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[发明专利]十二边形传送腔室和具有十二边形传送腔室的处理系统-CN202211014290.6在审
发明人：栗田真一;稻川真;汉正·H·林;松本隆之;苏希尔·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：提供了一种适于处理多个基板的用于处理系统的传送腔室及其使用方法。所述传送腔室包括：盖；底部，与所述盖相对地设置；多个侧壁，将所述盖密封地耦接到所述底部并限定内部容积，其中所述多个侧壁形成十二边形的面。开口形成在所述面中的每个面中，其中所述开口经构造以用于使基板从中通过。传送机器人设置在所述内部容积中，其中所述传送机器人具有受动器，所述受动器经构造以支撑所述基板通过一个开口到达另一个开口。
十二传送具有处理系统

[发明专利]十二边形传送腔室和具有十二边形传送腔室的处理系统-CN201780033957.8有效
发明人：栗田真一;稻川真;汉正·H·林;松本隆之;苏希尔·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种适于处理多个基板的用于处理系统的传送腔室及其使用方法。所述传送腔室包括：盖；底部，与所述盖相对地设置；多个侧壁，将所述盖密封地耦接到所述底部并限定内部容积，其中所述多个侧壁形成十二边形的面。开口形成在所述面中的每个面中，其中所述开口经构造以用于使基板从中通过。传送机器人设置在所述内部容积中，其中所述传送机器人具有受动器，所述受动器经构造以支撑所述基板通过一个开口到达另一个开口。
十二传送具有处理系统

[其他]沉积设备-CN201890001646.3有效
发明人：于尔根·格里尔迈尔;稻川真;苏哈斯·博斯基;细川昭弘;奥利弗·格拉沃尔;西蒙·刘 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：描述了一种沉积设备。所述沉积设备包括：第一沉积源，所述第一沉积源被配置为在基板接收区域中沉积材料；以及掩蔽元件，所述掩蔽元件设置在所述第一沉积源与所述基板接收区域之间，所述掩蔽元件被配置为移动以调整距所述基板接收区域的掩模距离来沉积所述材料。
沉积设备

[实用新型]热学腔室-CN201621383412.9有效
发明人：栗田真一;稻川真;苏哈斯·博斯克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本文所述实施方式涉及热学腔室。所述热学腔室可为配置用于制造OLED装置的较大处理系统的部分。所述热学腔室可配置成加热和冷却用于所述处理系统中的沉积工艺的掩模和/或基板。所述热学腔室可包括腔室主体，所述腔室主体限定大小适于接收容纳多个掩模和/或基板的一或多个晶盒的空间。在所述空间内耦接到所述腔室主体的加热器可配置成以可控制的方式在沉积工艺前加热掩模和/或基板和在沉积工艺后冷却掩模和/或基板。
热学

[实用新型]腔室盖装置、传送腔室装置以及用于提升盖的装置-CN201520914718.1有效
发明人：栗田真一;稻川真;H·H·林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： B65G35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种腔室盖装置、传送腔室装置以及用于提升盖的装置，提供腔室盖装置。所述腔室盖装置可以包括：盖体；一个或多个臂，所述一个或多个臂耦接至所述盖体；以及一个或多个齿轮箱，所述一个或多个齿轮箱通过一个或多个第一轴耦接至所述一个或多个臂。电机还可通过一个或多个第二轴耦接至所述一个或多个齿轮箱。还公开了传送腔室装置以及用于提升盖的装置。
腔室盖装置传送以及用于提升

[发明专利]具有高发射率涂层的大型真空腔室主体的电子束熔接-CN201610526075.2在审
发明人：栗田真一;梅兰·贝德亚特;稻川真 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明所揭示的实施方式与已熔接在一起的大型真空腔室主体有关。腔室主体在所述腔室主体中至少一个表面上具有高发射率涂层。由于腔室主体的大型尺寸，腔室主体是通过将数个部件熔接在一起而形成，而非以单一金属部件来锻造主体。这些部件在与主体的弯处相隔的一位置处熔接在一起，所述位置在排空期间为最大应力处，以确保可能是主体中最弱点的熔接不会失效。腔室主体的至少一个表面可涂覆有高发射率涂层，以助于来自进入的受热基板的热传递。所述高发射率涂层可通过减少降低基板温度所需时间而增加基板产量。
具有发射涂层大型空腔主体电子束熔接

[实用新型]掩模腔室装置-CN201520925671.9有效
发明人：栗田真一;稻川真;S·博斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文所述的实施例涉及用于显示基板的处理的掩模腔室装置。所述掩模腔室可以是配置成用于制造OLED器件的较大的处理系统的部分。所述掩模腔室可配置成对在处理系统中的诸沉积工艺期间所利用的掩模加热和冷却。所述掩模腔室可以包括腔室体，所述腔室体限定容积，所述体积尺寸设计为适于接收容纳多个掩模的一个或多个盒。在所述容积内耦接至腔室体的加热器可配置成：当在沉积处理腔室中利用掩模之前，可控地加热掩模；并且在沉积处理腔室中使用之后，冷却所述掩模。
掩模腔室装置

[实用新型]机器人和基板处理系统-CN201520881119.4有效
发明人：栗田真一;松本隆之;北村典彦;稻川真;D·菲利普斯;柳在明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了机器人和基板处理系统。提供用于传送基板的机器人、处理系统以及方法。在一个实施方式中，提供机器人，所述机器人包括：可旋转主体；第一终端受动器；以及直通束检测器，所述直通束检测器安装至所述机器人。所述第一终端受动器被安装至所述主体，并且随所述主体旋转。所述第一终端受动器能沿第一方向在基本在所述主体上方的回缩位置与延伸位置之间移动。所述直通束检测器包括第一传感器和第二传感器。所述第一传感器和所述第二传感器在一位置处侧向间隔开来，在所述位置处，所述第一传感器和所述第二传感器可操作以在所述第一终端受动器在所述延伸位置与所述回缩位置之间移动时，感测设置在所述第一终端受动器上的基板的相对边缘。
机器人和处理系统

[实用新型]串行群集工具系统-CN201520646343.5有效
发明人：栗田真一;稻川真;J·A·霍;R·L·蒂纳;S·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种串行群集工具系统。所述系统包括：第一群集工具，具有第一多个处理腔室和至少一个第一周边腔室；第二群集工具，具有第二多个处理腔室和至少一个第二周边腔室；以及腔室间适配器元件，所述适配器元件将所述至少一个第一周边腔室联结到所述至少一个第二周边腔室，所述腔室间适配器元件包括联结在所述第一腔室和所述第二腔室的密封面之间的耐真空柔性段。
串行群集工具系统

[其他]串行群集工具系统-CN201290001237.6有效
发明人：栗田真一;稻川真;J·A·霍;R·L·蒂纳;S·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种串行群集工具系统。所述系统包括：第一群集工具，具有第一多个处理腔室和至少一个第一周边腔室；第二群集工具，具有第二多个处理腔室和至少一个第二周边腔室；以及腔室间适配器元件，所述适配器元件将所述至少一个第一周边腔室联结到所述至少一个第二周边腔室，所述腔室间适配器元件包括联结在所述第一腔室和所述第二腔室的密封面之间的耐真空柔性段。
串行群集工具系统

[发明专利]用于大面积基板处理系统的加载锁定腔室-CN201410587106.6在审
发明人： M·贝赫加德;栗田真一;稻川真;S·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明一般包括用于将大面积基板传送进入真空处理腔室的加载锁定腔室。所述加载锁定腔室可以具有一或多个分隔开且环境隔离的环境。各个处理环境可以具有数个用以抽吸真空的排气端口。所述排气端口可以位于所述处理环境的角落。当基板自工厂界面而置入所述加载锁定腔室时，所述环境可能需要被排空。由于所述排气端口位于所述环境的所述角落，故可能存在的任何微粒或污染物会被抽吸至最接近的角落，而在不会被抽吸跨越所述基板的前提下，离开所述加载锁定腔室。因此，可降低基板的污染。
用于大面积处理系统加载锁定

[发明专利]具有移动适配部分的用以耦接O形环的狭缝化TSSL阀门-CN201410128270.0有效
发明人：梅兰·贝德亚特;栗田真一;约翰·M·怀特;苏希尔·安瓦尔;稻川真 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： F16K1/24 文献下载
摘要：在此公开的实施方式与一种用于密封一腔室中的开口的狭缝阀门装置有关。当狭缝阀门开口收缩时，压向该腔室以密封一狭缝阀开口的一狭缝阀门与该腔室一起移动，使得受压于该狭缝阀门与该腔室之间的一O形环与该狭缝阀门和该腔室一起移动。因此，O形环对腔室发生摩擦的情形会较少。由于较少摩擦，产生的颗粒可较少，因而可延长O形环的使用寿命。由于O形环的使用寿命较长，基板处理量即可增加。
具有移动部分用以狭缝 tssl 阀门

[发明专利]垂直直列CVD系统-CN201180020889.4有效
发明人：栗田真一;J·库德拉;S·安瓦尔;J·M·怀特;任东吉;H·沃尔夫;D·兹瓦罗;稻川真;I·莫里 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明大体上关于一种垂直CVD系统，所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器，所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载所述基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。
垂直 cvd 系统

[发明专利]垂直直列CVD系统-CN201180021614.2无效
发明人：栗田真一;J·库德拉;S·安瓦尔;J·M·怀特;D-K·伊姆;H·沃尔夫;D·兹瓦罗;稻川真;I·莫里 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical vapor deposition;CVD)系统，其具有能够处理多个基板的一处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为一水平居中的垂直等离子体产生器，其允许在该等离子体产生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将该系统配置为一双系统，藉此将各自具有其自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以自处理系统装载且卸载这些基板。每一机器人可使用该系统内的两个处理线。
垂直 cvd 系统

[发明专利]具有基板冷却的传送机械手-CN201180006380.4在审
发明人：栗田真一;稻川真;松本隆之 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种传送机械手，所述传送机械手具有与所述传送机械手附接的冷却板，用于在处理腔室与负载锁定腔室之间传送时冷却基板。在一个实施例中，冷却板是单一、大面积的冷却板，所述冷却板在正被传送的基板下方附接至所述传送机械手。在另一实施例中，冷却板是在正被传送的基板下方附接至所述传送机械手的冷却板阵列。所述冷却板可包括导管路径，以使冷却流体循环遍及冷却板。所述冷却板可具有上表面，所述上表面涂覆有高发射率涂层。
具有冷却传送机械手

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