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[发明专利]发光二极管的外延结构及其制备方法、发光二极管-CN202211212687.6在审
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管的外延结构包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、P‑GaN层和P型接触层；其中，所述P‑GaN层为O、Be共掺GaN层，O的掺杂浓度为5×1018‑5×1019atom/cm3，Be的掺杂浓度为1×1019‑1×1020atom/cm3。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延结构及其制备方法

[实用新型]一种石墨基板-CN202221260085.3有效
发明人：丁昊;谢志文;张铭信;陈铭胜 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨基板，涉及半导体技术领域，包括具有第一表面及与第一表面相对的第二表面的基板本体，设于基板本体边缘的放置槽群和凸起件，放置槽群和凸起件分别位于第一表面和第二表面上，部分凸起件位于第一表面上的正投影在放置槽群位于第一表面上的正投影之内，其中，凸起件靠近基板本体边缘的一端与放置槽群靠近基板本体边缘的部分边缘平齐，通过该设置，实现在实际情况中，具有提高石墨基板边缘区域的温度，解决外圈放置槽群中边缘区域的温度偏低、外圈放置槽群内的衬底受热不均匀的问题，保证在石墨基板外圈放置槽群中的外延片的波长均匀性。
一种石墨

[实用新型]一种半导体发光器件-CN202221260220.4有效
发明人：熊小亮;焦二斌;张铭信;陈铭胜 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体发光器件，涉及半导体技术领域，包括具有第一表面的衬底，及设于衬底第一表面的半导体发光堆叠层，第一表面具有第一区域和第二区域，第一区域被第二区域环绕，其中，半导体发光堆叠层位于第一区域上，半导体发光器件还包括绝缘层，绝缘层位于第二区域上并将半导体发光堆叠层包覆，其中，第二区域上至少设有一个沿衬底纵向设置的凹陷部，以通过凹陷部，在绝缘层与第二区域之间形成阻挡区，其中，所述阻挡区与所述半导体发光堆叠层间隔设置，通过该设置，及防止半导体发光堆叠层的外侧壁漏电，提升制程良率，改善器件稳定性。
一种半导体发光器件

[实用新型]一种石墨载盘及化学气象沉积设备-CN202221260241.6有效
发明人：熊小亮;焦二斌;张铭信;陈铭胜 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨载盘及化学气象沉积设备，涉及半导体技术领域，该石墨载盘包括载盘本体，载盘本体的边缘设有放置槽群，石墨载盘还包括凹陷结构和支撑件，放置槽群中的每一放置槽内均设有凹陷结构和支撑件，支撑件位于放置槽的两端面之间，且凹陷结构位于支撑件之下，其中，放置槽用于容纳衬底，以通过支撑件，使衬底与凹陷结构之间形成间隔，凹陷结构包括由靠近载盘本体边缘向放置槽的内部延伸、且深度逐渐递增的第一凹陷部，通过该设置可改善石墨载盘边缘放置槽内衬底的受热均匀性，从而提升外延片的波长均匀性。
一种石墨化学气象沉积设备

[实用新型]一种MOCVD加热装置-CN202222582801.6有效
发明人：徐义武;代立铭;宋伟;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MOCVD加热装置，涉及加热装置技术领域，该MOCVD加热装置用于MOCVD设备，MOCVD设备包括电极端子，加热装置包括加热件和紧固件，加热件包括加热部和连接部，连接部和电极端子的安装部上设有相互对应的第一安装孔和第二安装孔，其中，第一安装孔和第二安装孔的其中一个上设有向边缘延伸的调节部，当加热件连接于电极端子上时，通过移动加热件，以使穿设于第一安装孔与第二安装孔之间的紧固件向调节部的延伸方向过渡，以使加热件可相对于电极端子进行移动。通过该设置，实现可将加热件与石墨盘的边缘对齐，以保障对石墨盘最外圈的温度，解决外圈晶圆受热不均匀的问题。
一种 mocvd 加热装置

[发明专利]一种MOCVD管道加热控制系统-CN202211157132.6在审
发明人：刘斌;宋伟;张龙;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H05B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOCVD管道加热控制系统，涉及半导体生产设备技术领域，该系统包括：若干个加热组件，每一加热组件均包括加热体与保温体，加热体包裹于MOCVD管道的外围，保温体包裹于加热体的外围，以通过加热体的发热对MOCVD管道进行加热；温控子系统，包括与加热组件数量相对的温度探测器，以及温度调节器与温控处理器，温度探测器设于MOCVD管道内部，并与温控处理器电性连接以用于探测MOCVD管道内部的介质温度，温度调节器与加热体电性连接以用于调节加热体的工作温度；加热体包括：加热编织层、第一表面层与第二表面层，以及导热层。旨在解决现有技术中尾气管道所接收到的热量分布不均匀，管道内部易堵塞，不便于生产过程高效进行的技术问题。
一种 mocvd 管道加热控制系统

[发明专利]一种LED外延片、制备方法及电子设备-CN202211322434.4在审
发明人：汤涛;朱江;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延片、制备方法及电子设备，所述LED外延片包括多量子阱层，所述多量子阱层包括交替堆叠的量子阱层及量子垒层，其中，所述量子垒层包括交替排布的第一子层和第二子层，所述第一子层为GaN层，所述第二子层为含Er组分的量子垒子层。通过在量子垒中加入Er组分，以使量子垒层中形成GaN/含Er组分的量子垒子层的超晶格结构，从而提高多量子阱层中对电子的势垒高度，减少了电子的泄漏；并且含Er组分的量子垒子层和所述GaN层可实现面内晶格常数匹配和无应变材料生长，从而降低器件有源区位错密度，减小位错散射和漏电通道,使得外延结构具有更优越的性能及可靠性。
一种 led 外延制备方法电子设备

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202211030358.X在审
发明人：陈万军;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提出一种LED外延结构及其制备方法，该LED外延结构，包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、过渡层、n型半导体层、有源层和p型半导体层，其中：所述n型半导体层包括预设周期个n型掺杂GaN层/EraAlbGa1‑a‑bN层超晶格结构，每个超晶格结构中的Er组分浓度和Al组分浓度均沿远离所述过渡层的方向逐渐增大。根据本发明提出的LED外延结构，可以提高势垒高度，限制电子纵向移动，减少量子阱中的电子溢流，改善有源层中的电子空穴分布，进而提高电子空穴在有源层复合发光效率。
led 外延结构及其制备方法

[实用新型]一种加热装置-CN202221045616.7有效
发明人：谢志文;张铭信;陈铭胜 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种加热装置，涉及MOCVD设备技术领域，包括石墨基座和加热组件，及自石墨基座的中心向石墨基座的边缘依次排列的若干放置槽组，放置槽组包括一个或多个放置槽，放置槽组的放置槽围绕石墨基座的中心设置，各放置槽组的放置槽的数量自石墨基座的中心向石墨基座的边缘递增，加热组件包括设于石墨基座边缘的若干加热丝，若干加热丝环绕于靠近石墨基座边缘的放置槽组，其中，加热丝上设有用于增加热辐射的倾斜部，倾斜部朝向石墨基座的中心，利用倾斜部的设置，以改善石墨基座外圈的放置槽最外沿区域温度低的情况，调整了该区域MO浓度分布，进而改善LED外延片内的发光主波长均匀性、电性良率均匀性、工作电压以及亮度均匀性。
一种加热装置

[发明专利]一种晶体管及其制备方法-CN202210971333.3有效
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该晶体管包括衬底，以及依次层叠于衬底上的成核层、缓冲层、复合高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，复合高阻层包括第一子层和设于第一子层之上的第二子层，第一子层为Si3N4层，第二子层包括n个周期性层叠的C掺杂GaN层以及ZnO层，通过该设置，可有效提升复合高阻层的晶体质量，降低漏电电流，提高器件的可靠性和使用寿命。
一种晶体管及其制备方法

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211006663.5有效
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提出一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，该晶体管包括包括复合沟道层，其中的第一掺杂InxGa1‑xN沟道层中的Si掺杂浓度低于第二掺杂InyGa1‑yN沟道层中的Si掺杂浓度，第一掺杂InxGa1‑xN沟道层中的C掺杂浓度高于第二掺杂InyGa1‑yN沟道层中的C掺杂浓度，第一掺杂InxGa1‑xN沟道层中的In组分浓度低于第二掺杂InyGa1‑yN沟道层中的In组分浓度，第二掺杂InyGa1‑yN沟道层中的In组分浓度低于第三非掺杂InzGa1‑zN沟道层中的In组分浓度。本发明提出的氮化镓基高电子迁移率晶体管，能够提高HEMT器件的二维电子气浓度，进而提升器件的输出功率。
氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法

[实用新型]一种夹取器械-CN202222143659.5有效
发明人：张龙;宋伟;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B65G7/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种夹取器械，涉及物料取放设备技术领域，夹取器械用于具有通孔的石英盘上，该夹取器械包括夹取件和设于夹取件上的手持件，夹取件上设有夹取开口，夹取开口包括平直设置的第一开口与倾斜设置的第二开口，第一开口与第二开口连通，第二开口朝向远离第一开口的一端逐渐变大并贯穿夹取件；其中，通过将第二开口穿设石英盘的通孔，以将石英盘限制于第一开口上。通过该设置，实现在对石英盘进行取放工序时，石英盘被限制在第一开口上，避免出现石英盘从夹取器械上掉落的情况。
一种器械

[实用新型]一种发光二极管-CN202221911645.7有效
发明人：肖崇武;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管，涉及半导体技术领域，包括复合欧姆接触层，该复合欧姆接触层包括第一子层、第二子层和第三子层，其中，第一子层为P型InGaN层，第二子层为非掺杂InGaN层，第三子层为N型GaN层，第三子层用于与电极连接，通过第一子层和第三子层之间插入非掺杂InGaN的第二子层的设置，使其产生的压电极化电场，可增强结区的电场强度，从而形成较小结区的隧穿距离降低复合接触层的电压，相比传统的N型接触层可以降低整体的电压，实现了低阻的P‑GaN欧姆接触。
一种发光二极管

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN202210946829.5在审
发明人：谢志文;张铭信;陈铭胜 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片包括复合电子阻挡层，复合电子阻挡层为超晶格结构，复合电子阻挡层包括M个周期交替层叠的第一子层以及第二子层；第一子层为p型掺杂EraAlbGa1‑a‑bN层，第二子层为p型掺杂GaN层。通过将现有的p型AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层转变成周期性依次层叠的p型掺杂EraAlbGa1‑a‑bN层和p型掺杂GaN层，可以实现异质结界面上的晶格匹配，消除界面应力，避免EraAlbGa1‑a‑bN势垒高度下降，保持良好的电子阻挡能力，有效提高LED的光电效率。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]外延波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机-CN202210989984.5在审
发明人：熊小亮;焦二斌;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明提供一种外延波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机，该方法包括：将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域；将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集，并将各所述点集按照各所述加热丝区域的覆盖范围进行分配得到多个目标加热丝区域；计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长，并根据各点集均值波长与目标波长得到波长差；获取各所述目标加热丝区域内的外延片两炉次波长以及两设定温度，并根据两炉次波长以及两设定温度计算出斜率；添加波长系数，并根据波长系数、波长差以及斜率分别对各所述目标加热丝区域进行温度调整，以提升各所述目标加热丝区域所产出的外延片的波长良率。
外延波长提升方法系统可读存储介质计算机