“D·帕德希”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果50个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于先进互连应用的超薄电介质扩散阻挡层与蚀刻终止层-CN201580068587.2有效
发明人： D·帕德希;陈一宏;K·陈;A·B·玛里克;A·T·迪莫斯;M·斯利尼瓦萨恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在此所述的实施例一般涉及含硅与铝层的形成。在此所述的包法可包括：将基板定位在工艺腔室的处理区域中；输送工艺气体到该处理区域，该工艺气体包含含铝气体与含硅气体；活化反应物气体，该反应物气体包含含氮气体、含氢气体、或上述的组合物；输送该反应物气体到该工艺气体以产生沉积气体，该沉积气体将含硅与铝层沉积在该基板上；及净化该处理区域。可执行上述步骤一或更多次以沉积蚀刻终止层。
用于先进互连应用超薄电介质扩散阻挡蚀刻终止

[发明专利]非UV高硬度低介电常数膜沉积-CN201980048633.0在审
发明人： S·慕克吉;B·谢;K·M·赵;K·S·伊姆;D·帕德希;A·加格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文所述的实施例提供通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成具有高硬度的低k碳掺杂氧化硅(CDO)层的方法。此方法包括以载气流率提供载气和以前驱物流率将CDO前驱物提供到工艺腔室。以一功率水平和一频率将射频(RF)功率施加至CDO前驱物。CDO层沉积在工艺腔室内的基板上。
uv 硬度介电常数沉积

[发明专利]氮化铝阻挡层-CN201680011676.8有效
发明人： D·帕德希;S·古格吉拉;A·T·迪莫斯;B·库玛;任河;P·达舍 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-02-10 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述一种在电介质层中形成特征的方法。通孔、沟槽或双镶嵌结构可以在沉积共形氮化铝层前存在于电介质层中。共形氮化铝层被配置成用作阻挡层以便防止跨阻挡层的扩散。形成氮化铝层的方法包括交替地暴露于两个前驱物处理(如ALD)以便实现高共形度。氮化铝阻挡层的高共形度使得厚度减小和后续的填隙金属层的有效导电率增大。
氮化阻挡

[发明专利]氮化硅膜的干法蚀刻速率降低-CN201880072836.9在审
发明人： M·W·蒋;H·俞;D·帕德希;T-J·龚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文所描述的实施方式涉及形成氮化硅膜的方法。在一个实施方式中，使包括含硅气体和第一含氮气体的第一工艺气体组流入工艺腔室中。通过以第一频率和第一功率水平将第一射频功率施加到所述第一工艺气体组来沉积初始化层。中断所述第一工艺气体组的所述第一含氮气体的第一流动，并且使包括所述含硅气体、第二含氮气体和含氢气体的第二工艺气体组流入所述工艺腔室中。通过以高于所述第一频率的第二频率和高于所述第一功率水平的第二功率水平将第二RF功率施加到所述第二工艺气体组来在所述初始化层上沉积体氮化硅层。
氮化蚀刻速率降低

[发明专利]用于3D NAND可扩展性的多层堆叠-CN201880066334.5在审
发明人：韩新海;D·帕德希;E-X·平;S·古格吉拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本文所描述的实施方式涉及用于制造半导体器件(诸如存储器器件等等)的方法和材料。在一个实施方式中，存储器层堆叠包括具有不同的蚀刻速率的材料，其中选择性地去除一种材料以在器件结构中形成气隙。在另一个实施方式中，存储器层堆叠的含硅材料被掺杂或制造为硅化物材料。在另一个实施方式中，氮化硅材料用作在存储器层堆叠的含氧化物层和含硅层之间的界面层。
用于 nand 扩展性多层堆叠

[发明专利]用于3D NAND应用的低介电常数氧化物和低电阻OP堆叠-CN201880009550.6在审
发明人：韩新海;K·S·伊姆;Z·江;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本文所述的实施例大体涉及制造用于存储器器件(诸如NAND器件)的3D存储器单元的氧化物/多晶硅(OP)堆叠的方法。所述方法通常包括在PECVD工艺期间用前驱物处理所述氧化物和/或多晶硅材料，以降低所述氧化物的介电常数并降低所述多晶硅的电阻率。在一个实施例中，用八甲基环四硅氧烷(OMCTS)前驱物处理所述氧化物材料。在另一个实施例中，将锗烷(GeH₄)引入PECVD工艺以形成具有掺杂剂的Si_xGe_(1‑x)膜。在又一个实施例中，使用等离子体处理工艺来氮化所述OP堆叠的层之间的界面。所述前驱物和等离子体处理可以单独地使用或以任何组合使用，以产生具有低介电常数氧化物和低电阻率多晶硅的OP堆叠。
堆叠多晶硅前驱物氧化物低介电常数氧化物等离子体处理八甲基环四硅氧烷存储器单元存储器器件多晶硅材料氧化物材料氮化低电阻率介电常数掺杂剂单独地低电阻电阻率锗烷引入应用制造

[发明专利]用于保形密封电介质封闭而无对底层结构材料的直接RF暴露的SiBN膜-CN201780079463.3在审
发明人： M·嘉德瑞;S·慕克吉;P·P·杰哈;D·帕德希;段子青;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文中公开的实施方式涉及用于形成存储器器件的方法，且更具体地涉及用于在存储器器件中在存储器材料之上形成电介质封闭层的改进的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在比存储器材料的热预算的温度要低的温度下在存储器材料之上热沉积第一材料；将所述第一材料暴露于氮等离子体以将氮掺入在所述第一材料中；和重复所述热沉积和氮等离子体操作以在所述存储器材料之上形成密封的保形电介质封闭层。因此，形成在所述存储器材料之上的具有密封的保形电介质封闭层的存储器器件。
存储器材料存储器器件第一材料封闭层保形电介质氮等离子体热沉积密封电介质密封电介质底层结构热预算暴露保形掺入封闭重复改进

[发明专利]使用静电夹盘夹持及解夹持基板的方法及装置-CN201680072132.2在审
发明人： Z·J·叶;塙广二;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;P·曼纳;M·W·蒋;A·高;王文佼;林永景;P·K·库尔施拉希萨;韩新海;金柏涵;K·D·李;K·T·纳拉辛哈;段子青;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：公开对于静电夹盘的方法与设备的技术，此静电夹盘适合在高操作温度下操作。在一个示例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面与上表面相对地设置。电极被设置在陶瓷主体中。电路被电连接至电极。电路包含DC夹紧电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路。DC夹紧电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路电耦合至电极。
电路陶瓷主体上表面静电夹盘电极基板支撑组件夹紧电路圆柱侧壁下表面真空处理腔室处理基板夹持基板支撑基板电连接电耦合上碟形夹持界定配置

[发明专利]用于多层图案化应用的低温单一前驱物ARC硬掩模-CN201680069461.1在审
发明人： S·慕克吉;K·S·伊姆;D·帕德希;K·M·赵;K·A·范;C-A·陈;P·达舍 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：描述了硬掩模和ARC层的单一前驱物沉积的方法。所得的膜是利用具有低碳含量的高密度氧化硅SiO2层封端的具有较高碳含量的SiOC层。所述方法可以包括：将第一沉积前驱物输送至基板，所述第一沉积前驱物包含SiOC前驱物和第一流速的含氧气体；使用等离子体激活沉积物质，由此在基板的已暴露表面上方沉积含SiOC的层。随后，将第二前驱物气体输送至含SiOC的层，所述第二沉积气体包含具有第二流速的不同或相同的SiOC前驱物和第二流速的含氧气体，并且使用等离子体激活沉积气体，所述第二沉积气体在硬掩模上方形成含SiO2的层，所述含SiO2的层具有非常低的碳。
前驱物沉积气体硬掩模沉积等离子体激活沉积前驱物含氧气体基板前驱物气体暴露表面多层图案氧化硅低碳高碳应用

[发明专利]复合可移除硬掩模-CN201180055940.5无效
发明人： A·克内奇;J·J·刘;D·帕德希;金秉宪;W·H·麦克林托克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供一种用于在基板上形成非晶形碳层的方法与设备。具有高应力水平的该非晶形碳层的第一部分由具有高稀释比的碳氢化合物前驱物形成，且纳入任选的胺前驱物以添加提升应力的氮。透过减少碳氢化合物前驱物的稀释比以及降低或消除胺气体，而将具有低应力水平的该非晶形碳层的第二部分形成在第一部分上。作为调整前驱物流速的替代或补充，可调整压力、温度、与RF功率输入，并且可使用不同的前驱物以用于不同的应力水平。
复合硬掩模

[发明专利]超高选择性的掺杂非晶碳可剥除硬掩模的开发与集成-CN201180045061.4无效
发明人： M·J·西蒙斯;S·拉蒂;K·D·李;D·帕德希;金秉宪;C·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明的实施例大体上关于集成电路的制造，并且尤其关于含硼非晶碳层在半导体基板上的沉积。在一实施例中，提供一种在处理腔室中处理基板的方法。此方法包含：在处理空间中提供基板；使含碳氢化合物气体混合物流动到处理空间内；通过从RF源施加功率来产生含碳氢化合物气体混合物的等离子体；使含硼气体混合物流动到处理空间内；及在等离子体的存在下，在基板上沉积含硼非晶碳膜，其中含硼非晶碳膜含有原子百分比为约30至约60的硼。
超高选择性掺杂非晶碳可剥除硬掩模开发集成

[发明专利]可变电阻存储器元件以及制造方法-CN201180039182.8无效
发明人： S·F·郑;H·L·朴;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种电子设备，该电子设备包含基板上的可变电阻存储器元件。该可变电阻存储器元件包含：(1)无定形碳层，该无定形碳层包含至少约30原子百分比的氢含量及小于约1×10-9安培的最大漏电流；以及(2)一对电极，该对电极环绕该无定形碳层。本发明还描述了制造该设备及其他设备的方法。
可变电阻存储器元件以及制造方法

[发明专利]氮掺杂的非晶碳硬掩模-CN201180016212.3无效
发明人： S·F·郑;J·扬岑;D·帕德希;金秉宪 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明的实施例大体上关于集成电路的制造，特别是关于氮掺杂的非晶形碳层与用于在半导体衬底上沉积氮掺杂的非晶形碳层的工艺。在一个实施例中，提供在衬底上形成氮掺杂非晶形碳层的方法。所述方法包含以下步骤：将衬底定位在衬底处理腔室中；将含氮碳氢化合物源导入所述处理腔室；将碳氢化合物源导入所述处理腔室；将等离子体引发气体导入所述处理腔室；在所述处理腔室中生成等离子体；以及在所述衬底上形成氮掺杂非晶形碳层。
掺杂非晶碳硬掩模

[发明专利]改良堆迭缺陷率的非晶碳沉积方法-CN201180019344.1无效
发明人：于航;D·帕德希;蔡曼平;N·尤施达;缪丽妍;郑兆辉;S·沙克;朴贤秀;H·L·朴;B·H·金 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本文所述的实施例关于用以图案化并蚀刻半导体衬底中的特征结构的材料及工艺。在一个实施例中，提供一种在衬底上形成复合非晶碳层以改良堆迭缺陷率的方法。所述方法包含下列步骤：将衬底安置于处理腔室中；将烃源气体导入处理腔室；将稀释剂源气体导入处理腔室；将等离子体引发气体导入处理腔室；在处理腔室中产生等离子体；在衬底上形成非晶碳初始层，其中烃源气体所具有的体积流速对稀释剂源气体流速的比例为1：12或更低；以及在非晶碳初始层上形成主体非晶碳层，其中被用来形成主体非晶碳层的烃源气体所具有的体积流速对稀释剂源气体流速的比例为1：6或更高，以形成复合非晶碳层。
改良缺陷非晶碳沉积方法

[发明专利]具有改进的密度和阶梯覆盖率的无定形碳膜的沉积方法-CN201210396144.4无效
发明人： D·帕德希;H-C·哈;S·拉蒂;D·R·威蒂;C·陈;S·帕克;G·巴拉苏布拉马尼恩;K·杰纳基拉曼;M·J·西蒙斯;V·斯瓦拉马克瑞希楠;B·H·金;H·姆塞德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
具有改进密度阶梯覆盖率无定形碳沉积方法