专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种静电接地装置-CN202320689152.1有效
  • 李荣典;黄家辉;毕鉴添;杨紫琪 - 广州新奥燃气有限公司
  • 2023-03-31 - 2023-10-27 - H05F3/02
  • 本实用新型提出一种静电接地装置,属于防静电设备技术领域;其技术方案要点是:包括箱体、弹性接头、自动收线机构、连接有接地线的除静电主体和设有夹子的第一电缆;本实用新型上设有自动收线机构对第一电缆进行自动收纳整齐,从而消除人工缠绕存放时发生混乱的现象,同时采用弹性接头紧贴于自动收线机构上,从而保证了除静电的可实施性,故该装置实现原有除静电功能的同时,保证了第一电缆的收线整齐。
  • 一种静电接地装置
  • [发明专利]一种基于ESP32的扫描隧道显微镜控制系统-CN202310722570.0在审
  • 杨紫琪;郭颖;黄骏;朱琳琳;严舒 - 南京信息工程大学
  • 2023-06-19 - 2023-09-15 - G01Q60/10
  • 本发明公开了一种基于ESP32的扫描隧道显微镜控制系统,包括主控芯片ESP32、控制扫描镜头移动的马达步进模块、镜头扫描模块、扫描信号采集模块、用于给探针和样品之间施加电压的施压模块和用于与上位机通讯的通讯模块。主控芯片ESP32拥有独立工作的双核系统且自带扫描信号采集模块和通讯模块,主控芯片ESP32的PWM输出功能通过改变占空比输出不同的波形,再通过低通滤波电路完成DAC转换对缓慢马达控制;IIC通信或SPI通信外挂高速DAC来控制波形的输出对快速马达控制。该发明替代现有的扫描隧道显微镜控制系统,成本低廉、体积小巧、ESP32的硬件资源充分利用同时主控芯片ESP32及其附带的滤波电路、放大电路所用芯片均为国产芯片,避免了芯片依赖进口的困境。
  • 一种基于esp32扫描隧道显微镜控制系统
  • [发明专利]具有双应力衬垫结构的CMOS器件的制造方法-CN202211401810.9有效
  • 朱海斌;杨紫琪 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-11-10 - 2023-01-24 - H01L21/8238
  • 本发明提供一种具有双应力衬垫结构的CMOS器件的制造方法,所述制造方法中使用光刻胶剥离方法替代干法刻蚀或者湿法刻蚀工艺,分别于PMOS器件上形成一层压应力氮化硅层,于NMOS器件上形成一层拉应力氮化硅层,避免由刻蚀过度导致的间隔绝缘膜损耗,还可以抑制后续的硅化反应过度反应引起的器件漏电的风险;同时,所述压应力氮化硅层还形成于浅沟槽邻接PMOS器件的侧壁,所述拉应力氮化硅层还形成于浅沟槽邻接NMOS器件的侧壁,由此沿至少两个方向引入沟道应力以改变器件的载流子迁移率,从而可以进一步提升载流子的迁移率,提高器件速度。
  • 具有应力衬垫结构cmos器件制造方法
  • [发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法-CN202211367374.8在审
  • 杨紫琪;朱海斌 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-11-03 - 2022-12-02 - H01L21/762
  • 本申请涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法。浅沟槽隔离结构的制备方法,包括:提供基底;于所述基底内形成浅沟槽;于所述浅沟槽的侧壁及底部形成侧壁氧化层;对所述侧壁氧化层进行离子注入,以形成隔离阻挡层;于所述浅沟槽内形成填充介质层,以形成浅沟槽隔离结构。通过在基底内形成浅沟槽,在浅沟槽的侧壁及底部形成侧壁氧化层,然后对侧壁氧化层进行离子注入,以形成隔离阻挡层,可以对浅沟槽进行隔离保护,在浅沟槽内形成填充介质层以形成浅沟槽隔离结构后,隔离阻挡层可以阻挡后续工艺中产生的硼离子扩散进入填充介质层内,使浅沟槽隔离结构免受破坏,避免器件产生双峰效应。
  • 沟槽隔离结构制备方法半导体

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