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[发明专利]半导体到金属的过渡-CN201510774075.X有效
发明人： A.赫特尔;F.希勒;F.J.桑托斯罗德里格斯;D.施勒格尔;A.R.施特格纳;C.魏斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：半导体器件（1）包括扩散阻挡层（11）、具有第一导电类型的第一电荷载流子的第一半导体区（12）和具有第二电荷载流子的第二半导体区（13）。第一半导体区（12）包含：与第二半导体区（13）接触的过渡区（123），过渡区（123）具有第一浓度的第一电荷载流子；与扩散阻挡层（11）接触的接触区（121），接触区（121）具有第二浓度的第一电荷载流子，其中，第二浓度高于第一浓度；在接触区（121）和过渡区（123）之间的损伤区（122），损伤区（122）被配置用于与接触区（121）和过渡区（123）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低损伤区（122）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。
半导体金属过渡

[发明专利]半导体到金属的过渡-CN201810843300.4有效
发明人： A.赫特尔;F.希勒;F.J.桑托斯罗德里格斯;D.施勒格尔;A.R.施特格纳;C.魏斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：半导体器件（1）包括扩散阻挡层（11）、具有第一导电类型的第一电荷载流子的第一半导体区（12）和具有第二电荷载流子的第二半导体区（13）。第一半导体区（12）包含：与第二半导体区（13）接触的过渡区（123），过渡区（123）具有第一浓度的第一电荷载流子；与扩散阻挡层（11）接触的接触区（121），接触区（121）具有第二浓度的第一电荷载流子，其中，第二浓度高于第一浓度；在接触区（121）和过渡区（123）之间的损伤区（122），损伤区（122）被配置用于与接触区（121）和过渡区（123）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低损伤区（122）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。
半导体金属过渡

[发明专利]用于根据硅晶片的体寿命分选硅晶片的方法-CN201780061212.2有效
发明人：埃莉诺·莱蒂;维尔弗里德·法夫尔;乔迪·韦尔曼 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：a)测量每个晶片的至少一个区域中的多数自由电荷载流子浓度；b)根据多数自由电荷载流子浓度计算每个晶片的所述区域中的热施主浓度；c)根据热施主浓度计算每个晶片的所述区域中由热施主限制的电荷载流子寿命；d)根据热施主限制的寿命确定每个晶片中电荷载流子的体寿命值；e)将体寿命值或归一化体寿命值与阈值进行比较；以及f)当体寿命值或归一化体寿命值低于阈值时，丢弃晶片。
用于根据晶片寿命分选方法

[发明专利]基于入射光子到达时间的识别、成像、测序法及存储介质-CN202010528184.4在审
发明人：乔纳森·M·罗思伯格;基思·G·法夫;大卫·布瓦韦尔 -专利权人：宽腾矽公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述光检测区域被配置成响应于所述入射光子产生多个电荷载流子。集成电路还包括至少一个电荷载流子存储区域。所述集成电路还包括电荷载流子分离结构，其被配置成基于产生电荷载流子的时间将所述多个电荷载流子中的所述电荷载流子选择性地指引到所述至少一个电荷载流子存储区域中。
基于入射光子到达时间识别成像测序法存储介质

[发明专利]基于入射光子到达时间的识别、成像、测序法及存储介质-CN201580054728.5有效
发明人：乔纳森·M·罗思伯格;基思·G·法夫;大卫·布瓦韦尔 -专利权人：宽腾矽公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述光检测区域被配置成响应于所述入射光子产生多个电荷载流子。集成电路还包括至少一个电荷载流子存储区域。所述集成电路还包括电荷载流子分离结构，其被配置成基于产生电荷载流子的时间将所述多个电荷载流子中的所述电荷载流子选择性地指引到所述至少一个电荷载流子存储区域中。
基于入射光子到达时间识别成像测序法存储介质

[发明专利]用于可控地用电荷载流子填充沟道的装置和方法-CN201580062271.2有效
发明人： E·斯皮戈内;P·安德鲁 -专利权人：诺基亚技术有限公司
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G01N33/542 文献下载
摘要：一种装置包括：被配置为传导电荷载流子的沟道(4)；以及被配置为生成用于填充该沟道的电荷载流子的电荷载流子生成器(22)，其中，电荷载流子生成器被配置用于共振能量转移(FRET)。电荷载流子生成器可以是纳米粒子或量子点(22)，其用至少一个结构部分(28A，28B)官能化以能够检测分析物。电荷载流子生成器还可以是被配置为光电生成电荷载流子的纳米粒子或量子点(22)。沟道(4)可以由具有非常高的载流子迁移率的材料制成，如石墨烯或碳纳米管。
用于可控用电荷载填充沟道装置方法

[发明专利]具有电荷载流子寿命降低设备的半导体器件-CN201310350246.7有效
发明人： V·科马尼特斯基;A·毛德;G·米勒;F·D·普菲施;C·沙伊弗;H-J·舒尔泽;H·舒尔泽;D·维伯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有电荷载流子寿命降低设备的半导体器件。其中所述至少一个器件单元包括第一导电类型的第一器件区(14)；邻接至少一个器件单元的所述第一器件区(14)的第二导电类型的漂移区(11)；邻接所述漂移区的第一导电类型的掺杂区(40；44)；配置为用于降低第一导电类型的所述掺杂区(40；44)中的电荷载流子寿命的电荷载流子寿命降低装置
具有电荷载流子寿命降低设备半导体器件

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201410513016.2有效
发明人： J·G·拉文;H-J·舒尔策;R·巴布斯克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201810182957.0有效
发明人： J·G·拉文;H-J·舒尔策;R·巴布斯克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]成像电路和用于操作成像电路的方法-CN201510571876.6有效
发明人： T.考奇 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：栅极控制电路以第一操作模式操作以生成将第一电荷载流子类型的光生电荷载流子加速至第一集电接触的第一空间电荷区域并且以第二操作模式操作以生成将第一电荷载流子类型的光生电荷载流子加速至第一集电接触的第二空间电荷区域成像电路还包括图像处理电路，其基于在第一操作模式下第一集电接触处收集的第一电荷载流子类型的光生电荷载流子来确定对象的距离信息，并且基于在第二操作模式下第一集电接触处收集的第一电荷载流子类型的光生电荷载流子来确定对象的颜色信息
成像电路用于操作方法

[发明专利]可挠曲的光检测器-CN200880023154.5有效
发明人：陈刚;阿肖克·J·马里阿卡尔;奥烈格·米楚法诺夫;热南·雷派波特;尼古拉·B·日捷涅夫 -专利权人：朗讯科技公司
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：挠曲线包括第一电荷载流子运送体、在第一电荷载流子运送体的上方的感光体和在感光体的上方的第二电荷载流子运送体。第一和第二电荷载流子运送体和感光体中的每一个沿挠曲线的长度的至少一部分延伸。感光体能够近红外光诱导或可见光诱导产生电荷载流子对。第二电荷载流子运送体对于近红外光或可见光至少是半透明的。
挠曲检测器

[发明专利]非易失性存储装置-CN97103086.3无效
发明人：崔雄林;罗庚晚 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-03-24 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：一非易失性存储装置，包括在编程中用于存储电荷载流子的浮置栅，在编程中通过向浮置栅注入由外界引入的电荷载流子而执行编程的编程栅、在擦除中将存储在浮栅中的电荷载流子排放到外界的擦除栅、在编程中控制由编程栅向浮置栅提供的电荷载流子量的控制栅、以及在编程中校验由编程栅提供的电荷载流子量的校验部分。
非易失性存储装置

[发明专利]非易失性存储装置-CN03158490.X无效
发明人：崔雄林;罗庚晚 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-03-24 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一非易失性存储装置，包括在编程中用于存储电荷载流子的浮置栅，在编程中通过向浮置栅注入由外界引入的电荷载流子而执行编程的编程栅、在擦除中将存储在浮栅中的电荷载流子排放到外界的擦除栅、在编程中控制由编程栅向浮置栅提供的电荷载流子量的控制栅、以及在编程中校验由编程栅提供的电荷载流子量的校验部分。
非易失性存储装置

[发明专利]一种电荷载流子倍增寄存器的抗光晕结构-CN201410287032.4有效
发明人：刘庆飞;胡明芬;邹继鑫;沈吉;张跃玲 -专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷载流子倍增寄存器的抗光晕结构，在此结构中抗光晕通道是通过电极2连接到溢出通道。CCM正常工作时输入信号电荷载流子转移过程中实现倍增，当输入信号过大时经过CCM发生信号电荷载流子倍增，会生成过量信号电荷载流子，多余的信号电荷载流子溢出通过抗光晕通道收集到溢出通道，通过溢出通道转化成电流释放，从而抑制了光晕现象，这种抗光晕结构能够保证CCM实现信号电荷载流子接近零噪声的电荷放大倍增的基础上，又大大提升了采用CCM结构的图像传感器的探测灵敏度。
一种电荷载流子倍增寄存器光晕结构

[发明专利]用于自旋-极化的电流-自旋转换和放大的非线性自旋-轨道相互作用装置和方法-CN201680072149.8有效
发明人： P·B·奥尔特曼;G·R·萨利斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：它还包括具有输入装置的电路，其可激励以将自旋极化注入到限制部分的输入区域中的电荷载流子。该电路还包括输出装置，其可用于检测限制部分的输出区域中的电荷载流子的自旋极化。限制部分可以被配置为使其中漂移的电荷载流子受到非线性自旋‑轨道相互作用，这导致漂移电荷载流子的自旋极化旋转非线性取决于这种电荷载流子的动量的角度。该电路可以被配置为允许在限制部分中漂移的电荷载流子的动量被改变，同时在输入区域中注入自旋极化。由于所述非线性自旋‑轨道相互作用，变化的动量允许漂移电荷载体的自旋极化旋转。
用于自旋极化电流转换放大非线性轨道相互作用装置方法

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