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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装件和其制造方法-CN202010946031.1在审
发明人：沈文维;黄松辉;侯上勇;黄冠育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体封装件包含插入件、管芯、密封体。每一管芯包含有源表面、背侧表面、侧表面。背侧表面与有源表面相对。侧表面使有源表面接合到背侧表面。密封体包含第一材料且横向地包覆管芯。管芯电连接到插入件且并排安置在插入件上，其中相应背侧表面背对插入件。至少一个管芯包含外部角。圆角结构形成在外部角处。圆角结构包含不同于第一材料的第二材料。外部角由至少一个管芯的背侧表面和一对相邻侧表面形成。一对相邻侧表面中的侧表面具有一共同第一边缘。一对相邻侧表面中的每一侧表面不面向其它管芯并且具有与至少一个管芯的背侧表面共同的一第二边缘。
半导体封装制造方法

[发明专利]半导体封装-CN202010856696.3在审
发明人：黄松辉;侯上勇;黄天佑;黄贺昌;黄冠育;许书嘉;林于顺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：一种半导体封装包括衬底、堆叠结构、包封材料、盖结构及耦合器。堆叠结构设置在衬底之上并结合到衬底。包封材料部分地包封堆叠结构。盖结构设置在衬底上，其中盖结构环绕堆叠结构并覆盖堆叠结构的顶表面。耦合器结合到堆叠结构，其中耦合器的一部分穿透盖结构并延伸出盖结构。
半导体封装

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202110311352.9在审
发明人： 黄冠育;黄松辉;侯上勇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明实施例是有关于一种半导体装置及其制作方法。一种半导体装置包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、绝缘包封体及翘曲控制图案。所述第一半导体管芯包括有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第二半导体管芯设置在所述第一半导体管芯的所述有源表面上。所述绝缘包封体设置在所述第一半导体管芯的所述有源表面上并侧向包封所述第二半导体管芯。所述翘曲控制图案设置在所述第一半导体管芯的所述后表面上并部分覆盖所述后表面。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202011116630.7在审
发明人： 黄冠育;黄松辉;侯上勇;黄建元 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一衬底、封装、第二衬底以及盖。封装贴合到第一衬底的第一侧。第二衬底贴合到第一衬底的第二侧。盖连接到第一衬底及第二衬底。盖包括：环形部，位于第一衬底的第一侧之上。环形部及第一衬底界定空间且封装容纳在空间中。盖还包括：多个外悬部，从环形部的隅角侧壁朝第二衬底延伸，以覆盖第一衬底的隅角侧壁。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]形成封装结构的方法-CN202010856662.4在审
发明人： 黄冠育;黄松辉;侯上勇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种形成封装结构的方法。方法包括在第一基板的第一表面上方形成晶粒结构，以及在第一基板的第二表面下方形成多个电连接器。方法也包括在第一基板的第二表面下方形成第一突出结构，并且电连接器被第一突出结构围绕。方法还包括在第二基板上方形成第二突出结构，以及将第一基板接合至第二基板。电连接器被第二突出结构围绕，并且第一突出结构不与第二突出结构重叠。
形成封装结构方法

[发明专利]封装件中具有不同厚度的热界面材料-CN201711202687.7有效
发明人：黄松辉;余大全;黄冠育;李百渊;李祥帆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种封装件包括封装组件，位于封装组件上方并且接合至封装组件的器件管芯，具有位于器件管芯上方的顶部的金属帽，以及位于器件管芯和金属帽之间并且接触器件管芯和金属帽的热界面材料。热界面材料包括直接位于器件管芯的内部上方的第一部分，以及直接在器件管芯的拐角区域上方延伸的第二部分。第一部分具有第一厚度。第二部分具有大于第一厚度的第二厚度。
封装具有不同厚度界面材料

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN201810263929.1有效
发明人： 黄冠育;吴志伟;郭立中;李隆华;黄松辉;施应庆;李百渊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：为了防止在半导体管芯接合至其它衬底之后在半导体管芯的拐角处出现裂缝，邻近半导体管芯的拐角形成开口，并且用缓冲材料填充和过填充开口，其中，缓冲材料的物理特性介于半导体管芯和邻近缓冲材料放置的底部填充材料的物理特性之间。本发明实施例涉及一种半导体器件和制造方法。
半导体器件制造方法

[发明专利]芯片封装结构的形成方法-CN201911336282.1在审
发明人： 黄冠育;黄松辉;侯上勇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供一种芯片封装结构的形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成凸块与虚设凸块。虚设凸块靠近第一基底的第一角落，且虚设凸块较凸块宽。此方法包含经由凸块将第一基底接合至第二基底。虚设凸块与芯片以及第二基底电气绝缘。此方法包含于第一基底与第二基底之间形成保护层。保护层围绕虚设凸块与凸块，且保护层位于虚设凸块与第二基底之间。
芯片封装结构形成方法

[发明专利]半导体装置封装体及其制造方法-CN201910327240.5在审
发明人：陈又维;郭立中;施应庆;卢思维;林俊成;李隆华;黄冠育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种底胶结构及底胶结构的半导体装置的制造方法。半导体装置封装体包括一封装体，封装体包括一集成电路芯片；一中介层，经由多个芯片连接器接合至集成电路芯片；以及一封胶层，围绕集成电路芯片。半导体装置封装体还包括一封装基板，经由多个导电连接器接合至中介层；一第一底胶层，位于封装体与封装基板之间，第一底胶层具有第一热膨胀系数(CTE)；以及一第二底胶层，围绕第一底胶层，第二底胶层具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。
底胶层集成电路芯片热膨胀系数封装体半导体装置封装体封装基板接合中介层底胶半导体装置导电连接器芯片连接器封胶层制造

[发明专利]芯片封装结构-CN201910384743.6在审
发明人： 黄冠育;黄松辉;许书嘉;陈律任;刘亦玮;侯上勇;赖瑞协;陈琮瑜;黄建元;陈又维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开提供一种芯片封装结构，其包含基板、第一芯片结构和第二芯片结构、保护层、第一抗翘曲凸块以及导电凸块。基板具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，第一芯片结构和第二芯片结构设置在第一表面上，保护层在第一表面上并且围绕第一芯片结构和第二芯片结构，保护层的一部分位于第一芯片结构和第二芯片结构之间，第一抗翘曲凸块在第二表面上并且延伸穿过保护层的上述部分。导电凸块在第二表面上并且电连接到第一芯片结构或第二芯片结构，第一抗翘曲凸块比导电凸块宽。
芯片结构第一表面保护层导电凸块第二表面抗翘曲凸块基板芯片封装结构延伸穿过电连接

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