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[发明专利]一种移相器用低压高介电可调铁电材料及其制备方法-CN202310660254.5在审
发明人：闫非;廖佳佳;周益春;廖敏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明涉及一种移相器用低压高介电可调铁电材料及其制备方法，制备方法包括：步骤1、清洗单晶Si衬底，得到清洗完成的单晶Si衬底；步骤2、在所述清洗完成的单晶Si衬底上制备底电极金属层；步骤3、在所述底电极金属层的上表面制备铁电层，所述铁电层从下至上包括依次层叠的第一HfO2层、ZrO2层和第二HfO2层；步骤4、在所述铁电层上制备顶电极金属层，以得到HfO2基铁电薄膜；步骤5、对所述HfO2基铁电薄膜进行退火处理，得到低压高介电可调铁电材料。本发明所制备的移相器用低压高介电可调铁电材料可以实现多种组成材料优异性能的互补，并且制备温度低至400℃，能够与Si基CMOS工艺表现出良好的兼容性，可实现大面阵、高密度集成。
一种移相器低压高介电可调材料及其制备方法

[发明专利]氮化物材料和由其构成的压电体以及使用该压电体的MEMS器件、晶体管、逆变器、换能器、SAW器件和铁电存储器-CN202180094141.2在审
发明人：安格拉尼·斯里·阿优;秋山守人;上原雅人;山田浩志;平田研二 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有氮极性的添加了钪的氮化铝。一种由化学式ScXMYAl1‑X‑YN表示的氮化物材料，其特征在于，M为C、Si、Ge和Sn中的至少1种以上的元素，X大于0且为0.4以下，Y大于0且为0.2以下，X/Y为5以下。该氮化物材料具有氮极性的极化方向的压电性，该氮极性具有与薄膜生长方向相反的极化方向。
氮化物材料构成压电以及使用 mems 器件晶体管逆变器换能器 saw 存储器

[发明专利]包括集成于柔性衬底上的柔性单晶压电LiNbO3-CN202180085323.3在审
发明人：奥斯林·巴特赛特;塞缪尔·玛格朗;卢多维克·高蒂尔-曼纽尔;贾科莫·克莱门蒂;梅里姆·欧哈巴兹;弗洛伦特·巴斯奇诺特 -专利权人：贝桑松大学;法国国立高等机械与微技术学校
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明涉及包括集成于柔性衬底上的柔性单晶压电LiNbO3和/或LiTaO3膜的压电装置及其制造方法。更具体地，本发明涉及一种用于能量采集的柔性压电装置。所述柔性压电装置包括包含上部面和下部面的柔性衬底层，以及至少一个LiNbO3和/或LiTaO3膜，称为LNT膜，所述LNT膜结合到所述柔性衬底层的所述面中的一个，其中所述至少一个LNT膜的厚度tf是在5到50微米(μm)的使用范围之间选择。
包括集成柔性衬底压电 linbo base sub

[发明专利]一种三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型及其应用-CN202310706273.7在审
发明人：于法鹏;徐梦妍;马志鸿;刘学良 -专利权人：山东大学;山东新港电子科技有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明属于压电晶体应用技术领域，具体涉及一种三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型及其应用。所述三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型选自以下任意一种：厚度方向为X，长度方向为Y的晶片，以宽度w方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动θ角度获得的(XYw/θ)切型，42°≤|θ|≤34°；厚度方向为X，长度方向为Z的晶片，以长度l方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动α角度获得(XZl/α)切型，30°≤|α|≤33°；厚度方向为Y，长度方向为X的晶片，以宽度w方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动β角度获得的(YXw/β)切型，33°≤|β|≤60°。本发明根据BIBO晶体的对称性，通过对压电元件的切型角度设计，得到了BIBO压电晶体热膨胀系数与高温合金热膨胀系数相匹配的切型，满足高温压力传感器开发要求。
一种硼酸晶体灵敏度压电及其应用

[发明专利]机电转换元件、其制造方法和液体排出头-CN202180092568.9在审
发明人：真岛秀树;原慎太郎 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供在高温环境下长期地连续脉冲驱动时压电体的位移量的经时的降低得以抑制的机电转换元件、其制造方法和具备该机电转换元件的液体排出头。本发明的机电转换元件是具备在基板上设置的第一电极、机电转换层和第二电极的机电转换元件，其特征在于，在第一电极与机电转换层之间具备含有金属氧化物的第一高温耐久层，以及在机电转换层与第二电极之间具备含有金属氧化物的第二高温耐久层；所述机电转换层含有钙钛矿型晶体；所述机电转换层的X射线衍射测定中的(001)面的取向度为99.0％以上。
机电转换元件制造方法液体出头

[发明专利]用于改进的声波滤波器的取代氮化铝-CN201880049704.4有效
发明人： M·D·希尔;P·L·甘默尔 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：涉及一种压电材料，包括：AlN，其掺杂有选自下组的一种或多种元素的阳离子：Sb、Ta、Nb或Ge中的一种；Cr与B、Sc、Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er，Tm或Yb中的一种或多种的组合；Nb和Ta中的一种与Li、Mg、Ca、Ni、Co、和Zn中的一种的组合；Ca与Si、Ge、Ti、Zr和Hf中的一种的组合；Mg与Si、Ge、和Ti中的一种的结合；以及Co、Sb、Ta、Nb、Si、或Ge中的一种或多种与Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或Yb中的一种或多种的组合；阳离子至少部分取代压电材料的晶体结构中的Al。
用于改进声波滤波器取代氮化

[发明专利]压电组合物和压电元件-CN201980021115.X有效
发明人：广瀬正和;广瀬维子;加藤浩辉;佐佐木保;梅田裕二 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：一种压电组合物，其特征在于，包含具有以通式ABO3表示的钙钛矿结构的复合氧化物、铜以及选自铬、镍和锌中的一种以上的元素，ABO3中的A位点元素为钾，B位点元素为铌、或铌和钽，相对于复合氧化物1摩尔，铜的含有比例以CuO换算计为α摩尔％，选自铬、镍和锌中的一种以上的元素的含有比例以CrO3/2、NiO、ZnO换算计为β摩尔％，α满足0.2≤α≤2.5的关系，β满足0.2≤β≤2.0的关系。
压电组合元件

[发明专利]压电层叠体及压电元件-CN202310240096.8在审
发明人：中村诚吾 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明涉及压电层叠体及压电元件，其获得兼具高压电常数和高耐电压。所述压电层叠体及压电元件是在基板上依次具备下部电极层及压电膜的压电层叠体及压电元件，其中，压电膜包含钙钛矿型氧化物，压电膜具备：第1区域，钙钛矿型氧化物以(100)面取向或(001)面取向与基板面的法线方向形成的第1角度为5°以上且30°以下的第1钙钛矿晶体为主成分；及第2区域，设置于第1区域与下部电极层之间，钙钛矿型氧化物以(100)面取向或(001)面取向与法线方向形成的第2角度小于5°的第2钙钛矿晶体为主成分，且第2区域的厚度为30nm以上。
压电层叠元件

[发明专利]一种核电奥氏体焊缝检测用高介电压电材料及制备方法-CN201911397873.X有效
发明人：刘东旭;周学农;贾鑫 -专利权人：平拓（上海）新材料科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于核电奥氏体焊缝检测双矩阵探头的高介电压电陶瓷材料，该材料组成通式为：APb1‑x‑y‑zCaxSryBaz（Ni1／3·Nb2／3）O3·BPb（Zn1／3·Nb2／3）O3·CPbTiO3·DPbZrO3；式中：0.01＜A＜0.55；0.01＜B＜0.7；0.1＜C＜0.6；0.01＜D＜0.7；0.0≤X＜0.1；0.0≤Y＜0.1；0.0≤Z＜0.1；A、B、C、D、X、Y、Z为摩尔数，且A+B+C+D=1；在上述配方组成中，A、B、C、D、X、Y和Z为摩尔数，且A+B+C+D=1。根据上述配方组成，按化学计量比进行配料，还提供了一种制备方法。本发明优点在于采用本发明的材料配方组成和制备工艺，能获得介电常数ε：7800；压电应变常数d33:870pc／N的高介电常数压电陶瓷材料，其压电综合性能满足了核电奥氏体焊缝检测的双矩阵探头等多种型号的高性能超声探头的使用要求。
一种核电奥氏体焊缝检测用高介电压电材料制备方法

[发明专利]硅基/铁电单晶材料低温晶圆键合及薄膜化加工方法-CN202011145590.9有效
发明人：耿文平;丑修建;杨翔宇;毕开西;何锦龙;薛刚;李雅青;郑东宛 -专利权人：中北大学
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本申请公开了硅基/铁电单晶材料低温晶圆键合及薄膜化加工方法，包括：化学机械抛光原始基板与目标基板；第一次清洗后在原始基板磁控溅射Ti/Pt/Ti电极层；在原始基板上利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化层；化学机械抛光原始基板表面氧化层；第二次清洗后在原始基板和目标基板上进行第一次等离子体活化；第三次清洗后在原始基板和目标基板上进行第二次等离子体活化；采用甲醇浸泡原始基板与目标基板；预键合、施压并低温退火后完成键合；对键合晶圆进行减薄、抛光、退火及清洗处理。本申请在低温条件下完成了硅基/铁电单晶直接键合，实现了高品质、大面积、低应力铁电单晶薄膜的制备，键合界面无空洞，键合强度、薄膜质量满足器件制作要求。
硅基铁电单晶材料低温晶圆键合薄膜加工方法

[发明专利]一种Ta掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷材料及其制备方法-CN201911159114.X有效
发明人：袁爱桃 -专利权人：夏璐
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明提供了一种Ta掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷的通式为Na0.5K0.5Nb1‑yTayO3，其中0.11≤y≤0.2，本发明公开了该压电陶瓷材料的制备方法，微波水热合成Na0.5K0.5Nb1‑yTayO3粉体，7mol/L的NaOH和KOH混合碱液为溶剂，Na+和K+的比例为1:6，Nb2O5和Ta2O5为反应物，Nb2O5和Ta2O5加入总量与溶剂的质量摩尔比为1:8～1:12，Nb2O5与Ta2O5的质量摩尔比为8:1～4:1，分散剂加入量为1.5wt％，微波反应温度160～180℃，反应时间为2～4h。本发明还公开了利用上述粉体采用火花烧结制备压电陶瓷的制备方法，氧气气氛中退火处理，所获得的压电陶瓷有较好的电学性能。
一种 ta 掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]膜结构体及其制造方法-CN201780033448.5有效
发明人：木岛健 -专利权人：克里斯托株式会社
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：膜结构体(10)具有基板(11)、形成在基板(11)上且包含组成式Pb(Zr1‑xTix)O3所示的第一复合氧化物的压电膜(14)、以及形成在压电膜(14)上且包含组成式Pb(Zr1‑yTiy)O3所示的第二复合氧化物的压电膜(15)。x满足0.10＜x≤0.20，y满足0.35≤y≤0.55，压电膜(14)具有拉伸应力，压电膜(15)具有压缩应力。
膜结构及其制造方法

[发明专利]压电组合物以及压电元件-CN201910206876.4有效
发明人：加藤浩辉;广瀬维子;广瀬正和;石田未来 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明提供一种能够兼顾机械强度和压电特性并具有高可靠性的压电组合物、以及包含该压电组合物的压电元件。本发明的压电组合物是包含以组成式KmNbO3表示并具有钙钛矿结构的复合氧化物、铜和锗的压电组合物，其特征在于，组成式中的m满足0.970≤m≤0.999的关系，相对于1摩尔的复合氧化物，以铜元素换算含有x摩尔％的铜，以锗元素换算含有y摩尔％的锗，x满足0.100≤x≤1.000的关系，y满足0.000y≤1.500的关系。
压电组合以及元件

[发明专利]一种特种陶瓷的制备方法及其产品-CN202210430272.X有效
发明人：曹建平;曹建辉;吴涛;刘平;文瑾;向阳;钟洪彬;田修营;罗飞 -专利权人：湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明公开了一种特种陶瓷的制备方法及其产品。所述陶瓷包括SrBi8Ti7‑x‑yNbxWyO27和氧化铝，其中x＝0.02～0.05，y＝0.02～0.05；所述氧化铝相对于SrBi8Ti7‑x‑yNbxWyO27的量为10～20％。而且制备的特种陶瓷的压电常数d33为21.5～26.2pC/N，2Pr＝4.14～4.43μC/cm2；d33在400℃处理后仍能够维持在19.7～25.6pC/N；因而通过对SrBi8Ti7O27陶瓷改性能够有效提高压电性能和铁电性能，是用于光电多功能材料领域的理想材料。
一种特种陶瓷制备方法及其产品

[发明专利]压电材料组合物、其制造方法、压电装置和包括该压电装置的设备-CN202211647180.3在审
发明人：李用雨;朴承烈;咸龙洙;高有善;成升铉;南山;金大洙;辛昊城;严载民;高秀丸 -专利权人：乐金显示有限公司;高丽大学校产学协力团
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明涉及压电材料组合物、其制造方法、压电装置和包括该压电装置的设备。所述压电装置可以包括压电装置层、第一电极部分和第二电极部分，所述压电装置层包括第一材料和由所述第一材料围绕的第二材料，所述第一电极部分设置在所述压电装置层的第一表面处，所述第二电极部分设置在所述压电装置层的与所述第一表面相对的第二表面处。所述压电装置层包含由式1表示的压电材料组合物：0.96(NaaK1‑a)(Nbb(T1‑b))O3‑(0.04‑x)MZrO3‑x(BicAg1‑c)ZrO3+d mol％NaNbO3表示，其中，T是Sb或Ta，M是Sr、Ba或Ca，0.4≤a≤0.6，0.90≤b≤0.98，0.4≤c≤0.6，0≤d≤5.0，0≤x≤0.04。
压电材料组合制造方法装置包括设备

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