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[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201911310548.5有效
发明人：魏家行;王琪朝;肖魁;王德进;卢丽;杨玲;叶然;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：沟槽栅极，包括沟槽内的下部和沟槽外的上部，下部在导电沟道宽度方向上的长度小于上部，下部伸入体区且小于体区的深度；绝缘结构，设于漏极区和沟槽栅极之间并向下伸入漂移区，绝缘结构的深度小于漂移区，绝缘结构在漂移区内的深度大于场氧层在漂移区内的深度，绝缘结构在导电沟道宽度方向上的长度小于漂移区，绝缘结构两侧的表面形成有场氧层，上部延伸至场氧层上。本发明的导电沟道为在漂移区和体区中围绕绝缘结构和沟槽栅极设置的立体化结构。因此器件导通时的电流通路得到了扩展，能够大幅降低导通电阻。且绝缘结构可以有效提高器件的耐压性能，并起到辅助耗尽的作用。
横向扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]集成有淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法-CN202111599112.X在审
发明人：卞铮;肖魁;赵爱峰;胡金节;杨涛 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成有淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法，所述方法包括：获取晶圆；图案化并刻蚀基的正面，形成淬灭电阻沟槽和隔离沟槽；隔离沟槽的宽度大于淬灭电阻沟槽的宽度；在淬灭电阻沟槽的内表面形成绝缘层；在基底正面淀积多晶硅，多晶硅填入淬灭电阻沟槽中并将其封口，填入隔离沟槽中且不将其封口；氧化隔离沟槽中的多晶硅；向所述隔离沟槽中填充遮光导电材料。本发明能够与CMOS工艺兼容。并且由于淬灭电阻沟槽可以与隔离沟槽共用一张光刻版，因此淬灭电阻的制造无需单独使用一张光刻版，降低了生产成本。
集成有淬灭电阻光子雪崩二极管及其制造方法

[发明专利]一种基于主梁的次梁生成方法-CN202211600135.2在审
发明人：田开贺;董士崇;肖魁 -专利权人：上海天华建筑设计有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于主梁的次梁生成方法，它解决了建筑主次梁构建效果不佳等问题，其包括如下步骤：根据原始主梁和其他元素生成最初次梁方案；对初始方案接线初步优化；采用区域生长算法；制造区域抖动；开始区域扩张；消灭小区域；采用博弈树算法分配所有未分配区域，再次处理和修正错误次梁。本发明具有次梁设计效率高、方便选取最优解等优点。
一种基于生成方法

[发明专利]沟槽栅结构及沟槽栅型器件-CN202111329109.6在审
发明人：卞铮;肖魁;胡金节 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽栅结构及沟槽栅型器件，所述沟槽栅型器件包括沟槽栅结构和被所述沟槽栅结构分隔的多个有源区元胞，所述沟槽栅结构包括至少一组沟槽栅，每组沟槽栅的底部和侧壁设有绝缘介质层，每组沟槽栅包括两条相邻的沟槽栅端头，每组沟槽栅的两条沟槽栅端头的端部通过圆弧过渡连通。本发明通过圆弧过渡将相邻的沟槽栅端头连通，使得沟槽栅端头的端部的曲率半径增大，能够改善曲率半径过小导致绝缘介质层在制造时不易成膜的问题，即改善沟槽栅端头的绝缘介质层膜厚偏薄的问题。
沟槽结构器件

[发明专利]一种基于Voronoi Diagram的建筑梁线生成方法-CN202211235967.9在审
发明人：张泽林;肖魁;王文广 -专利权人：上海天华建筑设计有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Voronoi Diagram的建筑梁线生成方法。它解决了现有技术中大型地库设计耗费时间久，数据精确度及结果稳定性不佳的问题。它包括S1、获取多边形边界和多边形外的连接；S2、使用Voronoi Diagram生成初始网格；S3、网格数据优化；S4、分割合并网格，处理墙连接。本发明的优点在于：有效提高了数据精确度和结果稳定性，操作便捷，自动化程度高。
一种基于 voronoi diagram 建筑生成方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202110740632.1在审
发明人：方冬;肖魁 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件及其制备方法，其中半导体器件包括漂移区、体区、源区、槽栅结构、栅极沟槽及漏区，漂移区具有第一导电类型，体区具有第二导电类型，源区位于体区的上表层，漏区位于漂移区的下表面，两个体区之间的漂移区中开设有栅极沟槽，栅极沟槽的槽口位于漂移区的上表面，槽栅结构容置在栅极沟槽中并延伸覆盖至体区的上表面，槽栅结构还延伸覆盖至源区的上表面。其中，槽栅结构容置楔入漂移区中可以增加漂移区的掺杂浓度，起到部分场板的作用，能够实现在增加漂移区的掺杂浓度后，在保持漂移区耐压的基础上降低导通电阻、降低栅源电容及降低栅氧的电场，提高半导体器件的性能；同时在不影响电流传输的基础上提高面积的有效利用率。
半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种用于交流电网低压的智能无功补偿装置-CN202221526284.4有效
发明人：吴世凯;肖魁 -专利权人：康斯坦茨电气有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于交流电网低压的智能无功补偿装置，包括固定柱，所述固定柱上固定安装有底座，所述底座顶部开设有安装槽，以及与安装槽连通的导向槽，所述安装槽内转动安装有螺套，所述螺套顶部固定连接有第一斜齿轮，所述底座上固定安装有双轴电机。本实用新型中，通过双轴电机驱动两端的传动轴带动第二斜齿轮转动，驱动第一斜齿轮带动螺套转动，驱动传动螺杆在带动升降板在竖直方向上移动，对安装箱的高度进行调节，在需要对无功补偿装置进行检修时，安装箱调至底处，便于检修人员对其进行维修保养，使得维修人员无需攀爬至高空作业，降低维修人员对无功补偿装置的检修难度。
一种用于交流电网低压智能无功补偿装置

[实用新型]一种基于负荷动态变化的低压可控硅投切开关-CN202221132768.0有效
发明人：吴世凯;肖魁 -专利权人：康斯坦茨电气有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H02B1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于负荷动态变化的低压可控硅投切开关，包括机箱和开关本体，所述机箱四周固定连接有导柱，所述导柱外侧套接有安装板，开关本体安装在安装板上，所述安装板上滑动连接有T型块，所述机箱内转动安装有传动螺杆，所述传动螺杆两端通过螺纹旋合连接有滑块，所述滑块上转动安装有连杆，所述连杆的自由端与T型块转动连接。本实用新型中，当需要对开关本体进行维护时，驱动电机带动传动螺杆转动，驱动两个滑块在竖直方向相对靠近移动，在连杆的联动作用下，将安装板推出机箱，开关本体被推出机箱，拆下网罩，即可对开关本体进行维护检修，不受机箱的空间限制，提高开关本体的维护检修全面性。
一种基于负荷动态变化低压可控硅切开

[实用新型]一种防爆型高压串联电抗器-CN202221526279.3有效
发明人：吴世凯;肖魁 -专利权人：康斯坦茨电气有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01F27/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防爆型高压串联电抗器，包括底座和电抗器本体，所述底座顶部转动安装有安装板，所述安装板上开设有燕尾槽，且燕尾槽内滑动连接有燕尾块，所述燕尾槽与燕尾块之间固定连接有第一弹簧，所述燕尾块顶部固定连接有外壳体，所述外壳体内套接有内壳体。本实用新型中，通过水冷循环组件将冷却水注入外壳体内，内壳体被冷却水包围，对内壳体进行降温，其次，通过第二电机驱动偏心轮转动，从左右两侧往复推动外壳体移动，并在第一弹簧的弹性作用下，实现外壳体的往复移动，加速外壳体内的冷却水的流动率，提高对内壳体的冷却速度，冷却更加均匀。
一种防爆高压串联电抗

[发明专利]沟槽栅IGBT器件及其制造方法-CN202110425234.0在审
发明人：方冬;肖魁;卞铮 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽栅IGBT器件及其制造方法，所述沟槽栅IGBT器件包括：漂移区，具有第一导电类型，开设有第一沟槽；第一槽壁绝缘介质，设于所述第一沟槽的侧壁；控制栅，设于所述第一沟槽内的上部；第一沟槽填充物，具有第二导电类型，设于所述第一沟槽中，且位于所述控制栅与器件背面之间；第一绝缘隔离结构，设于所述控制栅与所述第一沟槽填充物之间；漏电极，也作为集电极，设于器件背面。本发明在沟槽栅的底部设置第二导电类型的填充物，该填充物位于控制栅与漏极之间，可以屏蔽器件的栅漏电容，从而降低器件的开关电容，能够降低器件的开关损耗。
沟槽 igbt 器件及其制造方法

[实用新型]一种便于检修的新型低压配电箱-CN202221284068.3有效
发明人：魏明葱;肖魁 -专利权人：安徽山水机电设备有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H02B1/50 文献下载
摘要：本实用新型提供一种便于检修的新型低压配电箱，包括箱体，散热槽座，加固板，装配位移器，排热管，固定板，插接孔，可升降固定板结构和可转动观察吸附固定盖结构，所述的箱体的下端螺栓连接有散热槽座。本实用新型顶盖，固定块，固定架，安装板，螺纹柱，旋转杆，箱体，固定板和插接孔的设置，有利于在使用的过程中抓住旋转杆进行螺纹柱旋转工作，通过螺纹柱和固定板螺纹连接设置，方便在使用的过程中推动顶盖进行升降工作，同时带动安装板正表面和后表面固定的电器设备进行升降工作，方便在使用的过程中对电器设备进行维护以及检修工作。
一种便于检修新型低压配电箱

[发明专利]分离栅结构的半导体器件及其制造方法-CN202110340660.4在审
发明人：方冬;肖魁 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种分离栅结构的半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取形成有沟槽的基底；在所述内表面形成槽壁氧化隔离介质，然后向所述沟槽内填充分离栅材料，形成分离栅；在所述分离栅上形成第一氧化隔离介质；在所述第一氧化隔离介质上形成硅氮化物隔离介质；在所述沟槽内的分离栅上方未形成硅氮化物隔离介质的位置填充第二氧化隔离介质；在所述第二氧化隔离介质上形成控制栅。本发明的分离栅和控制栅之间的隔离结构为第一氧化隔离介质+硅氮化物隔离介质+第二氧化隔离介质的多介质结构，相对于采用单一的氧化层介质的方案，栅源耐压更高。
分离结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110340666.1在审
发明人：方冬;肖魁 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：基底，基底的第一表面开设有第一沟槽和第二沟槽；栅极，设于第一沟槽内；栅极绝缘隔离结构，设于第一沟槽内，且在栅极的底部、侧面及顶部将栅极包覆；源极掺杂区，位于基底内、且位于第一沟槽的两侧和第二沟槽的两侧；沟槽导电结构，设于第二沟槽内；源电极，设于沟槽导电结构上及源极掺杂区上，与沟槽导电结构及源极掺杂区电性连接；漏极，设于基底的第二表面。本发明的半导体器件除了可以通过沟道导通外，还可以通过沟槽导电结构导通，所以导通能力更强。因为沟道导通更快，所以其开启电压(正向压降)更低。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件中栅极材料高度的监控方法-CN201811325528.0有效
发明人：肖魁;方冬;卞铮 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件中栅极材料高度的监控方法，所述方法包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽中填充栅极材料；量测所述栅极材料顶面两点之间的电阻；计算所述栅极材料的高度。根据本发明提供的半导体器件中栅极材料高度的监控方法，通过量测栅极材料顶面两点之间的电阻计算栅极材料的高度，从而在线监控栅极材料高度，该方法量测所需的面积小、应用范围广，且避免了硅晶圆的浪费。
一种半导体器件栅极材料高度监控方法

[发明专利]一种现场总线型智能化低压开关设备-CN202210640111.3在审
发明人：魏明葱;肖魁;张华焱 -专利权人：安徽山水机电设备有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明涉及本发明的实施例提出了一种现场总线型智能化低压开关设备，包括低压开关柜；现场总线模块；通信总线，所述现场总线模块与所述通信总线连接，所述通信总线用于传输所述现场总线模块采集的信息，并反馈控制指令至所述现场总线模块；处理器，所述通信总线与所述处理器连接，所述处理器用于接收经由所述处理器传输过来的所述现场总线模块采集的信息，并对信息进行处理后经由所述通信总线反馈至所述现场总线模块进行处理。发明实施例通过通信总线的传输以及处理器的处理，实现了控制的远程化、自动化，有良好的经济效益和显著的社会效益。
一种现场线型智能化低压开关设备

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