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[发明专利]执行偏移校准的存储器装置及其操作方法-CN202211327835.9在审
发明人：李东勋;金基镐;金基汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：公开了一种执行偏移校准的存储器装置和操作存储器装置的方法。该存储器装置包括：被配置为从在外部的装置接收数据的输入/输出焊盘；连接至输入/输出焊盘的片内端接(ODT)电路；多个接收器，其连接至ODT电路，并被配置为接收来自于输入/输出焊盘的数据；偏移校准电路，其被配置为对由多个接收器输出的数据执行偏移校准操作，并输出偏移校正；第一开关，其被配置为向多个接收器提供第一电压；以及第二开关，其被配置为向多个接收器提供第二电压。在操作偏移校准期间，多个接收器响应于ODT电路被使能而接收第三电压，并且通过第一开关接收第一电压。
执行偏移校准存储器装置及其操作方法

[发明专利]基于基本句型单位分解的外语句子结构学习系统-CN202180050247.2在审
发明人：宋环求;尹显智;尹琇泫;段铉锡;金基镐 -专利权人：株式会社宋医生
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G06F40/268 文献下载
摘要：本发明的基于基本句型单位分解的外语句子结构学习系统由计算装置执行，上述计算装置包括：至少一个处理器；以及至少一个存储器，用于存储上述处理器能够执行的多个指令，本发明的特征在于，包括：句子分解部，当用户输入由外语组成的自然语言时，将与所输入的上述自然语言对应的复合句子分解成多个基本句子；句型类型判断部，若通过上述句子分解部完成复合句子的分解，则通过确认所分解的多个上述基本句子中所包括的语素或词中的一个来判断多个上述基本句子的句型类型；附加信息指定部，当通过上述句型类型判断部完成分别对多个上述基本句子的句型类型的判断时，将多个上述基本句子中所包括的语素或词中的一部分指定为附加信息；以及附加信息存储部，若完成上述附加信息的指定，则将上述附加信息与未被指定为上述附加信息的语素或词中的一个进行匹配来将上述附加信息存储于预存储的基本语素词典表中所包括的基本语素类别。此外，可具有通过本说明书掌握的多种实施例。
基于基本句型单位分解外语句子结构学习系统

[发明专利]信号传输方法、电路及存储器-CN202110579192.6在审
发明人： 金基镐 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H03K5/04 文献下载
摘要：本申请提供一种信号传输方法、电路及存储器，能够在接收到外部的第一信号时，若外部信号存在窄脉冲，则将第一信号进行处理后不包括窄脉冲的第二信号输出到存储器内部进行处理；若外部信号不存在窄脉冲，才将第一信号直接输出到存储器内部进行处理，从而消除了存储器所接收到的外部信号的窄脉冲，使得外部信号的窄脉冲不会影响存储器内部对外部信号的正常处理，提高存储器对信号进行处理时的准确性。
信号传输方法电路存储器

[发明专利]读出放大器、存储装置以及电子设备-CN202210150312.5在审
发明人：池性洙;金基镐;金正镐;孙周焕;易莎 -专利权人：真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本公开公开涉及读出放大器、包括该读出放大器的存储装置以及包括该存储装置的电子设备，该读出放大器包括：第一隔离单元；第二隔离单元；第一偏移消除单元；第二偏移消除单元；以及感测放大单元，其包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，其中，读出放大器还包括第一均衡单元和第二均衡单元中的至少一者，其中第一均衡单元配置成选择性地将预充电电压施加到位线，且第二均衡单元配置成选择性地将预充电电压施加到互补位线。由此，能够改善预充电操作中对位线的均衡性能，从而提高读出放大器的感测效率。
读出放大器存储装置以及电子设备

[发明专利]存储操作参数的多个参数码的设备、存储器装置和方法-CN202111231244.7在审
发明人：李泳斌;金基镐;张晋熏;崔娟圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了存储操作参数的多个参数码的设备、存储器装置和方法。所述存储器装置包括模式寄存器和控制逻辑电路。为了设置一个操作参数的第一操作条件和第二操作条件，模式寄存器存储所述一个操作参数的第一参数码和被表示为相对于第一参数码的偏移值的第二参数码。控制逻辑电路基于第一控制码通过使用第一参数码来将第一操作条件设置为所述存储器装置的当前操作条件，并且基于第二控制码通过使用第一参数码和第二参数码将第二操作条件设置为所述存储器装置的当前操作条件。
存储操作参数设备存储器装置方法

[发明专利]薄膜形成方法-CN201980058805.2在审
发明人：金真雄;申承祐;柳次英;郑愚德;柳斗烈;赵星吉;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;金基镐 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，一种薄膜形成方法，将被处理体装载至腔室内，将上述被处理体的温度控制为400℃以下，并向上述腔室内供应硅源气体和氧化气体，以在上述被处理体表面形成氧化硅膜，其特征在于，所述氧化气体在被供应至所述腔室内之前被加热至超过400℃的温度。
薄膜形成方法

[发明专利]非晶薄膜形成方法-CN202010704396.3在审
发明人：申承祐;柳次英;郑愚德;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;权赫龙;金基镐 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及形成非晶薄膜的方法。根据本发明的一实施例，形成非晶薄膜的方法包括：在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；在上述种子层供给包括含硼气体的第一源气体而形成掺杂有硼的第一非晶薄膜的工序；以及在上述第一非晶薄膜供给包括含硼气体的第二源气体而形成掺杂有硼的第二非晶薄膜的工序。
薄膜形成方法

[发明专利]非晶薄膜形成方法-CN201680023468.X有效
发明人：申承祐;柳次英;郑愚德;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;权赫龙;金基镐 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及形成非晶薄膜的方法。根据本发明的一实施例，形成非晶薄膜的方法包括：在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；在上述种子层供给包括含硼气体的第一源气体而形成掺杂有硼的第一非晶薄膜的工序；以及在上述第一非晶薄膜供给包括含硼气体的第二源气体而形成掺杂有硼的第二非晶薄膜的工序。
薄膜形成方法

[发明专利]集成电路结构和存储器-CN201811290078.6在审
发明人： 金基镐 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路结构，包括DQ端口、第一区域和第二区域，第一区域位于DQ端口一侧，配置有用于写入的第一电路和用于读取的第二电路，第二区域位于第一区域的一侧，配置有用于写入的第三电路、用于读取的流水线单元和中继器。本发明将读写电路分区域布置，减少了芯片版图上全局数据线数量，从而减小了芯片面积和功耗；对读写数据线进行分离，减少了由连续性读取转为写入或由连续性写入转为读取时的时间间隙。
集成电路结构存储器

[发明专利]建筑物内外表面的印刷施工方法-CN201680032618.3有效
发明人： 金基镐 -专利权人：秀们韩国株式会社
申请日： 2016-06-09 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： B41M1/26 文献下载
摘要：提供一种建筑物内外表面的印刷施工方法，利用印刷施工装置1在建筑物的内、外表面进行印刷文案施工，所述印刷施工装置1根据使用者的选择，能够将用于压电方式的印刷油墨或由UV固化性物质构成的印刷油墨盛装于喷射装置2，根据喷射装置2中盛装的印刷油墨种类，在压电方式或UV固化方式中选择，喷射装置2、固化装置11及涂覆剂涂覆装置14依次配置，在行驶中依次实现压电方式或UV固化方式的印刷油墨的喷射、固化及涂覆剂的喷射。
建筑物内外表面印刷施工方法

[发明专利]基于外部电压确定操作模式的存储器装置及其操作方法-CN201811318563.X在审
发明人：许珍锡;文正旭;金基镐;白真赫;玄锡勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： G11C11/4096 文献下载
摘要：本公开涉及基于外部电压确定操作模式的存储器装置以及操作该存储器装置的方法。该存储器装置包括：单元阵列，所述单元阵列包括多个存储单元；模式选择器，所述模式选择器检测外部提供的至少一个电压信号的电平，并根据检测所述至少一个电压信号的所述电平的结果，选择与多个标准对应的多个操作模式中的任何一个。所述存储器装置还包括模式控制器，所述模式控制器响应于来自所述模式选择器的模式选择信号，输出设置信息，所述设置信息用于设置所述存储器装置来经由根据所述多个标准中的选定标准的接口与存储器控制器通信；以及校准电路，所述校准电路根据所述设置信息，生成用于控制所述存储器装置中的电路块的控制码。
存储器装置模式选择器操作模式模式控制器单元阵列电压信号设置信息外部电压校准电路存储器控制器模式选择信号输出设置信息存储单元外部提供电路块控制码检测响应通信

[发明专利]银键合线及其制造方法-CN201580045132.9有效
发明人： 金基镐;卓容德;康一太;金炳吉;金泰烨 -专利权人：贺利氏德国有限两合公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供键合线和制造键合线的方法。该键合线包含90.0至99.0重量%的银(Ag)；0.2至2.0重量%的金(Au)；0.2至4.0重量%的钯(Pd)、铂(Pt)或铑(Rh)或其组合；10至1000 ppm的掺杂剂；和不可避免的杂质，其中(a)/(b)的比率为3至5。(a)是指在线纵向上的晶体取向中具有<100>取向的晶粒的量，且(b)是指在线纵向上的晶体取向中具有<111>取向的晶粒的量。
银键合线及其制造方法

[实用新型]集成电路结构和存储器-CN201821788689.9有效
发明人： 金基镐 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成电路结构，包括DQ端口、第一区域和第二区域，第一区域位于DQ端口一侧，配置有用于写入的第一电路和用于读取的第二电路，第二区域位于第一区域的一侧，配置有用于写入的第三电路、用于读取的流水线单元和中继器。本实用新型将读写电路分区域布置，减少了芯片版图上全局数据线数量，从而减小了芯片面积和功耗；对读写数据线进行分离，减少了由连续性读取转为写入或由连续性写入转为读取时的时间间隙。
读取第一区域写入集成电路结构本实用新型电路第二区域读写数据线流水线单元全局数据线存储器读写电路时间间隙芯片版图分区域面积和中继器功耗减小配置芯片

[发明专利]测试装置及其操作方法-CN201310692317.1有效
发明人： 金基镐 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：一种测试装置包括：核心部，适用于容纳要测试的半导体器件；封装器数据寄存器，适用于存储用于测试半导体器件的数据；以及带宽控制器，适用于根据要测试的半导体器件来自适应地控制核心部和封装器数据寄存器之间的数据带宽。
测试装置及其操作方法

[发明专利]多晶硅膜的形成方法-CN201580009505.7有效
发明人：申承祐;郑愚德;赵星吉;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;权赫龙;朴成真;金基镐;李康旭 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明涉及形成硅膜的方法，更详细地涉及在形成硅膜的工序中包含预处理工序的多晶硅膜形成方法。根据本发明的一实施例，硅膜形成方法在对蒸镀于基底上的非晶硅膜进行热处理而制作多晶硅膜的工序中，在热处理之前包括预处理工序，该预处理工序流过包含有N、C、O、B中任一种以上元素的预处理气体。
多晶形成方法

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