模块，该发射器模块被配置为通过第一半导体模块的天线结构发射无线通信信号。第二半导体模块包括连接至天线结构的半导体裸片。第二半导体模块的半导体裸片包括接收器模块，该接收器模块被指为通过第二半导体模块的天线结构从第一半导体模块接收无线通信信号。
无线通信系统雷达用于确定物体位置信息方法

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