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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]提高电荷存储层表面均匀性的方法-CN200910083468.0无效
发明人：徐美玲;韩永召;陈自凡;蔡信裕 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高电荷存储层表面均匀性的方法，该方法包括：在半导体衬底的电荷存储区和外围电路区上形成电荷存储层结构；清除所述外围电路区上的电荷存储层结构，所述清除之后所述电荷存储层结构在外围电路区上有残留；在电荷存储区的电荷存储层结构上形成保护层；预清洗外围电路区上残留的电荷存储层结构；去除所述保护层。采用该方法有效地提高了电荷存储层结构的均匀性，进一步提高了器件的电学特性。
提高电荷存储表面均匀方法

[发明专利]存储器电荷存储结构中的吸气剂-CN201710050788.0有效
发明人：雷特·T·布鲁尔;迪莱·V·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及存储器电荷存储结构中的吸气剂、可用于非易失性存储器装置的存储器单元，所述存储器单元包含在其中具有吸气剂的电荷存储结构。提供对电荷存储结构的电荷存储材料中的氧的吸除可促进缓解所述电荷存储材料的有害氧化。
存储器电荷存储结构中的吸气

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法-CN201510724303.2有效
发明人：陈克基;王献德 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器及其制造方法。非挥发性存储器包括基底、埋入式电荷存储晶体管以及选择晶体管。在基底中具有开口。埋入式电荷存储晶体管设置于基底中。埋入式电荷存储晶体管包括电荷存储结构与导体层。电荷存储结构设置于开口中的基底上。导体层设置于电荷存储结构上，且填满开口。选择晶体管设置于埋入式电荷存储晶体管一侧的基底上，其中选择晶体管包括金属栅极结构。所述非挥发性存储器具有较佳的电荷存储能力。
挥发性存储器及其制造方法

[实用新型]电荷存储单元-CN201720917902.0有效
发明人： L·斯塔克 -专利权人：意法半导体(R&D)有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及电荷存储单元。一种电荷存储单元，包括：半导体区，半导体区具有第一导电类型的电荷载流子；第一深沟槽隔离结构；电荷存储区，电荷存储区的位置邻近于第一深沟槽隔离结构，电荷存储区包括与第一导电类型不同的第二导电类型的电荷载流子并且基本上沿着整个第一深沟槽隔离结构延伸；以及第二深沟槽隔离结构，第二深沟槽隔离结构的位置邻近于电荷存储区并且与第一深沟槽隔离结构相对。
深沟槽隔离结构电荷存储区电荷存储单元第一导电类型电荷载流子半导体区位置邻近导电类型延伸

[发明专利]存储器操作方法-CN200810080532.5有效
发明人：郭明昌 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-02-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种存储器的操作方法，该操作方法包括下列步骤：首先，提供一存储器，存储器包括一电荷储存结构。接着，注入第一型电荷至电荷储存结构内，使存储器的阈值电平高于一擦除电平。然后，注入第二型电荷至电荷储存结构，使存储器的阈值电平低于一设定位电平。接着，注入第一型电荷至电荷储存结构内，使存储器的阈值电平趋近于或等于设定位电平。
存储器操作方法

[发明专利]用于生成高动态范围图像的成像系统和方法-CN202010684908.4有效
发明人： T·吉尔茨;M·H·因诺森特;R·M·奎达什;G·查皮纳尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H04N25/78 文献下载
摘要：每个图像传感器像素可包括：光敏元件，光敏元件被配置为响应于入射光而生成电荷；第一电荷存储结构，第一电荷存储结构被配置为针对低增益信号聚积生成电荷的溢出部分；以及第二电荷存储结构，第二电荷存储结构被配置为针对高增益信号存储生成电荷的剩余部分每个图像传感器像素还可包括专用溢出电荷存储结构，专用溢出电荷存储结构插置在第一电荷存储结构与浮动扩散区之间。
用于生成动态范围图像成像系统方法

[发明专利]电荷陷入存储单元的自收敛擦除方法及其系统-CN200510069646.6有效
发明人：邹年凯;蔡文哲;陈宏岳;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-04-26 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种电荷陷入存储单元的操作方法及其结构。存储单元的操作方法包括通过注入负电荷至电荷陷入结构层内，以使存储单元的临界电压高于高状态临界值，以于存储单元建立高临界状态。此方法还包括使用自收敛偏压程序，其通过减少电荷陷入结构层内的负电荷以设定存储单元的临界电压低于低临界状态，于存储单元建立低临界状态。通过执行偏压程序以减少存储单元内的负电荷，此偏压程序至少包括偏压脉冲。此偏压脉冲平衡了流入和流出电荷陷入结构层内的电荷，使电荷陷入结构层内的电荷达到自收敛在期望的临界基准上。
电荷陷入存储单元收敛擦除方法及其系统

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202010466393.0在审
发明人：徐震球;詹勋桂;薛凯安;黄铭德;姜俐岑;廖宏魁 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器结构及其制造方法，其中该存储器结构包括基底、电荷存储层、第一栅极、第一介电层与第二介电层。基底包括存储单元区。电荷存储层位于存储单元区中的基底上。电荷存储层具有凹陷。电荷存储层在凹陷的周围具有尖端。第一栅极位于电荷存储层上。第一介电层位于电荷存储层与基底之间。第二介电层位于第一栅极与电荷存储层之间。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]存储器结构及其操作方法-CN202110924150.1在审
发明人：许家荣;萧婉匀;孙文堂 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器结构及其操作方法。上述存储器结构包括基底、栅极结构、电荷存储层与第一控制栅极。基底具有鳍部。部分栅极结构设置在鳍部上。栅极结构与鳍部彼此电性绝缘。电荷存储层耦合于栅极结构。电荷存储层与栅极结构彼此电性绝缘。第一控制栅极耦合于电荷存储层。第一控制栅极与电荷存储层彼此电性绝缘。上述存储器结构可具有较佳的数据保存能力。
存储器结构及其操作方法

[发明专利]存储器电荷存储结构中的吸气剂-CN201180050988.7有效
发明人：雷特·T·布鲁尔;迪莱·V·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及可用于非易失性存储器装置的存储器单元，所述存储器单元包含在其中具有吸气剂的电荷存储结构。提供对电荷存储结构的电荷存储材料中的氧的吸除可促进缓解所述电荷存储材料的有害氧化。
存储器电荷存储结构中的吸气

[发明专利]制作嵌入式非挥发存储器的方法-CN201710340214.7有效
发明人：李皞明;林胜豪;郑子铭 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本发明公开一种制作嵌入式非挥发存储器的方法。先提供半导体基板，具有鳍状结构，凸出于绝缘层上。再形成电荷存储层，横跨鳍状结构。然后于半导体基板上沉积层间介电层。研磨层间介电层，直到显露出电荷存储层的上表面。接着蚀刻电荷存储层，再将电荷存储层切断成分离的电荷存储结构。在电荷存储结构上形成高介电常数介电层，再于高介电常数介电层形成字符线。
制作嵌入式挥发存储器方法

[发明专利]一种多值存储器-CN202110159578.1在审
发明人：赵立新;杨瑞坤;李继刚 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多值存储器，该多值存储器包括：多个存储子列；每个存储子列包括浮置扩散区和多个存储单元；所述存储单元至少包括：电荷存储区和对应的转移晶体管；其中，所述电荷存储区包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有孔洞结构；掺杂外延层，填充于所述孔洞结构，与所述半导体衬底形成侧向PN结电容，实现电荷的存储功能。本发明实施例存储单元的电荷存储区不同于传统结构，该电荷存储区通过刻蚀形成孔洞，并在孔洞内外延制备得到，该电荷存储区的结构提升了满阱容量。
一种存储器

[发明专利]光电转换元件、固态成像装置和电子设备-CN201980076490.4在审
发明人：堀越浩 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明的光电转换元件设置有：光电转换单元，其将光信号转换为信号电荷；传输栅极结构，其连接至所述光电转换单元并且传输所述信号电荷；电荷存储区域，所述信号电荷被所述传输栅极结构传输至所述电荷存储区域；电荷保持单元，其电连接至所述电荷存储区域且具有电容器结构以用于存储所述信号电荷；和放大晶体管，其具有电连接至所述电荷存储区域的控制电极。所述光电转换单元、所述传输栅极结构和所述电荷存储区域设置在第一基板上，所述放大晶体管设置在第二基板上；并且所述第一基板和所述第二基板彼此层叠。
光电转换元件固态成像装置电子设备

[发明专利]三维存储结构及其制作方法、三维存储器及存储系统-CN202210568892.X在审
发明人：袁伟;杜小龙;高庭庭;孙昌志;刘小欣;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请涉及一种三维存储结构及其制作方法、三维存储器及存储系统，包括：形成堆叠结构，堆叠结构包括在纵向上多层交替层叠设置的第一材料层和第二材料层；形成在纵向上贯穿堆叠结构的沟道孔；在露出于沟道孔内壁的第一材料层表面上形成第一电荷存储体；在第一电荷存储体的在纵向上的至少一侧上形成间隔层；在沟道孔内壁上于横向上对应于第二材料层的部位形成第二电荷存储体，第二电荷存储体与第一电荷存储体在纵向上被间隔层隔开，从而能够阻止三维存储结构的电荷存储层中电荷沿沟道方向的迁移，提高了三维存储器的数据保持特性。
三维存储结构及其制作方法存储器存储系统

[发明专利]半导体器件及其制造方法以及数据存储系统-CN202211324701.1在审
发明人：李奉镕;李昇原 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件及其制造方法以及数据存储系统。一种半导体器件包括：基板；堆叠结构，包括第一栅极层、第一层间绝缘层和第二栅极层；以及穿透堆叠结构并与基板接触的沟道结构，沟道结构包括沟道层、围绕沟道层的垂直隧穿层、在垂直隧穿层的外表面上的电荷存储图案以及在电荷存储图案的外表面上的阻挡图案，电荷存储图案包括垂直地间隔开并分别与第一栅极层和第二栅极层相邻的第一电荷存储材料层和第二电荷存储材料层，阻挡图案包括在电荷存储材料层和栅极层之间的垂直间隔开的阻挡材料层，并且阻挡图案接触电荷存储图案的外表面并包括相对于电荷存储图案的外表面进一步延伸的垂直突出部
半导体器件及其制造方法以及数据存储系统

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