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[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN202310468870.0在审
发明人： 林晋申;卢永峰;甘皓天;廖人政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括具有电源控制电路的衬底、前侧金属层和背侧金属层以及第一和第二馈送贯通孔(FTV)。前侧金属层具有第一和第二前侧电源轨。背侧金属层具有第一和第二背侧电源轨。第一FTV延伸穿过衬底，并将第一前侧电源轨耦接到第一背侧电源轨。第二FTV延伸穿过衬底并将第二前侧电源轨耦接到第二背侧电源轨。电源控制电路耦接到第一和第二前侧电源轨，并且是可控制以将第一前侧电源轨电连接到第二前方电源轨，或者将第一前侧电源轨与第二前侧电源轨电性断开连接。本申请的实施例还涉及制造集成电路器件的方法。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]集成电路结构的形成方法-CN202211358064.X在审
发明人：希兰梅·比斯瓦斯;余基业;王中兴;杨国男;斯帝芬·鲁苏;林晋申 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了集成电路(IC)结构的形成方法，包括：在IC结构中形成导线结构，包括：形成第一和第二集合长柱，它们中的构件均具有沿第一方向延伸的长轴；第二集合长柱相对于第一集合长柱在垂直于第一方向的第二方向上偏移；形成第三集合短柱，其中的构件彼此不重叠并且具有沿第二方向延伸的长轴；第三集合短柱的构件与第一和第二集合长柱中对应的长柱重叠；第三集合短柱的每个组均具有第一数量的短柱；第三集合短柱中的每个组的每个构件与分别来自第一和第二集合长柱的一个构件的一对重叠；第一和第二集合长柱中的每个长柱与第三集合中对应的第二数量的短柱重叠；形成将第三集合短柱的构件与第一和第二集合长柱的构件电连接的第一通孔。
集成电路结构形成方法

[发明专利]集成电路和提供集成电路的方法-CN202210014913.3在审
发明人：罗婉瑜;王中兴;林晋申;杨国男;李孟祥;甘皓天;叶志鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种集成电路和提供集成电路的方法，揭示了在集成电路中在多个导体层中用于多个导电性互连件的各种布局。一些或全部的导电性互连件被包括在电力输送系统中。通常，在第一导体层中的导电性互连件根据正交的布局而布置，并且在第二导体层中的导电性互连件根据非正交的布局而布置。位于介于第一和第二导体层之间的过渡导体层中的多个导电条将在第一导体层中的多个导电性互连件电性连接至在第二导体层中的多个导电性互连件。
集成电路提供方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110879790.5在审
发明人：罗婉瑜;王中兴;林晋申;杨国男;沈香谷;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体装置及其形成方法。此种方法包括在第一电压域中形成第一电容器及在第一电压域中形成第二电容器。第一电容器与第二电容器并联连接。在第二电压域中形成第三电容器及第四电容器。第三电容器与第四电容器串联连接。第一电容器及第二电容器与第一电压域的供电点及第一电压域的参考点并联连接。第四电容器连接至第二电压域的供电点。第三电容器连接至第二电压域的参考点。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN201910639715.4有效
发明人：林佳汉;王中兴;林晋申;杨国男 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：集成电路包括第一器件组、金属层组和头部电路。第一器件组配置为在第一电源电压上工作，并且位于集成电路的第一层上。金属层组位于第一层之上，并且包括第一金属层和第二金属层。第一金属层在至少第一方向和第二方向上延伸。头部电路位于第一器件组之上。头部电路的至少部分位于第一金属层和第二金属层之间。头部电路配置为向第一器件组提供第一电源电压，并且配置为耦合到具有不同于第一电源电压的第二电源电压的第二电压电源。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。
集成电路及其形成方法

[发明专利]集成电路装置与方法-CN202110472896.3在审
发明人：徐孟楷;高章瑞;林晋申;余明道;林姿颖;王中兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种集成电路装置与方法，集成电路(Integrated Circuit；IC)装置，其包含基材和基材上方的电路区域。电路区域包含沿着第一方向延伸的至少一个主动区域，跨过至少一个主动区域且沿着与第一方向横向的第二方向延伸的至少一个栅极区域、以及配置以电性耦接电路区域至电路区域外侧的电路系统的至少一个第一输入/输出(IO)图案。此至少一个第一输入/输出(IO)图案沿着第三方向延伸，第三方向同时倾斜于第一方向和第二方向。
集成电路装置方法

[发明专利]分析集成电路中电迁移的方法-CN202010406648.4在审
发明人： 林晋申;林明贤;罗婉瑜;李孟祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本公开提供用于分析集成电路中电迁移的方法。此方法包括：得到集成电路的布局；根据集成电路的目前模拟结果从布局中选择一金属段；以及根据布局中位于金属段上方的导通孔的数量来判断是否对金属段放松电迁移规则。导通孔是接触于金属段。
分析集成电路迁移方法

[发明专利]半导体器件及其电网(PG)的布局图的生成方法-CN201811631998.X有效
发明人：希兰梅·比斯瓦思;王中兴;林晋申;杨国男 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体器件，包括：电网(PG)布置，包括：导电层M(i)，导电层M(i)包括导电的段，其中，i是整数并且i≥0；以及位于导电层M(i)上方的导电层M(i+1)，导电层M(i+1)包括导电的段；M(i)段包括指定相应地用于第一和第二参考电压的第一和第二段，第一和第二段穿插并且基本平行于第一方向；并且导电层M(i+1)中的段包括指定相应地用于第一和第二参考电压的第三和第四段；第三和第四段穿插并且基本平行于第二方向；并且其中，导电层M(i+1)中的段基本上不对称布置，从而使得每个第四段相对于第一方向基本不对称地位于相应相邻的第三段之间。本发明的实施例还提供了一种生成用于半导体器件的电网(PG)的布局图的方法。
半导体器件及其电网 pg 布局生成方法

[发明专利]电迁移签核方法和系统-CN201611001163.7有效
发明人：盂曾贤;林晋申;杨清舜;管瑞丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种电迁移(EM)签核方法，该电迁移签核方法使用不同的温度确定集成芯片设计的不同电网络上的部件的EM违规。在一些实施例中，所述方法确定多个实际温度，所述多个实际温度分别对应于集成芯片设计内多个电网络之一中的一个或多个部件。确定所述多个电网络的选择的电网络内的部件的电迁移容限。在对应于所述选择的电网络内的所述部件的所述多个实际温度之一时确定该电迁移容限。将电迁移容限与电迁移标度进行比较，以确定在所述选择的电网络内是否存在所述部件的电迁移违规。对于不同电网络上的部件使用不同的实际温度减少了伪EM违规，因而减少了设计开销的损失。本发明还涉及电迁移签核系统。
迁移方法系统

[发明专利]集成电路设计方法-CN201911045847.0在审
发明人：罗婉瑜;王中兴;林晋申;杨国男 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：在一种集成电路设计方法中，基于集成电路(IC：integrated circuit)的区域的操作条件，决定区域的温度与加热功率之间的第一关系。基于IC的区域的冷却能力，决定IC的区域的温度与冷却功率之间的第二关系。基于第一关系及第二关系，决定IC的区域是否为热稳定。回应于决定IC的区域为热不稳定，改变IC的区域的结构或操作条件中的至少一者。通过处理器执行以下中的至少一者：决定第一关系；决定第二关系；决定IC的区域的热稳定性；或改变IC的区域的结构或操作条件中的至少一者。
集成电路设计方法

[发明专利]集成电路布局方法-CN201911031503.4在审
发明人： 林晋申;王中兴;杨国男;比斯瓦思·希兰梅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路(integrated circuit；IC)布局方法包括以下操作：决定单元在集成电路布局图中的单元负载；基于所决定的单元负载，决定与单元相关联的功率参数；以及回应于所决定的功率参数超过设计准则，执行更改单元在IC布局图中的放置或修改到单元的功率递送路径中的至少一者。处理器执行决定单元负载、决定功率参数、更改单元的放置、或修改功率递送路径中的至少一者。
集成电路布局方法

[发明专利]制作集成电路装置的方法-CN201810190899.6在审
发明人：比斯瓦思希兰梅;王中兴;林晋申;杨国男 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种制作集成电路装置的方法。设计集成电路装置的方法包括接收集成电路装置的初始设计，所述初始设计包括集成电路组件的功能群组的选择及位置、具有用于向组件供电的多层导电线的电源网格以及对不同层的导电线进行内连的具有一种或多种初始大小的通孔。所述方法还包括基于例如存在功能部件的未被占据的空间等预定准则来确定可进行通孔修改。所述方法还包括使用具有更大横截面积的经修改通孔或总横截面积比初始通孔大的多个通孔替代所述通孔中的一个或多个通孔。所述方法还包括确认经修改的设计符合预定的一组设计规则。
通孔集成电路装置导电线集成电路组件大横截面电源网格功能部件功能群组设计规则预定准则总横截面多层制作供电替代占据

[发明专利]电网结构、集成电路结构及其形成方法-CN201711187431.3在审
发明人：希兰梅·比斯瓦斯;余基业;王中兴;杨国男;斯帝芬·鲁苏;林晋申 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：集成电路(IC)结构包括定向为电源导轨方向的电源导轨，和位于电源导轨之上且定向为与电源导轨方向垂直的第一金属层级方向的第一金属区段。位于电源导轨和第一金属区段之间的第一通孔定位于第一金属区段和电源导轨重叠的位置处。第二金属区段定位于第一金属区段之上，与电源导轨重叠，并且定向为电源导轨方向。第二通孔定位于第一金属区段和第二金属区段之间的第一通孔之上，并且电源带定位于第二金属区段之上。电源带电连接至电源导轨，多个第一金属区段中的每个第一金属区段具有最小宽度，并且电源带的宽度大于最小宽度。本发明还提供了集成电路(IC)结构及其形成方法。
金属区段电源导轨通孔电源带集成电路集成电路结构电网结构方向垂直金属层级位置处带电电源

[发明专利]集成电路的电源网-CN201710599855.4在审
发明人： 林晋申;蔡旻原;杨国男;王中兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种集成电路的电源网。在电源网中，多个第一电源路径设置在一第一金属层并平行于一第一方向。多个第二电源路径设置在一第二金属层并平行于一第二方向。第一与第二方向互为垂直。多个第三电源路径设置在第一金属层并平行于第一方向。安排在相同直线的第一电源路径是由在第一金属层的多个第一间隙所彼此分离。安排在相同直线的第三电源路径是由在第一金属层的多个第二间隙所彼此分离。每一第一间隙是由两相邻的第三电源路径所包围。每一第二间隙是由两相邻的第一电源路径所包围。第一电源路径是经由第二电源路径而耦接于第三电源路径。
电源路径第一金属层电源网平行彼此分离集成电路第二金属层包围耦接垂直

[发明专利]分析集成电路中的电迁移规则违反的方法-CN201610996711.8在审
发明人：罗婉瑜;王中兴;林晋申;杨国男 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种分析集成电路中的电迁移规则违反的方法包含接收输入，所述输入呈电子文件格式且包含与集成电路(IC)布局相关联的信息；从输入选择IC布局的不遵守EM规则的金属线，所述不遵守电迁移(EM)规则的金属线违反EM规则；从输入获得不遵守EM规则的金属线的电流；比较所述电流与阈值电流；以及基于比较的结果确定EM规则违反是否可忽略。因此，可在确定EM规则违反为可忽略的时从IC布局制造半导体装置。
分析集成电路中的迁移规则违反方法

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