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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201811526091.7有效
发明人：八田浩一;山口达也;Y·费尔普莱尔;F·拉扎里诺;J·D·马内夫;K·B·加万 -专利权人：东京毅力科创株式会社;比利时微电子研究中心
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法。提供如下技术：在制造半导体装置时，在对作为层间绝缘膜的由SiOC膜形成的多孔质的低介电常数膜进行蚀刻时能够抑制低介电常数膜的损伤。对晶圆W进行以异氰酸酯和胺为原料、通过蒸镀聚合生成聚脲的成膜处理。由此在低介电常数膜(20)的孔部(21)内埋入聚脲。而且，先形成通孔的情况下，在低介电常数膜(20)形成通孔(201)后、且形成沟槽(202)前在通孔(201)内埋入保护用的填充物(100)。作为填充物(100)可列举出聚脲。先形成沟槽的情况下，形成沟槽(202)，形成通孔(201)后，去除沟槽(202)内的掩模时，通过低介电常数膜(20)的孔部内的聚脲的存在来保护低介电常数膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]处理装置以及温度调整方法-CN202310286515.1在审
发明人：吉井弘治;山口达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够促进处理容器的冷却的均匀化的技术。作为解决手段涉及一种处理装置，其具备：收容基板的处理容器；覆盖上述处理容器的周围，将上述处理容器所收容的上述基板进行加热的炉主体；向上述处理容器与上述炉主体之间的调温空间供给冷却用的气体的气体供给部；以及从上述调温空间排出上述气体的气体排出部。上述气体排出部在上述炉主体的侧壁沿着该炉主体的轴向的多个地方，具备排出上述调温空间的气体的多个排气孔。
处理装置以及温度调整方法

[发明专利]电流检测装置-CN202180091108.4在审
发明人：中山敬介;薄叶恭成;麻山聪;田中伸一;田村学;熊谷优;细越顺一;山口达也 -专利权人：阿尔卑斯阿尔派株式会社
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R15/20 文献下载
摘要：本发明的电流检测装置具有：汇流条，流过被测定电流；紧固构件，用于将外部构件紧固连接于汇流条；框体，将汇流条和紧固构件以彼此接触的状态保持；以及磁传感器，与汇流条相对配置，能够检测由流过汇流条的被测定电流产生的磁场。汇流条在其端部侧具有与外部构件接触的紧固端子部，紧固端子部的与外部构件接触的面即连接面从框体露出设置。紧固端子部具有锚定部，该锚定部具有与连接面不同的面并埋设于框体，因此，具有与汇流条和屏蔽件一体型的框体，从而测定精度不易降低。
电流检测装置

[发明专利]绝热构造体和立式热处理装置-CN201910184953.0有效
发明人：吉井弘治;山口达也;林宽之;冈田充弘;高木聪;高桥敏彦;庄司正文;北村和也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制从晶圆处理区域向炉口部分的热移动、热传递的绝热构造体和立式热处理装置。一实施方式的绝热构造体用于立式热处理装置，该立式热处理装置具备：双层管构造的处理容器，其具有内管和上部封闭着的外管，并在下端具有开口；气体供给部和排气部，其设置于所述处理容器的下侧；盖部，其从所述开口导入和排出基板，并且能够使所述开口开闭；以及加热部，其以从外侧覆盖所述处理容器的方式设置，该立式热处理装置利用所述加热部对基所述板进行热处理，在所述绝热构造体中，该绝热构造体设置于所述内管与所述外管之间。
绝热构造立式热处理装置

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN201811610534.0有效
发明人：浅田泰生;折居武彦;入江伸次;高桥信博;萩原彩乃;山口达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在向沿着横向按照含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的顺序相邻地设置有含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的基板供给蚀刻气体而将含硅膜去除时，防止非蚀刻对象膜的蚀刻。实施如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，供给成膜气体(21、22)，在多孔质膜(15)的孔部(16)成膜穿过防止膜(23)，该穿过防止膜(23)用于防止对含硅膜(14)进行蚀刻的蚀刻气体(24)穿过该孔部(16)而向非蚀刻对象膜(11)供给；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，在形成有穿过防止膜(23)的状态下，供给蚀刻气体(24)而对含硅膜(14)进行蚀刻。
蚀刻方法装置

[发明专利]采用钝化界面间隙的电阻变化元件及其制造方法-CN202180068052.0在审
发明人：马克·拉姆斯贝伊;托马斯·鲁克斯;山口达也;野泽秀二;佐藤渚 -专利权人：日本瑞翁株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种制造电阻变化元件的方法。该方法可以包括在衬底之上形成叠层。所述叠层可以包括导电材料、电阻变化材料、第一表面和与第一表面相对的第二表面。该方法还可以包括在叠层之上沉积第一材料，使得第一材料与叠层的第一表面和第二表面中的至少一个直接接触。该方法还可以包括在沉积第一材料之后，在第一材料之上形成第二材料并通过第二材料蒸发第一材料的部分，以在第二材料与叠层的第一表面和第二表面中的至少一个之间产生间隙。
采用钝化界面间隙电阻变化元件及其制造方法

[发明专利]吸水性树脂粉末的制造方法-CN202180065434.8在审
发明人：从野刚;荒毛知幸;林弘喜;若林亮太;井上雅史;片仓直树;足立芳史;光上义朗;山口达也 -专利权人：株式会社日本触媒
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C08F6/06 文献下载
摘要：[课题]提供吸水速度优异的吸水性树脂粉末的制造方法。[解决手段]本发明所述的吸水性树脂粉末的制造方法包括如下工序：将单体水溶液聚合而得到含水凝胶状交联聚合物的聚合工序；在上述聚合工序后，使用凝胶粉碎装置将上述含水凝胶状交联聚合物粉碎，得到颗粒状含水凝胶状交联聚合物的凝胶粉碎工序；以及，将上述颗粒状含水凝胶状交联聚合物干燥，得到干燥物的干燥工序，上述凝胶粉碎装置具备投入口、排出口和内置多个旋转轴的主体，上述旋转轴分别具有粉碎单元，在上述凝胶粉碎工序中，将上述含水凝胶状交联聚合物从上述投入口连续投入，利用上述粉碎单元将上述含水凝胶状交联聚合物在50℃以上连续粉碎，从上述排出口连续取出颗粒状含水凝胶状交联聚合物，向上述投入口投入的上述含水凝胶状交联聚合物的聚合率为90质量％以上，从上述排出口排出的颗粒状含水凝胶状交联聚合物的固体成分换算的质均粒径d1为3mm以下。
吸水性树脂粉末制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201811236232.1有效
发明人： 山口达也;新纳礼二;藤川诚;广田良浩;杨荣;山本知成 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：[课题]提供能抑制蚀刻剂经由形成于半导体制造装置的开口进入所伴随的损伤的产生、并且能将牺牲膜去除的半导体装置的制造方法。[解决方案]在制造半导体装置的方法中，对形成有凹部(29)的基板形成由具有脲键的聚合物形成的聚合物膜(6)，在凹部(29)内埋入聚合物；所述凹部(29)包含进行了图案化的牺牲膜(23)的开口。接着，保留埋入的聚合物(6a)而去除聚合物膜(6)后，在凹部(29)内埋入有聚合物(6a)的状态下去除牺牲膜(23)，然后去除凹部(29)内的聚合物。
半导体装置制造方法

[发明专利]成膜装置和温度控制方法-CN201910912532.5有效
发明人：野泽秀二;山口达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和温度控制方法。一种成膜装置，通过蒸镀聚合在被处理基板形成聚合物的膜，所述成膜装置具备载置台、载置台加热器、顶板加热器、控制装置。载置台设置于收容被处理基板的处理容器内，用于载置被处理基板。载置台加热器设置于载置台内，对被载置于载置台上的被处理基板进行加热。顶板加热器设置于与载置台相向的处理容器的顶板。控制装置对载置台加热器和顶板加热器的温度进行控制。另外，控制装置通过以第一温度单位控制载置台加热器的温度来以第一温度单位控制被处理基板的温度。另外，控制装置通过以第二温度单位控制顶板加热器的温度来通过经由顶板放射的辐射热以比第一温度单位更精细的温度单位控制被处理基板的温度。
装置温度控制方法

[发明专利]成膜装置、成膜方法以及存储介质-CN201810206185.X有效
发明人：藤川诚;新纳礼二;桥本浩幸;山口达也;野泽秀二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置、成膜方法以及存储介质。能够在纵型的反应容器内对被棚架状地保持的多个基板进行成膜处理时分别控制基板的中心部的膜厚和周缘部的膜厚。具备：成膜气体喷出部，设置在反应容器内的基板的保持区域的后方，用于喷出所述成膜气体；排气口，设置在基板的保持区域的前方，用于排出成膜气体；旋转机构，用于使基板保持器具绕纵轴进行旋转；以及加热部，将反应容器内加热至比从成膜气体喷出部喷出的成膜气体的温度低的温度。在成膜气体喷出部中，第一喷出口和第二喷出口各自朝向不同的方向开口，使得从第一喷出口喷出的成膜气体与反应容器内的气体降温用构件碰撞而降温，从第二喷出口喷出的成膜气体不与气体降温用构件碰撞。
装置方法以及存储介质

[发明专利]吸水剂组合物及其制造方法-CN202180047476.9在审
发明人：光上义朗;山口达也;和田高明;井上圣都 -专利权人：株式会社日本触媒
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：提供一种即使将多糖类用作至少一部分可持续性原料，生产性也不降低且在高温条件下(100℃以上的加热条件下)的制造工序(或者制造条件)中也不着色的具有高品质(且稳定品质)的吸水剂组合物及其制造方法。该吸水剂组合物含有聚丙烯酸(盐)系吸水性树脂、多糖类及还原剂，该吸水剂组合物表面经过了交联，该吸水剂组合物含有10质量％以上的该多糖类及10ppm～10000ppm的该还原剂，该吸水剂组合物的着色度(YI值)为60以下。
吸水组合及其制造方法

[发明专利]热处理装置和温度控制方法-CN201810028997.X有效
发明人： 山口达也;小原一辉;菊池康晃;吉井弘治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在短时间内收敛于规定温度的热处理装置和温度控制方法。一个实施方式的热处理装置具备：处理容器，其收纳基板；炉主体，其具有对收纳于所述处理容器中的所述基板进行加热的加热器，所述炉主体设置于所述处理容器的周围；鼓风机，其向所述处理容器与所述炉主体之间的空间供给制冷剂；以及控制部，其具有对所述鼓风机连续地通电的连续运转模式以及对所述鼓风机反复进行通电和通电停止的间歇运转模式，所述控制部基于指示电压来控制对所述鼓风机的驱动，其中，所述控制部在所述指示电压比0V大且比规定的阈值电压小的情况下，以间歇运转模式驱动所述鼓风机。
热处理装置温度控制方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置-CN201810194164.0有效
发明人： 山口达也;新纳礼二;桥本浩幸;野泽秀二;藤川诚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置。在使用掩模来对基板进行离子注入、在离子注入后去除掩模时防止对基板的损伤，进行如下工序：向基板(W)的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1掩模用的膜(21)的工序；以层叠于第1掩模用的膜(21)上的方式形成第2掩模用的无机膜(22)的工序；在第1掩模用的膜(21)和所述第2掩模用的无机膜(22)形成图案、对基板(W)的表面进行离子注入的工序；在进行了离子注入之后去除第2掩模用的无机膜(22)的工序；在进行了离子注入之后对基板(W)进行加热而使所述聚合物解聚来去除第1掩模用的膜(21)的工序。
半导体装置制造方法处理以及真空

[发明专利]半导体装置的制造方法和真空处理装置-CN201810214317.3有效
发明人： 山口达也;新纳礼二;桥本浩幸;野泽秀二;藤川诚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法和真空处理装置。提供一种能够在形成于基板的膜形成微细的图案、谋求半导体装置的微细化的技术。进行如下工序：向基板的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1膜(12)的工序；接下来对所述第1膜(12)进行蚀刻而形成图案(17)的工序；接下来对所述基板进行加热而使所述聚合物解聚、并且向该基板供给与所述聚合用的原料进行反应而产生生成物的反应气体、以对所述第1膜(12)进行置换的方式形成由与该第1膜的材质不同的材质构成的第2膜(18)的工序。
半导体装置制造方法真空处理

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202010744041.7有效
发明人：野泽秀二;山口达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，能够提高形成于基板的有机膜的膜厚度的均匀性。通过气相沉积聚合在基板上进行聚合物的有机膜的成膜的成膜装置具备处理容器、气体供给部、浓度分布控制部以及温度分布控制部。处理容器收容基板。气体供给部向处理容器内供给第一单体的气体和第二单体的气体。浓度分布控制部控制处理容器内的气体的流动，以使包含第一单体的气体和第二单体的气体的混合气体的在基板上的浓度成为预先决定的分布。温度分布控制部控制基板的温度分布，以使基板的与混合气体的浓度高的区域对应的区域的温度比基板的与混合气体的浓度低的区域对应的区域的温度高。
装置方法

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