[发明专利]薄膜晶体管以及其制作方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管以及其制作方法，其制作方法包括下列步骤。首先，提供一基板。然后，在基板上形成一半导体层。接着，在半导体层上形成一光致抗蚀剂图案，包括两边缘部分以及一中央部分设置于边缘部分之间且中央部分的厚度大于各边缘部分的厚度。接着，对半导体层进行一蚀刻制作工艺，以形成一图案化半导体层。随后，进行一光致抗蚀剂灰化制作工艺，至少移除光致抗蚀剂图案的边缘部分，以形成一通道定义光致抗蚀剂图案，并暴露出图案化半导体层的两部分。接着，利用通道定义光致抗蚀剂图案作为掩模，导体化暴露出的图案化半导体层的部分，以形成一半导体部与两导体部。然后，去除通道定义光致抗蚀剂图案。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，包含下列步骤：提供一基板；在该基板上形成一半导体层；在该半导体层上形成一光致抗蚀剂图案，其中该光致抗蚀剂图案包括一中央部分以及两边缘部分，该中央部分设置于该两边缘部分之间，且该中央部分的厚度大于各该边缘部分的厚度；利用该光致抗蚀剂图案作为一蚀刻掩模，对该半导体层进行一蚀刻制作工艺，以移除未被该光致抗蚀剂图案覆盖的该半导体层而形成一图案化半导体层；进行一光致抗蚀剂灰化制作工艺，至少移除该两边缘部分，以形成一通道定义光致抗蚀剂图案，并暴露出该图案化半导体层的两部分﹔利用该通道定义光致抗蚀剂图案作为一掩模，导体化暴露出的该两部分，以在该图案化半导体层中形成一半导体部以及两导体部，其中该两个导体部位于该半导体部的两侧，且该半导体部被该通道定义光致抗蚀剂图案遮盖并作为一通道﹔以及去除该通道定义光致抗蚀剂图案。