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[发明专利]高电子迁移率晶体管器件-CN202210374281.1在审
发明人： 陈纪孝;郑子铭;陈威任;李凯霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管(HEMT)器件及其制造方法。HEMT器件包括衬底、沟道层、阻挡层、栅极、源极、漏极与源极场板。沟道层位于衬底上。阻挡层位于沟道层上。栅极位于阻挡层上，且具有彼此相对的第一侧与第二侧。源极位于栅极的第一侧。漏极位于栅极的第二侧。源极场板连接于源极。源极场板包括第一场板部、第二场板部与第三场板部。第一场板部连接于源极，且位于栅极的第一侧。第二场板部位于栅极的第二侧。第三场板部连接于第一场板部的末端以及第二场板部的末端。源极场板具有位于栅极的正上方的第一开口。第一开口位于第一场板部与第二场板部之间。第三场板部的俯视图案与栅极的俯视图案部分重叠。HEMT器件可降低功率损耗并提升器件速度。
电子迁移率晶体管器件

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110493062.0在审
发明人： 陈纪孝;李凯霖;陈威任 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一基底，一通道层设置在基底上，一主动层设置在通道层上，其中主动层包含一P型氮化铝镓层，一P型氮化镓栅极设置在主动层上以及一源极电极以及一漏极电极设置于主动层上。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202110423761.8在审
发明人： 陈纪孝;李凯霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括一基底，一缓冲层设置在该基底上，一通道层设置在该缓冲层上，一势垒层设置在该通道层上，一钝化层设置在该势垒层上，以及一元件隔离区，其贯穿该钝化层、该势垒层，以及至少部分该通道层，并且包围该半导体元件的一第一元件区。该元件隔离区具有沿着一深度方向变化的缺陷浓度，且在该通道层和该势垒层之间的一结附近具有最高的缺陷浓度。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种VLIW处理器中重复程序的执行控制方法及装置-CN202010686656.9有效
发明人：陈小文;郭阳;陈纪孝;李勇;鲁建壮;陈海燕;孙书为;陈胜刚;刘胜;雷元武;扈啸;刘仲 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：本发明公开一种VLIW处理器中重复程序的执行控制方法及装置，该方法步骤包括：S1.配置一个指令缓存；S2.控制将需要重复执行的各重复程序的执行包信息按照执行顺序缓存至指令缓存中，对执行程序进行识别，当识别到各重复程序时，控制暂停存取指、译码，并将指令缓存中对应的执行包信息直接派发给功能部件。本发明能够适用于VLIW处理器体系结构控制重复程序执行，且具有实现方法简单、成本及功耗低、访存延迟小、重复程序执行效率高等优点。
一种 vliw 处理器重复程序执行控制方法装置

[发明专利]一种提高重复程序执行性能的软硬件协同缓存装置-CN202010687037.1有效
发明人：陈小文;郭阳;陈纪孝;李勇;王耀华;张洋;刘畅;李晨 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高重复程序执行性能的软硬件协同缓存装置，其包括：起始寄存器，用来标识重复程序段的起始位置；结束寄存器，用来识别重复程序段的结束位置；计数寄存器，用来存储重复程序执行的次数；控制逻辑单元，用来判断重复程序段是否落入特定的地址空间，同时控制执行包缓存开始存储和派发执行包，并清除起始寄存器和结束寄存器的控制位和维护计数寄存器；执行包缓存单元，用来存储派发到功能部件的执行包信息；当将重复程序段的执行包全部缓存完后，由执行包缓存单元直接派发执行包到功能部件，同时暂停取指流水。本发明具有结构简单、原理简单、适用范围广等优点。
一种提高重复程序执行性能软硬件协同缓存装置

[发明专利]具伸张应力鳍状结构的制作方法与互补式鳍状晶体管结构-CN201710584810.X有效
发明人：李凯霖;李志成;陈威任;康庭绚;何仁愉;黄泓文;陈纪孝;杨皓翔;石安石;谢宗翰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种具有伸张应力的鳍状结构的制作方法与互补式鳍状晶体管结构，其具有伸张应力的鳍状结构的制作方法，包含提供一基底包含一N型晶体管区和一P型晶体管区，接着形成二第一沟槽和二第二沟槽于基底中，第一沟槽定义出一鳍状结构，第二沟槽截断第一沟槽，然后进行一流动型化学气相沉积步骤，以形成一氧化硅层填入第一沟槽和第二沟槽，之后形成一图案化掩模只位于N型晶体管区，图案化掩模只重叠位于第二沟槽内的氧化硅层，然后以图案化掩模为掩模，去除部分的氧化硅层直至曝露出的氧化硅层的上表面低于鳍状结构的上表面。
伸张应力结构制作方法互补式鳍状晶体管

[发明专利]隧穿场效晶体管结构与其制作方法-CN201710442176.6在审
发明人：黄泓文;李凯霖;何仁愉;陈纪孝;康庭绚;杨皓翔;石安石;谢宗翰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种隧穿场效晶体管结构与其制作方法。该隧穿场效晶体管的制作方法，包含提供一基底，其上包含有一鳍状结构，其中该鳍状结构包含有一第一导电型态，接着形成一介电层位于该基底以及该鳍状结构上，并形成一栅极凹槽于该介电层中，然后在该栅极凹槽内形成一第一功函数金属层，该第一功函数金属层至少定义有一左部分、一右部分以及一中央部分，之后进行一蚀刻步骤，以移除该第一功函数金属层的该中央部分，并形成一凹槽于该第一功函数金属层的该左部分以及该右部分之间，以及形成一第二功函数金属层，至少填入该凹槽。
功函数金属层鳍状结构隧穿场效晶体管结构栅极凹槽基底制作蚀刻场效晶体管导电型态介电层电层填入移除

[发明专利]触控面板、触控显示设备及触控面板的驱动方法-CN201410324682.1在审
发明人：王文宏;陈纪孝;陈世正;林明传 -专利权人：胜华科技股份有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控面板、触控显示设备及触控面板的驱动方法。所述触控面板包括一基板，多条感应电极及一驱动器。所述多条感应电极设置于所述基板上，用以传送多个驱动信号，并用以根据所述多个驱动信号产生多个感应信号。所述驱动器用以驱动所述多条感应电极以进行一触控感应操作，其中，所述驱动器进一步用以检知一显示面板的噪声后决定一干扰时段，并于所述干扰时段内停止所述触控感应操作。本发明触控面板得于检知显示面板的噪声后，于一干扰时段内禁能所述驱动器，如此，便得以排除受噪声干扰的感应信号。借此，本发明触控面板可以避免受到显示面板的噪声影响，并增加触控数据的准确度。
面板显示设备驱动方法

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