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[发明专利]一种晶片流片方法-CN201410370209.7有效
发明人：陈建国;谢春诚;刘蓬 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶片流片方法，用以改善晶片的应力状况。本发明实施例的方法包括：对晶片进行正面处理工艺，在所述正面处理工艺过程中制作划片槽；在所述晶片完成所述正面处理工艺之后，将所述划片槽刻蚀；对所述晶片进行背面的工艺。由于在进行完正面处理工艺之后，对划片槽进行了刻蚀，从而可使晶片内部的应力可以释放出来，大大降低了后续步骤如减薄背金等碎片裂片的风险。
一种晶片方法

[发明专利]一种老化板-CN201410331611.4有效
发明人：徐娟;曹婷 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体芯片品质可靠性技术领域，尤其涉及一种老化板，操作简单，通用性强。本发明实施例中第一排针上的第一针脚和第二针脚连通，且第一针脚或第二针脚接地；第二排针上的第一针脚连通S端口、第二针脚连通G端口；第三排针上的第一针脚至第三针脚分别连通G端口、D端口和S端口；第四排针上的第一针脚至第三针脚均连接VCC。由于可通过在排针上插接短路冒的方式实现S端口、D端口、G端口中任一端口接地或接电源，因此可在该老化板上仅通过改变短路冒的插接即可进行多种实验，进一步提高了老化板的通用性。
一种老化

[发明专利]一种平面型VDMOS器件及其制作方法-CN201410328013.1有效
发明人：马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-07-10 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面型VDMOS器件及其制作方法，提供第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上设置第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层上生成栅氧化层，在所述栅氧化层上生成多晶硅层；在所述多晶硅层上生成第一隔离层；制作第二导电类型阱区和第一导电类型源区；生成介质层，制作接触孔和金属层，之后在所述第一隔离层上生成第二隔离层；其中，所述第一导电类型和第二导电类型的导电类型相反。通过在栅极多晶硅层和源级金属层之间生长更多的质地致密的隔离层，增大了栅源极板之间的间距，从而降低平面型VDMOS功率器件的栅源电容。
一种平面 vdmos 器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件-CN201410232012.7有效
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：衬底、位于衬底表面的外延层和位于外延层中的器件区，其中：衬底中的固定区域内设置有氧化层埋层，该氧化层埋层与外延层接触，并正对于器件区内的漂移区；位于外延层中，除与氧化层埋层正对的区域外设置有第一扩散区，该第一扩散区与衬底相接触；该第一扩散区中的杂质导电类型与衬底中的杂质的导电类型相同。本发明实施例有效解决了现有技术中制造如射频‑横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其在进行下沉层高温驱入时浓掺杂衬底中杂质上扩导致漂移区下有效外延层厚度减小，进而使器件击穿电压下降的技术问题。
半导体器件

[发明专利]一种晶圆片测试数据处理方法及装置-CN201510105709.2有效
发明人：詹祥宇 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G05B19/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶圆片测试数据处理方法及装置，本发明实施例通过获取第N个批次中的每一片晶圆片的编号和测试数据；检测所述第N个批次中每一片晶圆片的编号与预存的编号是否一致，若否，则做出异常提示，并禁止作业流程后流；获取测试达标规则，判断所述每一片晶圆片的测试数据是否符合所述测试达标规则，若否，则做出异常提示，并禁止作业流程后流。发明实施例实现了在生产工序过程中的各个工步对各个批次的晶圆片的测试数据进行分析，从而为后续工步得到合格的晶圆片测试数据结果提供了可靠的保证，并且具有较高的实时性和较强的实用性。
一种晶圆片测试数据处理方法装置

[发明专利]一种气瓶更换的系统及其方法-CN201310447438.X有效
发明人：贾文君 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G06K17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种气瓶更换的系统及方法，主要内容包括：通过所述气瓶更换系统中的读写器获取的、位于自身所在气瓶架上同侧的气瓶上的标签信息以及读写器的标识，由中央管理设备执行信息处理、匹配操作，在匹配时，将匹配结果通知显示设备和气瓶固定设备，提示是否允许气瓶更换作业。从而，减少了气瓶更换过程中对操作人员的依赖性，并能够在气瓶更换错误的情况下，及时报警提醒操作人员进行更正，从而降低了因钢瓶更换错误而导致的事故概率。
一种更换系统及其方法

[发明专利]一种结型场效应管的制作方法-CN201410643985.X有效
发明人：赵圣哲;马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种结型场效应管的制作方法，所述方法包括：S1.在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层；S2.在所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层之间，完成栅极区注入；S3在所述栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层，在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层；S4在所述两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层之间，完成源区注入；在所述两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层之间，完成漏区注入。本发明能够解决结型场效应管制作成本高和沟道宽度不易精确控制的问题。
一种场效应制作方法

[发明专利]高压电阻-CN201510020955.8有效
发明人：潘光燃;王焜;文燕;石金成;高振杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L29/8605 文献下载
摘要：本发明提供一种高压电阻，包括：N型衬底、位于所述N型衬底表层内且分离设置的N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区和第三P型掺杂区；位于所述N型衬底表面上的第一厚氧化层、第二厚氧化层、第三厚氧化层和第四厚氧化层；位于所述第二P型掺杂区和所述第三P型掺杂区之间，且位于所述N型衬底表层内的第四P型掺杂区，位于各厚氧化层之间，且覆盖衬底表面的薄氧化层；P型多晶硅，所述P型多晶硅覆盖位于所述第一P型掺杂区和所述第二P型掺杂区之间区域上方的薄氧化层的表面，并延伸覆盖所述第三厚氧化层的部分表面。本发明提供的高压电阻不易受栅端信号影响，能够调节单个电阻的阻值。
高压电阻

[发明专利]掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法-CN201310476007.6有效
发明人：潘光燃;王焜;石金成;高振杰;文燕 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法，用以解决现有技术中存在的测量步进精度过程复杂的问题。该掩模板包括：位于矩形曝光区域内、用于使光刻胶在经过光刻后被保留的第一步进精度测量图案和第三步进精度测量图案，以及位于矩形曝光区域内、用于使光刻胶在经过光刻后被刻蚀的第二步进精度测量图案和第四步进精度测量图案。
步进掩模板精度测量光刻图案矩形曝光区域测量光刻胶刻蚀保留

[发明专利]VDMOS的制造方法和VDMOS-CN201410083225.8有效
发明人：马万里;闻正锋 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种VDMOS的制造方法和VDMOS，方法包括：在N型外延层上依次生成栅氧化层、多晶硅层、P‑体区；在所述P‑体区注入N型杂质形成N型源区，所述N型源区包括N‑源区和N+源区；所述N+源区位于所述栅氧化层与N‑源区之间；在所述多晶硅层和所述栅氧化层上依次形成氧化层、P+区、介质层、接触孔和金属层，以使得所述金属层分别与所述N‑源区、N+源区、栅氧化层、氧化层、介质层中每层的侧面以及所述P+区相连接。本发明实施例有效解决了现有技术中，VDMOS的非箝位感性开关（UIS）能力低的技术问题。
vdmos 制造方法

[发明专利]平面VDMOS器件的制造方法-CN201410217049.2有效
发明人：赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面VDMOS器件的制造方法，包括：在外延层的表面上生成初氧层，对初氧层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口，通过体区注入窗口对外延层进行两种离子的注入和驱入，形成体区和源区；去掉外延层的表面上的初氧层；在外延层的表面上依次生成栅氧层、多晶硅层和介质层；对介质层进行光刻和刻蚀，形成接触孔，通过接触孔对外延层进行第三离子的注入和驱入，形成深体区；对源区进行刻蚀；在介质层的表面上生成金属层并对其进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线，从而保证在体区、源区和深体区的形成过程中，不会在栅氧层中引入大量可动电荷，从而减小栅源间漏电IGSS，提高平面VDMOS器件的性能。
平面 vdmos 器件制造方法

[发明专利]一种低压铝栅器件的加工方法及低压铝栅器件-CN201410008617.8有效
发明人：宋秀海 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-08 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种低压铝栅器件的加工方法及低压铝栅器件；涉及半导体MOS制造工艺技术领域，为解决现有技术中低压铝栅应用电压偏低导致的有时不能满足需求的问题而发明；其中，低压铝栅器件包括第一MOS器件和第二MOS器件，所述第一MOS器件的隔离环与源漏极之间存在第一距离；所述第二MOS器件的隔离环与源漏极之间存在第二距离。本发明提供的方案应用电压相对较高，在生产成本未增加的前提下进一步满足了应用需求。
低压铝栅隔离环源漏极方案应用应用电压应用需求制造工艺中低压铝栅生产成本半导体加工

[发明专利]用于化学气相沉积工艺的设备-CN201510263941.9有效
发明人：陈修康;彭亮 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于化学气相沉积工艺的设备，该设备包括：公共腔、多个工艺腔、控制阀、真空泵及氮气系统，其中，公共腔上连接有多个工艺腔，用于为多个工艺腔输送工件，且工艺腔通过控制阀与真空泵及氮气系统连通。该技术方案，利用控制阀直接将氮气系统与工艺腔相连通，从而不需要公共腔便可将工艺腔内恢复成大气状态，一方面工艺腔内的残留物质不能进入到公共腔，从而确保了公共腔及其它工艺腔的整洁度，进而确保了其它工艺腔内的工件的质量，另一方面，减少了清洗公共腔及将公共腔抽成真空的环节，从而提高了工件的加工效率。
工艺腔公共腔氮气系统控制阀化学气相沉积真空泵抽成真空大气状态加工效率输送工件整洁度连通清洗残留环节恢复

[发明专利]皮带定位装置及常压化学气相沉积设备-CN201510390671.8有效
发明人：徐浩;彭亮;崔晓娟;卢青 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C23C16/453 文献下载
摘要：本发明提供了一种皮带定位装置和包括所述皮带定位装置的常压化学气相沉积设备，该皮带定位装置包括：基座；调节件，调节件的一端安装在基座上，并伸出基座，调节件的另一端设置有连接件；限位件，限位件包括限位轮轴及限位轮，限位轮轴的一端与连接件连接，并伸出连接件，且限位轮轴与调节件垂直，限位轮轴的另一端套设有限位轮；其中，旋转调节件，可使限位件沿调节件的轴向方向运动，旋转限位轮轴，可使限位轮相对连接件沿限位轮轴的轴向方向运动。该技术方案，通过在皮带上设置皮带定位装置，并利用限位轮卡合住皮带，从而限制了皮带的运动轨迹，避免了皮带的运动轨迹变形，从而有效地避免了掉片、叠片等现象的产生。
皮带定位装置限位轮轴皮带连接件限位件限位轮常压化学气相沉积轴向方向运动运动轨迹伸出旋转调节件相对连接旋转限位一端设置有效地掉片叠片卡合轮轴位轮变形垂直

[发明专利]一种铝刻蚀方法及装置-CN201410032415.7有效
发明人：李方华 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种铝刻蚀方法和系统，包括：利用湿法刻蚀具有光刻胶层的铝层；利用干法去除所述铝层中残留的硅渣，并立即在同一个腔内对所述铝层进行干法刻蚀。在本发明提出的铝刻蚀方法和系统中，在干法去除铝层中残留的硅渣后，在腔内不停顿，立刻进行干法铝刻蚀，减少了去硅渣和干法铝刻蚀步骤之间的等待时间，从而避免了功率元器件产品在空气中吸收过多的水分，有效地阻止了铝和水、氟等发生的反应。本发明的铝刻蚀方法不会在铝层表面产生难以刻蚀掉的点状残留，解决了由此导致的产品报废问题。
刻蚀铝层硅渣干法去除残留干法腔内功率元器件产品报废干法刻蚀光刻胶层刻蚀步骤铝层表面湿法刻蚀有效地点状停顿吸收