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[发明专利]一种非易失性存储器的编程方法及控制装置-CN201910406216.0有效
发明人：薛子恒;苏如伟;潘荣华 -专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器的编程方法及控制装置。所述方法包括：获取待编程数据，其中所述待编程数据的位数小于目标编程数量；对待编程数据进行编程校验；如果编程失败，则根据编程次数选取对应的编程模式进行编程。利用该方法，能够提升非易失性存储器的编程效率。
一种非易失性存储器编程方法控制装置

[发明专利]一种非易失性存储器的编程方法及控制装置-CN201910402157.X有效
发明人： 苏如伟;薛子恒;潘荣华 -专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器的编程方法及控制装置。所述方法包括：获取目标编程数量的待编程数据；对待编程数据进行编程校验；如果编程失败，则根据编程次数选取对应的编程模式进行编程。利用该方法，能够提升非易失性存储器的编程效率。
一种非易失性存储器编程方法控制装置

[发明专利]一种应用于MRAM的WRITE控制方法及控制电路-CN202111475672.4在审
发明人：朱长峰;苏如伟;刘铭;梅健平;孙锋锋 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提出了一种应用于MRAM的WRITE控制方法及控制电路。所述WRITE控制方法步骤1、将WRITE控制电路的每行传输管的栅极连接在一起组成字线WL，将每列所述传输管的源极连接在一起组成多个位线SL，将WRITE控制电路的每一列所述磁隧道结MTJ连接在一起组成位线BL；步骤2、将所有位线SL连接在一起形成一个共用源线CSL；步骤3、设置高电压VBL、中间电压VSL和低电压VSS的电压数值；步骤4、使字线WL始终处于打开状态；步骤5、通过调节所述位线BL与所述共用源线CSL之间的电压对所述MRAM的存储单元的写入状态0或1进行调节。所述控制电路具有实现所述WRITE控制方法的电路结构。
一种应用于 mram write 控制方法控制电路

[发明专利]一种应用于MRAM中的放大电路-CN202111475858.X在审
发明人：梅健平;刘铭;苏如伟;孙锋锋;朱长峰 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种应用于MRAM中的放大电路。所述放大电路包括基础放大电路和电流差增加电路；所述基础放大电路包括两个负载MOS管；所述电流差增加电路包括两个MOS管；所述电流差增加电路中的两个MOS管对称镜像设置于所述基础放大电路的两个负载MOS管之间，并且，所述两个MOS管的各信号端口分别与所述两个负载MOS管的各端口之间进行电路连接，通过所述电流差增加电路的两个MOS管增加所述两个负载MOS管之间的电流差，使所述两个负载MOS管的漏极信号端输出的电压之间的差值增大。
一种应用于 mram 中的放大电路

[发明专利]存储单元的阈值调整方法、装置、存储设备和存储介质-CN201811089387.7有效
发明人：张赛;苏如伟;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储单元的阈值调整方法、装置、存储设备和存储介质。所述方法包括：如在执行擦除操作的过程中异常断电，则在异常断电后第一次上电时，从设定存储区域获取擦除操作对应的擦除地址数据，设定存储区域用于在每一次擦除操作执行前存储本次擦除操作对应的擦除地址数据；对擦除地址数据对应的存储单元进行软编程操作，软编程操作对应的软编程成功检验阈值为0V。本发明实施例的技术方案解决了现有技术中为了提高擦除过程异常掉电后，再次上电时数据读取的准确度，导致数据存储成本大幅增加的技术缺陷，实现了在不增加硬件成本的同时，提高擦除过程异常掉电后，再次上电时数据读取的准确度，大大降低了数据存储的成本。
存储单元阈值调整方法装置设备介质

[发明专利]位线的筛选方法、装置、存储设备和存储介质-CN201811089912.5有效
发明人：张赛;苏如伟;冯骏 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种位线的筛选方法、装置、存储设备和存储介质。所述方法包括：对相互独立的每一个待检测区域中所有位线以间隔施加相同电压的方式施加设定时间的第一检测电压和第二检测电压，对每一个待检测区域中的所有字线施加设定时间的截止电压；对每一个待检测区域进行检验编程操作，使每一个待检测区域中任意相邻的两个存储单元存储的数据均不同；校验每一个待检测区域中所有存储单元的存储数据是否与检验编程操作匹配；将存储数据与检验编程操作不匹配的存储单元对应的位线确定为失效位线。本发明实施例的技术方案解决了现有的失效位线检测方法难以检测出潜在失效位线的技术缺陷，实现了一次性快速、准确地检测出全部失效位线。
筛选方法装置存储设备介质

[发明专利]一种裸片和一种晶硅圆片-CN201811086151.8在审
发明人：韩飞;张赛;苏如伟 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种裸片和一种晶硅圆片。所述裸片包括：设置于裸片的顶层金属上且分别与裸片的不同的功能测试孔相连的至少两个冗余测试孔；其中，任意两个冗余测试孔的间距大于与其相连的两个功能测试孔的间距，冗余测试孔用于替代与其连接的功能测试孔与裸片所对应的测试针卡相连。本发明实施例的技术方案解决了现有技术中由于裸片中的功能测试孔间距较小，导致测试针卡制作难度大和制作成本高的技术缺陷，通过在裸片上增设孔距较大的冗余测试孔，使得测试针卡中的测试针的间距得以加大，由此降低了测试针卡的制作难度，进而降低了测试针卡的制作成本。
一种晶硅圆片

[发明专利]一种存储数据的擦除方法及装置-CN201810939484.4在审
发明人： 苏如伟;韩旭;刘永波 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储数据的擦除方法及装置，该方法通过将被擦除的存储数据对应的存储区域划分为多个擦除子区域，再根据擦除子区域在存储区域中的位置，依次对擦除子区域中的存储数据进行擦除。本发明实施例提供的存储数据的擦除方法及装置，能够通过将存储区域划分为多个擦除子区域，使得每个擦除子区域中的存储数据具有较好的一致性，并依次分别对擦除子区域中的存储数据进行擦除，从而减少过擦除现象的产生，进一步减少过擦除状态导致的漏电现象的产生。
一种存储数据擦除方法装置

[发明专利]一种存储数据的读取方法及装置-CN201810939738.2在审
发明人： 苏如伟;韩旭 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储数据的读取方法及装置，该方法通过采用至少两个不同的读取参考电信号，读取存储器中的存储数据；在不同的参考电压对同一存储数据进行读取的结果相同时，判断出该存储数据为可靠数据；而在不同的参考电信号对同一存储数据进行读取的结果不相同时，判断出该存储数据为存疑数据。本发明实施例提供的存储数据的读取方法及装置，能够通过采用至少两个不同的参考电信号对存储数据进行读取，并判断所读取存储数据的可靠性，从而能够采用简单的存储数据读取方法，使得存储器中存储数据的读取结果更加准确。
一种存储数据读取方法装置

[发明专利]一种存储数据的加固方法及装置-CN201810940100.0在审
发明人： 苏如伟 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储数据的加固方法及装置，该方法通过在存储区上电待机时，对存储器中的存储数据进行刷新操作，并检测存储器中存储数据的保持力，在存储器中存储数据的保持力减弱时，对存储数据进行加固操作。本发明实施例提供的存储数据的加固方法及装置，能够在存储器中的存储数据运行前，对存储数据进行刷新操作，检测存储数据的保持力，并在存储数据的保持力减弱时，执行加固操作，从而提高存储数据的可靠性，避免了因数据出错而造成系统崩溃现象的产生。
一种存储数据加固方法装置

[发明专利]一种存储器擦除方法及装置-CN201711249945.7在审
发明人： 苏如伟;马向超;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储器擦除方法及装置。其中，存储器擦除方法包括：对擦除区域内排布的存储单元进行擦除操作；对所述存储单元进行第一过擦除验证操作中的读验证操作，以获取阈值电压小于零的存储单元；在对所述存储单元进行第一过擦除验证操作中的编程操作时，依次选中所述阈值电压小于零的存储单元，对选中阈值电压小于零的存储单元所连接的字线施加第一电压，对未选中的字线施加零电压，以提高选中存储单元的阈值电压，其中，所述第一电压为正电压。本发明实施例提供的技术方案，可解决现有的存储器过擦除后，编程效率不高的问题。
存储单元阈值电压存储器擦除过擦除选中验证字线施加编程操作编程效率擦除操作零电压正电压排布

[发明专利]一种存储器擦除方法及装置-CN201711249925.X在审
发明人： 苏如伟;张建军;马向超 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储器擦除方法及装置。其中，对擦除区域内的排布的存储单元进行擦除操作；对所述存储单元进行第一过擦除验证操作，用于将所述存储单元的阈值电压增大至大于第一设定阈值；依次对所述存储单元进行第二过擦除验证操作，用于将所述阈值电压增大至大于第二设定阈值；在进行所述第二过擦除验证操作中的读验证操作时，对所述擦除区域所在存储块内的所有未选中字线施加负压，所述未选中字线为未与当前进行第二过擦除验证操作的存储单元的控制端电连接的字线。本发明实施例提供的技术方案，可解决存储器的老化和衰退，导致非擦除区域存在漏电，增加过擦除验证操作的时间的问题。
存储单元过擦除擦除验证存储器未选中字线阈值电压漏电擦除操作电连接控制端负压排布字线存储老化施加衰退

[实用新型]一种裸片和一种晶硅圆片-CN201821527749.1有效
发明人：韩飞;张赛;苏如伟 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种裸片和一种晶硅圆片。所述裸片包括：设置于裸片的顶层金属上且分别与裸片的不同的功能测试孔相连的至少两个冗余测试孔；其中，任意两个冗余测试孔的间距大于与其相连的两个功能测试孔的间距，冗余测试孔用于替代与其连接的功能测试孔与裸片所对应的测试针卡相连，解决了现有技术中由于裸片中的功能测试孔间距较小，导致测试针卡制作难度大和制作成本高的技术缺陷，通过在裸片上增设孔距较大的冗余测试孔，使得测试针卡中的测试针的间距得以加大，由此降低了测试针卡的制作难度，进而降低了测试针卡的制作成本。
裸片测试针功能测试冗余测试硅圆片制作种晶本实用新型顶层金属技术缺陷孔距增设替代

[发明专利]增强存储阵列位线缺陷漏电的方法-CN201310376629.1有效
发明人：洪杰;苏如伟;王林凯 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G11C29/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储技术领域，具体涉及一种增强存储阵列位线缺陷漏电的方法，所述方法包括：对存储阵列进行编程，形成棋盘格测试图形；所述形成棋盘格测试图形指存储阵列中形成的高阈值电压存储单元和低阈值电压存储单元依次间隔排列形成的高阈值电压存储单元和低阈值电压存储单元分布。在存储阵列相邻位线之间和相邻字线之间形成高电平和低电平；持续一定时间所述在存储阵列相邻位线之间和相邻字线之间形成的高电平和低电平，根据相邻位线之间形成的高低平和低电平的电压差增强位线之间潜在缺陷的漏电。本发明采用技术方案，增强了位线之间潜在缺陷的漏电，进而在检测阶段检测出来，提升了存储器读取数据的准确度。
增强存储阵列缺陷漏电方法

[发明专利]一种蒜苗的种植方法-CN201810394379.7在审
发明人： 苏如伟 -专利权人： 苏如伟
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： A01G22/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种蒜苗的种植方法，包括以下步骤：1）选择蒜籽：经选择好的蒜籽放在强磁弱碱性水中浸泡；2）栽种蒜籽：a、选用一米宽的苗床，在苗床上铺一层培养土；b、将第1步中浸泡好并沥干的蒜籽插在苗床上，栽种蒜籽后,再盖上培养土一层,并浇一次透水；3）蒜籽成长期：当蒜苗株高1‑2cm时，再浇一次透水；在自然光下进行正常田间管理，当蒜苗株高为14‑16cm时,浇一次水；4）蒜苗收获：当蒜苗长到68‑72cm时,收获蒜苗。本蒜苗的种植方法能够有利于蒜籽生根发芽，从而提高蒜苗的成活率，促进蒜苗的成长；通过对蒜籽栽种和蒜苗生长期的管理有效增加蒜苗的产量，改善蒜叶和叶鞘的质量。
苗床栽种培养土透水种植自然光水中浸泡田间管理成长期弱碱性一次水收获沥干强磁蒜叶叶鞘上铺成活率浸泡发芽生根管理

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