“谢春诚”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种晶片流片方法-CN201410370209.7有效
发明人：陈建国;谢春诚;刘蓬 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶片流片方法，用以改善晶片的应力状况。本发明实施例的方法包括：对晶片进行正面处理工艺，在所述正面处理工艺过程中制作划片槽；在所述晶片完成所述正面处理工艺之后，将所述划片槽刻蚀；对所述晶片进行背面的工艺。由于在进行完正面处理工艺之后，对划片槽进行了刻蚀，从而可使晶片内部的应力可以释放出来，大大降低了后续步骤如减薄背金等碎片裂片的风险。
一种晶片方法

[发明专利]一种氮化镓器件及封装方法-CN201410387076.4有效
发明人：陈建国;谢春诚;刘蓬 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种氮化镓器件及封装方法。用于解决现有技术中封装后的氮化镓器件电极管脚的排列顺序不兼容的问题。本发明实施例将功率半导体芯片附接到第一引线框，将氮化镓芯片附接到第二引线框，所述第一引线框和所述第二引线框之间绝缘；将所述第三引线框的第一引线指附接到所述功率半导体芯片的栅极键合焊盘，将所述第三引线框的第二引线指附接到所述氮化镓芯片的漏极键合焊盘，将所述第三引线框的第三引线指附接到所述第二引线框。改变了封装后氮化镓器件电极的排列顺序，从而解决了封装后的氮化镓器件电极管脚的排列顺序不兼容的问题。
一种氮化器件封装方法

[发明专利]一种氮化镓器件的加工方法和氮化镓器件-CN201310172945.7有效
发明人：陈建国;张枫;刘蓬;谢春诚 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种氮化镓器件的加工方法，该加工方法为在氮化镓器件的表面垫积一层氧化层，所述氧化层的材质为电绝缘材质，对所述氧化层进行刻蚀，以保留所述氮化镓器件的台阶的侧壁上的氧化层、并去除掉所述台阶的侧壁之外的其他部分的氧化层。本发明还公开了一种氮化镓器件。采用本发明，可以完全的刻蚀掉上述台阶的前后两侧的金属层，避免金属刻蚀中台阶的前后两侧的侧壁金属残留，防止氮化镓器件的源级（S）和漏极（D）的金属短接互连，并有效的隔离氮化镓器件的栅极金属和氮化镓器件的导电沟道、防止氮化镓器件漏电。
一种氮化器件加工方法

[发明专利]一种肖特基二极管的制造方法-CN201410250761.2在审
发明人：崔金洪;谢春诚 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种肖特基二极管的制造方法，包括：在硅片的第一表面制成二氧化硅层；刻蚀所述二氧化硅层形成硬掩膜；在所述二氧化硅层被刻蚀的部分进行光刻和刻蚀形成沟槽；利用覆盖所述硬掩膜和所述沟槽中间部分的掩膜板，在所述沟槽中形成栅极氧化层；在所述硬掩膜以及所述栅极氧化层的基础上制成多晶硅层；移除所述第一表面上的所述硬掩膜以及所述沟槽外的多晶硅层；沉积金属并合金，制成第一金属层；对所述第一金属层进行光刻和刻蚀，形成第一电极；在所述硅片与所述第一表面相对的第二表面上形成第二电极。本发明提供的方案极大的节约了制造成本和流程步骤，显著提高了肖特基二极管的生产效率。
一种肖特基二极管制造方法

[发明专利]一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件-CN201410409936.X在审
发明人： 谢春诚;陈建国;刘蓬 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，本发明实施例提供一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件，该方法包括：对氮化铝镓层表面进行湿法刻蚀，形成凹槽，并在所述凹槽底部形成氟化铝；对所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面的所述氟化铝进行反应离子刻蚀；在反应离子刻蚀后的所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面垫积电极金属。通过本发明实施例提供的方法，通过在被刻蚀有凹槽的氮化铝镓表面进行反应离子刻蚀，清除氮化铝镓表面残留的氟化铝，使得电极金属和氮化铝镓表面能够直接接触，避免了由于氟化铝覆盖在氮化铝镓表面导致的电极金属接触电阻较大的问题。
一种氮化器件电极结构制作方法

[发明专利]肖特基二极管的制造方法-CN201410046351.6在审
发明人：陈建国;贺冠中;谢春诚 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-02-10 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基二极管的制造方法，包括：在硅片表面形成硬掩膜，所述硬掩膜的材料为氮化硅；在所述硬掩膜的镂空区域对应的硅片中形成元胞区；在形成有所述元胞区的所述硅片的第一表面形成正面电极；在形成有所述元胞区的所述硅片的第二表面形成背面电极。本发明提供的肖特基二极管的制造方法能够解决现有的制造方法较复杂的问题，简化了肖特基二极管的制造过程。
肖特基二极管制造方法

[发明专利]一种深沟槽肖特基二极管及其工艺制作方法-CN201210343042.6在审
发明人：李天贺;陈建国;谢春诚 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽肖特基二极管及其工艺制作方法，所述方法包括以下步骤：对半导体硅外延片进行硅槽刻蚀、栅极氧化层生长、多晶硅淀积及回刻、绝缘介质淀积、肖特基势垒接触的形成及保护层处理，得到深沟槽肖特基二极管晶圆；对所述深沟槽肖特基二极管晶圆进行合金处理，并对合金处理后的深沟槽肖特基二极管晶圆进行背面处理，得到深沟槽肖特基二极管，其中，所述合金处理的主工艺时间为45~180分钟。与现有技术相比，本发明中合金处理的主工艺时间较长，从而能够更大程度地释放深沟槽肖特基二极管晶圆中的应力和可动电荷，避免深沟槽肖特基二极管反向漏电参数异常波动，达到降低反向漏电电流、提高产品良率的效果。
一种深沟槽肖特基二极管及其工艺制作方法

[发明专利]一种形成肖特基接触的方法及肖特基结构-CN201210171535.6无效
发明人：李天贺;陈建国;谢春诚 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成肖特基接触的方法，可只进行一次退火就形成电学特性稳定的肖特基接触。本发明提供的方法包括：在半导体晶圆表面积淀势垒金属层之后，采用温度值在790摄氏度至850摄氏度之间的退火温度进行一次退火；形成金属引线层。本发明还提供了采用上述肖特基接触形成方法形成的肖特基接触。
一种形成肖特基接触方法结构

1
共 8 条