[发明专利]制造太阳能电池的方法

摘要

用于制造太阳能电池的工艺提供基于在诸如隧道氧化物的隧道电介质上的多晶硅层(5)的层的所谓的钝化触点。这里，对如通过离子注入沉积的多晶硅层进行处理以便使其非晶化。该离子注入同时允许提供掺杂的区域(6)，特别是磷的掺杂的区域。然后通过蚀刻去除选择性再结晶的区域和未处理的区域，包括在衬底(1)的第一侧面(1a)处非故意地沉积的多晶硅。在该提供图案化的和离子注入的多晶硅层之前或之后可以进行另外的工艺步骤，以便例如提供具有金属穿孔卷绕(MWT)结构的电池。

主权项

1.一种制造太阳能电池的方法，包括以下的步骤：‑提供具有第一侧面和第二侧面的半导体衬底，所述第一侧面预期用于接收入射光；‑借助于扩散第一传导类型的掺杂剂，优选地硼，来提供邻近所述第一侧面的导电区域；‑在所述第二侧面上提供介电层，所述介电层足够薄以充当隧道电介质；‑借助于化学气相沉积使硅材料沉积在所述介电层上，所述硅材料至少在所述第二侧面上形成硅层并且在所述第一侧面处进一步沉积；‑处理在所述第二侧面处的所述硅层的至少一部分，所述处理包括将与所述第一传导类型相反的第二传导类型的掺杂剂物质离子注入到在所述第二侧面处的暴露的硅层中，所述掺杂剂物质含有磷，以便获得被非晶化和掺杂的所沉积的硅材料的第一区域以及在所沉积的硅材料中的第二未处理的和/或结晶的区域；‑通过蚀刻去除所述硅材料的所述第二区域，其中在所述第一侧面上的所述硅材料形成被蚀刻掉的所述第二区域的一部分。