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[发明专利]具有集成缓冲器电路的超结MOSFET-CN202010068087.1在审
发明人： G·H·罗切尔特;J·罗伊格-吉塔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明题为“具有集成缓冲器电路的超结MOSFET”。本文所公开的实施方案的系统和方法包括半导体器件，该半导体器件包括具有栅极结构的N掺杂柱，该栅极结构被配置为响应于栅极电压信号来控制漏极和源极之间的信号。半导体器件还可以包括具有电容性结构的P掺杂柱。电容性结构将P掺杂柱电容耦接到栅极结构以减少栅极电压信号中的振铃。
具有集成缓冲器电路 mosfet

[发明专利]窄台面超结MOSFET-CN201910861287.X在审
发明人： G·H·罗切尔特;G·M·格里弗纳;J·李;M·高;Y·蔡 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明题为“窄台面超结MOSFET”。本发明提供了一种晶体管器件，该晶体管器件包括在基板上形成超结结构的n掺杂立柱和p掺杂立柱。隔离结构设置在n掺杂立柱和p掺杂立柱之间的沟槽中，并且源极和栅极设置在n掺杂立柱上。该隔离结构可以包括由氧化物插塞封闭在沟槽中的空气间隙。该隔离结构可以包括设置在n掺杂立柱和p掺杂立柱的表面上的外延衬件。
台面 mosfet

[实用新型]电路和电子设备-CN201821101847.9有效
发明人： G·H·罗切尔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及电路和电子设备。本公开涉及一种电路和一种电子设备。所述电路可包括具有主体、漏极、栅极和源极的场效应晶体管。在一个实施方案中，所述电路还可包括可具有基极和集电极的双极晶体管，其中所述双极晶体管的所述集电极耦接到所述场效应晶体管的所述主体；并且所述场效应晶体管的所述漏极耦接到所述双极晶体管的所述基极。在另一个实施方案中，所述电路可包括具有阳极和阴极的二极管，其中所述场效应晶体管的所述源极耦接到所述二极管的所述阳极，并且所述场效应晶体管的所述栅极耦接到所述二极管的所述阴极。在另一方面，所述电子设备可包括对应于所述电路内的组件的一个或多个物理结构。
场效应晶体管电路电子设备双极晶体管二极管阴极阳极集电极漏极源极本实用新型物理结构

[发明专利]电子器件及其形成方法-CN201810749274.9在审
发明人：皮特·莫昂;P·范米尔贝克;G·H·罗切尔特;小J·M·帕西 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了电子器件及其形成方法。电子器件可包括晶体管结构。在一个实施方案中，所述晶体管结构可包括沟道区域和包括不同半导体基底材料的漂移结构。在另一个实施方案中，所述晶体管结构可包括源极区域和包括第一区域的漏极结构，其中所述源极区域和所述第一区域包括不同的半导体基底材料并且具有相同的导电类型。在另一个方面，形成电子器件的方法可包括形成半导体层；形成本体区域；图案化所述本体区域和所述半导体层以限定具有侧壁的沟槽；沿所述沟槽的所述侧壁形成漏极结构的第一区域，其中所述第一区域和所述本体区域包括不同的半导体基底材料和不同的导电类型。
第一区域电子器件半导体基底材料晶体管结构半导体层导电类型漏极结构源极区域侧壁漂移沟道区域图案化

[实用新型]包括终止结构的电子设备-CN201820369148.6有效
发明人： G·H·罗切尔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种包括终止结构的电子设备，所述终止结构包括衬底、半导体层和第一沟槽。所述半导体层具有主表面。所述第一沟槽延伸穿过所述半导体层的厚度的大部分。所述衬底和所述半导体具有相反的导电类型。在一个实施方案中，主体延伸区具有与所述半导体层相同的导电类型，与所述主表面相邻并且与所述第一沟槽间隔开。在另一个实施方案中，掺杂区具有与所述衬底相同的导电类型，与所述主表面相邻并且邻接所述第一沟槽。在另一实施方案中，所述终止结构可包括第二沟槽，所述第二沟槽延伸穿过所述半导体层的厚度的大部分，并且掺杂区与所述第一沟槽和所述第二沟槽间隔开。
半导体层终止结构导电类型主表面衬底电子设备沟槽间隔延伸穿过掺杂区主体延伸邻接半导体

[发明专利]包括电容器结构的电子设备及其形成工艺-CN201410095371.2有效
发明人： G·M·格里弗纳;G·H·罗切尔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及包括电容器结构的电子设备及其形成工艺。电子设备可以包括电容器结构。在一种实施例中，该电子设备可以包括掩埋的导电区域、具有主表面的半导体层、与该主表面相邻的水平定向的掺杂区域、覆盖在水平定向的掺杂区域上的绝缘层以及覆盖在绝缘层上的导电电极。电容器结构可以包括第一电容器电极，该第一电容器电极包括电连接到水平定向的掺杂区域和掩埋的导电区域的垂直导电区域。电容器结构还可以包括电容器介电层及位于沟槽中的第二电容器电极。电容器结构可以与导电电极隔开。在另一种实施例中，电子设备可以包括第一晶体管、沟槽电容器结构及第二晶体管，其中第一晶体管耦合到沟槽电容器结构，而第二晶体管不具有对应的沟槽电容器结构。
电容器结构电子设备沟槽电容器结构掺杂区域导电区域水平定向晶体管绝缘层第一电容器导电电极主表面电极掩埋电容器介电层电容器电极晶体管耦合半导体层电连接覆盖隔开垂直

[发明专利]包括垂直导电区域的电子设备及其形成工艺-CN201410095373.1有效
发明人： G·M·格里瓦纳;G·H·罗切尔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及包括垂直导电区域的电子设备及其形成工艺。电子设备可以包括可以在不同时间形成的不同垂直导电结构。垂直导电结构可以具有相同或不同的形状。在一种实施例中，绝缘隔离件可以用于帮助使特定的垂直导电结构与工件的另一部分电绝缘，而且绝缘隔离件不能用于使不同的垂直导电结构电绝缘。当其它电子组件的形成也可以在任意一个或者两个特定垂直导电结构当中形成时，垂直导电结构可以适合特定的电学考虑或者工艺流程。
包括垂直导电区域电子设备及其形成工艺

[实用新型]减小电压波动的电路-CN201720094792.2有效
发明人： G·H·罗切尔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本公开提供减小电压波动的电路。该电路包括输入节点、输出节点、中间节点和参考节点；具有第一和第二控制端子的第一对开关装置，配置成在第一控制信号施加到第一控制端子时提供第一导通路径，在第二控制信号施加到第二控制端子时提供第二导通路径；具有第三和第四控制端子的第二对开关装置，配置成在第三控制信号施加到第三控制端子时提供第三导通路径，在第四控制信号施加到第四控制端子时提供第四导通路径；磁性元件，耦接到中间节点和输出节点，使电流能流过磁性元件而不穿过第二对开关装置；控制装置，配置成供应第一、第二、第三和第四控制信号，使得在电路的开关周期的部分内第一和第三控制信号同时处于提供到输入节点的导通路径的状态。
减小电压波动电路

[实用新型]包括整流元件和电荷存储元件的电路-CN201720023452.0有效
发明人： G·H·罗切尔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本公开涉及包括整流元件和电荷存储元件的电路。要解决的一个问题提供该电路的改善。该电路包括输入节点、开关节点和参考节点；具有耦接到所述开关节点的第一载流电极的第一开关元件；具有第一端子和第二端子的第一电荷存储元件，其中所述第一电荷存储元件的第一端子耦接到所述开关节点；具有阳极和阴极的第一整流元件，其中所述第一整流元件的阳极耦接到所述第一电荷存储元件的第二端子，并且所述第一整流元件的阴极耦接到所述输入节点；以及具有阳极和阴极的第二整流元件，其中所述第二整流元件的阴极耦接到所述第一电荷存储元件的第二端子，并且所述第二整流元件的阳极耦接到所述参考节点。通过本实用新型，可以获得改善的电路。
包括整流元件电荷存储电路

[实用新型]边缘终止的半导体器件-CN201720199033.2有效
发明人： G·H·罗切尔特;G·M·格里弗纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型申请的一个方面提供了一种边缘终止的半导体器件，其特征在于包括衬底，该衬底为高度掺杂的第一类型的半导体；位于衬底上的第一外延层，该第一外延层为轻度掺杂的第一类型的半导体；位于第一外延层上的第二外延层，该第二外延层为轻度掺杂的第二类型的半导体以用于与第一外延层一起形成竖直二极管；边缘终止结构，该边缘终止结构包括位于第二外延层中的终止阱，该终止阱为中度掺杂的第一类型的半导体以用于与第二外延层一起形成水平二极管；以及电场屏障，该电场屏障包括至少一个竖直沟槽，所述至少一个竖直沟槽延伸穿过终止阱进入到第一外延层中并且暴露侧壁区，该侧壁区经由沟槽侧壁被掺杂成中度掺杂的第二类型的半导体；以及位于所述至少一个竖直沟槽中的侧壁层，所述侧壁层包括将终止阱电耦接到衬底的中度掺杂的第一类型的半导体。屏蔽所述器件的有源区域以免受到边缘损伤的不可预知的影响的技术问题由此通过包括新型边缘终止结构而解决。
边缘终止半导体器件

[实用新型]电路和电子器件-CN201620943483.3有效
发明人： G·H·罗切尔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H02M3/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及电路和电子器件。目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。根据实用新型的一方面，提供了一种电路，该电路包括包括第一载流端子和第二载流端子的第一晶体管；包括第一电极和第二电极的第一电容元件，其中第一电极耦接到第一晶体管的第一载流端子；以及包括阳极和阴极的整流元件，其中阴极耦接到第一电容元件的第二电极，并且阳极耦接到第一晶体管的第二载流端子。根据本实用新型的实施例，可以提供一种改进的电路和电子器件。
电路电子器件

[实用新型]电子器件-CN201620943662.7有效
发明人： M·阿加姆;L·塞里加;T·姚;J·皮杰卡克;G·H·罗切尔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及电子器件，所述电子器件可包括具有主表面的半导体层；与所述主表面相邻的漂移区；与所述漂移区相邻并且与所述漂移区相比延伸到所述半导体层中更深处的漏极区；与所述主表面间隔开的降低表面场区；覆盖在所述漏极区上的绝缘层，以及穿过所述绝缘层延伸到所述漏极区的触点。在一实施方案中，所述漏极区可包括下沉区域，所述下沉区域允许在过压事件期间发生对所述降低表面场区的体击穿，其中所述体击穿发生在所述漂移区外部，并且在一具体实施方案中，远离浅沟槽隔离结构或其他敏感结构。根据本公开的实施例，可以提供具有改进性能和更长寿命的电子器件。
电子器件

[发明专利]在沟道与漏极区之间包括掺杂区的电子器件及其形成方法-CN201110033515.8有效
发明人： G·H·罗切尔特;G·M·格里瓦纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及在沟道与漏极区之间包括掺杂区的电子器件及其形成方法。电子器件可以包括晶体管的漏极区，其中，该漏极区具有第一导电类型。所述电子器件还可以包括晶体管的沟道区，其中，该沟道区具有与第一导电类型相反的第二导电类型。该电子器件还可以包括具有第一导电类型的第一掺杂区，其中，该第一掺杂区从漏极区向沟道区延伸。该电子器件还可以包括具有第一导电类型的第二掺杂区，其中，该第二掺杂区设置在第一掺杂区与沟道区之间。
沟道漏极区之间包括掺杂电子器件及其形成方法

[实用新型]包括开关元件、整流元件和电荷存储元件的电路-CN201420082316.5有效
发明人： G·H·罗切尔特;C·卡斯蒂尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种包括开关元件、整流元件和电荷存储元件的电路可包括一对开关元件，所述开关元件具有电连接到电源端子的端子，且具有电连接到输出端子的其它端子。所述电路可包括整流元件和一个或多个电荷存储元件。所述电路可用作降压转换器。所述整流元件和电荷存储元件可帮助减少在正常操作期间所述电路的输出端子处的振铃，且减小在开关操作期间超过所述电路内的开关元件的载流电极之间的击穿电压的可能性。
包括开关元件整流电荷存储电路

[实用新型]电子器件-CN201420084867.5有效
发明人： G·H·罗切尔特;P·温卡特拉曼;Z·侯赛因;G·M·格里瓦纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子器件，一个技术问题是解决与现有技术中存在的问题相关的问题。电子器件可包括：半导体层，其具有主表面；和肖特基接触件，其包括含金属部件，含金属部件与半导体层内的水平定向的轻掺杂区域接触并且位于邻近于主表面。在实施方案中，含金属部件位于半导体层中的凹部内并且沿着凹部的侧壁接触水平定向的轻掺杂区域。在其它实施方案中，肖特基接触件可不形成在凹部内，且掺杂区域可形成在水平定向的轻掺杂区域下方的半导体层内并且具有与水平定向的轻掺杂区域相反的导电类型。肖特基接触件可与开关电路中的功率晶体管（诸如高频率电压调节器）结合使用以减少在开关周期中空载时间期间积聚的电荷量。
电子器件

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