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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]像素结构及其制作方法-CN201110399830.2有效
  • 高金字;李育宗 - 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
  • 2011-12-06 - 2012-06-13 - H01L27/02
  • 一种像素结构及其制作方法，包括一基板、一扫描线、一栅极、一绝缘层、一半导体信道、一数据线、一源极、一漏极、一保护层、一像素电极以及一连接电极。绝缘层设置于扫描线、栅极与基板上，对应栅极的半导体信道以及数据线设置于绝缘层上，其中数据线与扫描线未重迭。源极与漏极设置于半导体信道上。设置于源极、漏极与数据线上的保护层具有一第一接触洞部分暴露出漏极，以及复数个第二接触洞部分暴露出数据线或扫描线。设置于保护层上的像素电极经由第一接触洞与漏极电性连接，而设置于保护层上的连接电极则经由第二接触洞与数据线或扫描线电性连接。
  • 像素结构及其制作方法
  • [发明专利]薄膜电晶体的制造方法-CN200610065828.0无效
  • 苏大荣;高金字;许嘉哲 - 中华映管股份有限公司
  • 2006-03-23 - 2007-09-26 - H01L21/336
  • 本发明是有关于一种薄膜电晶体的制造方法，是在形成一源极结构、一汲极结构、一通道结构后，不去除一第一光阻层，而直接于该第一光阻层上形成一第二光阻层，并藉以形成一半导体结构，并且，采用n型掺杂的非晶硅、多晶硅层或有机金属化合物取代金属作为该源极结构及该汲极结构的材料，以减少薄膜电晶体的制程步骤，因此可有效的提升阵列制程的制造良率，并进而降低液晶显示器的制造成本。
  • 薄膜电晶体制造方法
  • [发明专利]像素结构的制造方法-CN200410102706.5有效
  • 高金字;苏大荣;林富良 - 中华映管股份有限公司
  • 2004-12-28 - 2006-07-05 - G02F1/136
  • 一种像素结构的制造方法，包括下列步骤：首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅绝缘层，且覆盖栅极。接着，于栅绝缘层上形成半导体层，且于半导体层上形成金属层。然后，于金属层上形成第一掩膜层，并以第一掩膜层为蚀刻掩膜，图案化金属层以形成源极/漏极。之后，于第一掩膜层上形成第二掩膜层，且第二掩膜层还覆盖住源极/漏极之间的区域。接着，以第一与第二掩膜层为蚀刻掩膜，图案化半导体层，且去除第一与第二掩膜层。之后，于基板上形成保护层，且于保护层上形成像素电极，其中像素电极与漏极电连接。
  • 像素结构制造方法
  • [发明专利]薄膜晶体管制造方法-CN200410071053.9有效
  • 吴英明;苏大荣;许翼材;高金字 - 中华映管股份有限公司
  • 2004-07-28 - 2006-02-01 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种薄膜晶体管制造方法，包含：在一基板上形成一栅极；在基板上依序形成一栅极绝缘层、一半导体层及一金属层并覆盖住栅极；图案化金属层及半导体层，该图案化金属层及该图案化半导体层覆盖该栅极；在基板上形成一图案化第一保护层并露出图案化的金属层；在基板上形成一像素电极层，并覆盖住该图案化的第一保护层及该图案化的金属层；在基板上形成一图案化光刻胶层，并露出该栅极上方的该像素电极层；蚀刻栅极上方的该像素电极层及该图案化金属层，形成图案化像素电极层、源极及漏极，并使该图案化半导体层形成一信道区；在该基板上形成第二保护层；以及去除该图案化光刻胶层使部分该第二保护层剥离，而露出该图案化像素电极层。
  • 薄膜晶体管制造方法
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