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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体处理中的气体控制方法及系统-CN202210259282.1在审
发明人：张晏霖;方步宽;颜永达;林木沧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本揭露描述一种半导体处理中的气体控制方法及系统。此方法包含提供第一设定来配置气体供应装置，以供应第一气体混合物给固持第一基材的基材载体。此方法还包含在第一基材完成制程操作之后，接收在第一基材上量测到的关键尺寸(CD)数据。此方法还包含因应关键尺寸数据超出预定范围，提供第二设定来配置气体供应装置，以供应第二气体混合物给固持尚未经过制程操作的第二基材的基材载体。
半导体处理中的气体控制方法系统

[发明专利]接口工具-CN202110903727.0在审
发明人：许志修;倪其聪;林木沧;林思宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明实施例涉及接口工具。封闭式气体循环系统可包含密封气室、循环风扇和风扇过滤单元(FFU)入口，以容纳、过滤、调节和再循环通过接口工具腔室的气体。供应给腔室的气体在封闭式气体循环系统中维持在调节的环境中，这与通过FFU入口将外部空气引入腔室不同。这使得能够精确控制腔室中所使用气体的相对湿度和氧气浓度，从而减少了通过腔室运送的半导体芯片的氧化。封闭式气体循环系统还可包含气流整流器、回流孔和一或多个真空泵，以在腔室内形成向下流动的经准直气体并自动控制通过腔室和密封气室的前馈压力和气体流量。
接口工具

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN202110743295.1在审
发明人：罗威扬;程潼文;詹佳玲;林木沧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法。方法包含形成虚设栅极于半导体鳍片的通道部位上方；沉积氧化物层于虚设栅极以及半导体鳍片上方；沉积氮硅化物层于氧化物层上方；掺杂氮硅化物层以于氮硅化物层中形成富掺杂层；将富掺杂层中的掺杂物撞击至氧化物层中；将富掺杂层中的掺杂物撞击至氧化物层中之后，形成多个轻掺杂漏极区域于半导体鳍片的未覆盖部位；图案化氮硅化物层以及氧化物层以形成一对栅极间隙壁于虚设栅极的相对的两侧壁上，其中轻掺杂漏极区域中的一者的一顶部位所具有的掺杂浓度是高于该对栅极间隙壁中的一者的底部位所具有的掺杂浓度，轻掺杂漏极区域中的该者的底部位所具有的掺杂浓度是低于该对栅极间隙壁中的该者的底部位所具有的掺杂浓度。
半导体元件制造方法

[发明专利]储存装置-CN202110088050.X在审
发明人：杨顺闵;方步宽;许誌修;林木沧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本公开内容描述了一种储存装置，此储存装置包括用以形成封闭空间的顶面板、底面板、后面板、前面板和两个侧面板。此储存装置还包含多个插槽、气体扩散器、隔离气体装置、隔离气体管线。多个插槽配置在两个侧面板的内表面处并用以容纳基板。气体扩散器配置在后面板的内表面处并用以向封闭空间提供吹扫气体。隔离气体装置设置在顶面板的内表面上并与前面板的顶部相邻。隔离气体管线用以将隔离气体装置连接到气体扩散器。隔离气体装置用以将吹扫气体沿从顶面板朝向底面板的方向注入到储存装置的前部。
储存装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201410812448.3有效
发明人：张哲诚;程潼文;陈建颖;林木沧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体结构包括：衬底；位于衬底上的金属栅极结构；以及接近金属栅极结构的间隔件，间隔件具有延伸至金属栅极结构内并且与衬底接触的边缘部分。金属栅极结构包括高k介电层和位于高k介电层上的金属栅电极。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510801400.7有效
发明人：罗维扬;陈诗豪;林木沧;程潼文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、半导体鳍、栅极堆叠件和外延结构。半导体鳍设置在衬底中。半导体鳍的一部分从衬底凸出。栅极堆叠件设置在从衬底凸出的半导体鳍的部分的上方。外延结构设置在衬底上并紧邻栅极堆叠件。外延结构具有背对衬底的顶面，并且该顶面具有至少一个具有从约5纳米到20纳米范围的曲率半径的弯曲部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611051425.0有效
发明人：程潼文;陈志山;林木沧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体器件包括半导体衬底、多个半导体鳍、栅极堆叠件和外延结构。半导体鳍存在于半导体衬底上。半导体鳍分别包括位于其中的凹槽。栅极堆叠件存在于邻近凹槽的半导体鳍的部分上。外延结构横跨半导体鳍的凹槽而存在。外延结构包括多个角和存在于角之间的至少一个槽，以及槽具有大于至少一个角的曲率半径的曲率半径。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201410804686.X有效
发明人：张哲豪;程潼文;陈建颖;张国辉;张哲诚;林木沧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，包括：具有顶面的衬底；位于衬底上方的栅极，栅极包括邻近顶面的基脚区，基脚区包括在顶面之上的低于10nm的高度处横向测量的基脚长度；以及围绕栅极的侧壁的间隔件，间隔件包括在顶面之上的从约10nm至约200nm的高度处横向测量的间隔件宽度。基脚长度为沿着顶面，从基脚区的最宽部分的末端至从栅极主体和间隔件之间的界面延伸的垂直线测量所得，并且间隔件宽度基本上等于或大于基脚长度。本发明还涉及半导体结构的制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法-CN201510802511.X有效
发明人：杨柏峰;张哲诚;林木沧;程潼文;张哲豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的栅电极。半导体器件结构也包括邻近栅电极的源极/漏极结构。半导体器件结构还包括位于栅电极的侧壁上方的间隔件元件，并且间隔件元件具有上部和下部，上部具有第一外表面，下部具有第二外表面。第一外表面和栅电极的侧壁之间的横向距离基本上相同。第二外表面和栅电极的侧壁之间的横向距离沿着从下部的顶部朝着半导体衬底的方向增大。本发明的实施例还涉及具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法。
具有栅极堆叠半导体器件结构形成方法

[发明专利]用于FinFET的方法和结构-CN201510559557.3有效
发明人：张哲诚;林志翰;林志忠;陈诗豪;林木沧;张永融 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件及其形成方法。该方法包括接收衬底，衬底具有有源鳍、位于有源鳍上方的氧化物层、位于氧化物层上方的伪栅极堆叠件以及位于氧化物层上方和伪栅极堆叠件的侧壁上的间隔件部件。该方法还包括去除伪栅极堆叠件，从而产生第一沟槽；蚀刻第一沟槽中的氧化物层，从而产生位于间隔件部件下方的空腔；在第一沟槽和空腔中沉积介电材料；以及蚀刻第一沟槽以暴露出有源鳍，从而在空腔中留下介电材料的第一部分。本发明的实施例还涉及用于FinFET的方法和结构。
用于 finfet 方法结构

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201410770314.X有效
发明人：张哲诚;程潼文;谢瑞夫;林木沧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，包括半导体衬底和浅沟槽隔离(STI)。STI包括与半导体衬底相连接的侧壁。STI从半导体衬底的底部突出，并且STI包括与半导体衬底的底部接触的底面、与底面相对的顶面。底面的宽度大于顶面的宽度。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201611149521.9在审
发明人：罗威扬;程潼文;詹佳玲;林木沧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包含基材、至少一源极漏极特征、栅极结构以及至少一栅极间隙壁。源极漏极特征至少部分位于基材中。栅极结构位于基材上。栅极间隙壁位于栅极结构的至少一侧壁上。栅极间隙壁的底部位具有掺杂物于其中。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]通过凹槽轮廓控制的增强的体积控制-CN201610627370.7在审
发明人：程潼文;张哲诚;林木沧;杨柏峰;游承谚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过在邻近沟道区的凹槽中形成介电材料来控制沟道区上的应变的半导体器件，以为了提供对形成在凹槽内的外延源极/漏极区的应变诱导材料的体积和形状的控制。在一些实施例中，半导体器件具有布置在半导体本体的位于沟道区的相对两侧上的上表面内的凹槽中的外延源极/漏极区。栅极结构布置在沟道区上方，并且介电材料横向布置在外延源极/漏极区和沟道区之间。介电材料消耗凹槽的一些体积，从而减少形成在凹槽中的外延源极/漏极区中的应变诱导材料的体积。本发明实施例涉及通过凹槽轮廓控制的增强的体积控制。
通过凹槽轮廓控制增强体积

[发明专利]程序机构异常运作检测系统及其方法-CN200710091658.8无效
发明人：陈建宏;林木沧;黄伟伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造程序异常运作检测方法，包括以下步骤：(a)检测程序机构所产生的至少一个声音信号；(b)转换上述声音信号至一个频谱；(c)比较上述频谱与一个既定频谱；以及(d)如果上述频谱的第一频率振幅大体不同于上述既定频谱相同频率的振幅，产生一种信号以指示程序机构的异常运作。
程序机构异常运作检测系统及其方法

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