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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]非易失性存储器装置及其编程方法-CN201711419411.4有效
发明人：沈元补;赵志虎;金柄宅;金容锡;黄善劲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器装置及其编程方法。提供一种执行多个编程循环的非易失性存储器装置的编程方法。所述多个编程循环中的至少一个编程循环包括：在第一间隔和第二间隔期间将选择的单元串的通道划分为第一侧通道和第二侧通道；在第一间隔期间，通过施加第一电平的串选择线电压来使选择的单元串的串选择晶体管截止，并升高第一侧通道的第一电压和第二侧通道的第二电压；在第二间隔期间，通过施加与第一电平不同的第二电平的串选择线电压来使串选择晶体管导通，并对与第一侧通道或第二侧通道对应的选择的存储器单元执行热载流子注入(HCI)编程操作。
非易失性存储器装置及其编程方法

[发明专利]存储器件-CN201810461051.2有效
发明人：黄善劲;金柄宅;金容锡;李柱硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括第一开关单元、第二开关单元和多个存储单元，所述多个存储单元设置在所述第一开关单元和所述第二开关单元之间并连接到多个字线；和控制电路，被配置为通过将编程电压提供给所述多个字线之中的第一字线，将开关电压提供给所述多个字线之中的第二字线以及将通过电压提供给所述多个字线之中的剩余字线来执行编程操作。其中所述控制电路被配置为在所述编程操作的第一部分中关断所述第一开关单元和所述第二开关单元，并且被配置为在比第一部分稍后的编程操作的第二部分中导通所述第一开关单元并增加所述开关电压。
存储器件

[发明专利]三维半导体存储器装置和包括其的电子系统-CN202210615719.0在审
发明人：李海旻;金柄宅;宋怰周 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：公开了一种三维(3D)半导体存储器装置和包括其的电子系统。3D半导体存储器装置可以包括：衬底，其包括第一区域和第二区域；堆叠结构，其包括交替且重复地堆叠在衬底上的层间电介质层和栅电极，并且在第二区域上具有台阶结构；模制结构，其在第一区域上与堆叠结构相邻，并且包括交替且重复地堆叠在衬底上的层间电介质层和牺牲层；第一分离结构，其与堆叠结构交叉，并且沿着第一方向从第一区域朝向第二区域延伸；以及第二分离结构，其与模制结构交叉，并且在第一方向上在第一区域上延伸。第一分离结构的顶表面的水平可以高于第二分离结构的顶表面的水平。
三维半导体存储器装置包括电子系统

[发明专利]包括具有气隙的坝结构的半导体器件和包括其的电子系统-CN202210558714.9在审
发明人：宋炫周;金柄宅;李海旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体器件和包括其的电子系统，该半导体器件包括外围电路结构、半导体层、源极导电层、连接模层、支撑导电层、掩埋绝缘层、栅极堆叠结构、模结构、穿过栅极堆叠结构的沟道结构和支撑物层、穿过模结构和掩埋绝缘层的通孔通路、在栅极堆叠结构和模结构之间的坝结构、在坝结构上的上支撑物层、以及穿过栅极堆叠结构和上支撑物层的字线分隔层。坝结构包括第一间隔物、在第一间隔物内的第二间隔物、连接到上支撑物层并部分地在第二间隔物的内侧壁上或覆盖第二间隔物的内侧壁的下支撑物层、以及具有由第二间隔物限定的侧壁和由下支撑物层限定的顶端的气隙。
包括有气结构半导体器件电子系统

[发明专利]半导体存储器件以及包括其的数据存储系统-CN202210285396.3在审
发明人：宋炫周;金柄宅;李海旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器件和包括其的数据存储系统。该半导体存储器件包括：基板；在第一方向上堆叠的栅电极；穿透栅电极的沟道结构；在基板上且在栅电极下面的水平导电层；分隔区域，穿透栅电极和水平导电层并在第一方向和第二方向上延伸；覆盖栅电极的单元区域绝缘层；以及在分隔区域和单元区域绝缘层上并具有与分隔区域重叠的开口的上支撑层。每个分隔区域包括在沟槽中的接触导电层和第一分隔绝缘层，并具有在开口下面的第一区域和与第一区域交替的第二区域。接触导电层在第一区域中与基板接触，并在第二区域中通过第一分隔绝缘层与基板间隔开。
半导体存储器件以及包括数据存储系统

[发明专利]三维半导体存储器件-CN201811330978.9在审
发明人：李炅奂;金容锡;金柄宅;金泰勋;徐东均;林浚熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明公开一种三维半导体存储器件，该三维半导体存储器件包括：电极结构，包括交替地堆叠在基板上的栅电极和绝缘层；半导体图案，在基本上垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸并穿过电极结构；隧道绝缘层，设置在半导体图案和电极结构之间；阻挡绝缘层，设置在隧道绝缘层和电极结构之间；以及电荷存储层，设置在阻挡绝缘层和隧道绝缘层之间。电荷存储层包括具有第一能带隙的多个第一电荷捕获层以及具有大于第一能带隙的第二能带隙的第二电荷捕获层。第一电荷捕获层嵌入在栅电极和半导体图案之间的第二电荷捕获层中。
电荷捕获层电极结构三维半导体存储器半导体图案隧道绝缘层能带隙电荷存储层阻挡绝缘层栅电极基板绝缘层顶表面堆叠嵌入垂直穿过延伸

[发明专利]垂直存储器件-CN201810762317.7在审
发明人：李炅奂;金容锡;金泰勋;金柄宅;林浚熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：提供了一种垂直存储器件及其制造方法。该垂直存储器件包括堆叠在衬底上的栅电极层、贯穿栅电极层的沟道层、以及第一外延层，第一外延层与沟道层的下部接触并包括具有比沟道层的外径小的直径的区域。
垂直存储器沟道层栅电极层外延层衬底堆叠贯穿制造

[发明专利]竖直堆叠存储器件-CN201810268318.6在审
发明人：李炅奂;裴敏敬;金柄宅;赵慧珍;金容锡;金泰勋;林濬熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：竖直堆叠存储器件包括掺杂半导体衬底，所述掺杂半导体衬底具有施加了源极电力的公共源极以及与公共源极间隔开的低带隙层，并且所述低带隙层包括低带隙材料。堆叠栅极结构具有沿第一方向交替地且竖直地堆叠在衬底上的栅电极和绝缘间层图案。沟道结构沿第一方向穿透堆叠栅极结构。沟道结构与低带隙层接触。电荷存储结构介于堆叠栅极结构和沟道结构之间。电荷存储结构配置为选择性地存储电荷，并且将存储的电荷提供给存储单元、堆叠栅极结构和沟道结构。
堆叠栅极结构沟道结构低带隙衬底电荷存储结构掺杂半导体存储器件公共源极竖直堆叠低带隙材料存储单元存储电荷电荷提供绝缘间层栅电极堆叠竖直源极穿透存储施加图案配置

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