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[实用新型]一种非制冷红外探测器-CN201821575498.4有效
发明人：甘先锋;杨水长;王宏臣;陈文礼;王鹏 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G01J5/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非制冷红外探测器，其中用于将红外探测层中的热敏薄膜层与读出电路电连接的锚点为实心锚点。相比于现有技术中的空心锚点，实心锚点可以有效增加锚点的结构强度以及减小热敏薄膜层与读出电路之间的接触电阻，从而在保证一定的结构强度以及热敏薄膜层与读出电路之间一定的接触电阻的条件下，可以有效减小锚点的体积，从而便于非制冷红外探测器的小型化。
锚点非制冷红外探测器读出电路热敏薄膜接触电阻减小本实用新型红外探测电连接保证

[实用新型]一种三维吸气剂薄膜结构-CN201821203812.6有效
发明人：甘先锋;杨水长;孙俊杰;王宏臣;陈文礼 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L23/26 文献下载
摘要：本实用新型属于高真空电子器件领域，公开了一种三维吸气剂薄膜结构，包括衬底、凸出部，所述凸出部以以阵列排布方式分布于所述衬底的表面；以及吸气剂薄膜，所述吸气剂薄膜均匀沉积在所述凸出部和未被所述凸出部覆盖的衬底表面。采用本实用新型，具有提高吸气剂薄膜单位占用面积吸气性能的优点。
吸气剂凸出部薄膜本实用新型薄膜结构衬底三维电子器件领域吸气衬底表面均匀沉积阵列排布高真空占用覆盖

[发明专利]一种非制冷双色红外探测器MEMS芯片及其制造方法-CN201710328749.2有效
发明人：甘先锋;杨水长;王宏臣;陈文礼 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种非制冷双色红外探测器MEMS芯片，分为呈矩阵排列的四个区域：第一、三区域和第二、四区域，第一、三区域和第二、四区域形成高度不同的谐振腔，且其上溅射方阻值不同的热敏层薄膜，能够更好地吸收不同波段的红外能量，然后转换成电学信号进行处理进行图像输出。本发明还涉及一种制备上述芯片的方法，包括在第一、三区域和第二、四区域分别制作不同高度的谐振腔的步骤、分别溅射不同方阻值热敏层薄膜的步骤及封装测试的步骤，所述芯片能够在超低温(‑80℃～‑60℃)环境下工作和超高温(85℃～100℃)环境下工作。
一种制冷红外探测器 mems 芯片及其制造方法

[发明专利]一种MEMS晶圆切割方法-CN201810902312.X在审
发明人： 杨水长;甘先锋;陈文礼;孙传彬 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS晶圆切割方法，包括对晶圆进行晶圆级结构释放；在晶圆正面的边缘部键合挡板；其中，晶圆正面的中心部与挡板相分离；在挡板背向晶圆一侧表面贴附第一薄膜，并将晶圆固定于切割框架；利用激光从晶圆背面对晶圆进行隐形激光切割；在切割晶圆完成之后，对晶圆进行解键合，以分离晶圆与挡板。通过先对晶圆进行晶圆级结构释放可以有效增加结构释放的效率；在晶圆的正面键合挡板可以通过挡板有效的保护晶圆正面的MEMS结构；通过激光从晶圆的背面进行隐形激光切割可以有效减少在切割过程中硅渣的产生，同时避免从晶圆正面进行切割，从而可以有效避免在晶圆正面设置复杂的切割道等结构，减少晶圆正面MEMS结构设计的困难。
晶圆挡板晶圆正面结构释放键合激光切割晶圆切割晶圆级切割激光表面贴附切割过程切割框架有效减少边缘部切割道相分离中心部硅渣薄膜背面

[发明专利]一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备及方法-CN201810902315.3在审
发明人：孙传彬;杨水长;陈文礼;孙俊杰;牟晓宇 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将MEMS晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的MEMS结构产生破坏，从而可以提高MEMS芯片的产率。本发明还提供了一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法，同样具有上述有益效果。
晶圆表面气体喷射装置晶圆表面颗粒颗粒去除去除固定表面喷射气体气体喷嘴产率吹气贴合薄膜

[发明专利]一种MEMS晶圆切割方法-CN201810902280.3在审
发明人： 杨水长;甘先锋;陈文礼;孙传彬 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS晶圆切割方法，包括对晶圆进行晶圆级结构释放；在进行结构释放后的晶圆背面贴附透明薄膜，并将晶圆固定于切割框架；利用隐形激光从晶圆背面透过薄膜对晶圆进行切割。上述方法通过先对晶圆进行晶圆级结构释放可以有效增加结构释放的效率；对晶圆背面贴附透明薄膜可以在将晶圆固定于切割框架的同时，保证激光可以透过透明薄膜而仅作用于晶圆背面；通过隐形激光从晶圆的背面进行切割可以有效减少在切割过程中硅渣的产生。上述方法在切割过程中避免使用到打孔贴膜、等离子体切割等复杂的工序和昂贵的设备，从而有效降低了晶圆加工的成本。
晶圆结构释放晶圆背面透明薄膜激光晶圆切割切割过程切割框架晶圆级贴附切割等离子体切割晶圆加工有效减少打孔硅渣贴膜薄膜背面保证

[发明专利]一种MEMS晶圆切割和晶圆级释放及测试方法-CN201710087018.3有效
发明人：王宏臣;杨水长;陈文礼;甘先锋;孙传彬;牟晓宇 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，包括以下步骤：晶圆正面涂光刻胶，背面减薄处理；键合，晶圆背面和玻璃底座的正面同UV胶键合；切割，采用台阶切割，两步切割连续完成；清洗和甩干晶圆；结构释放，将晶圆及玻璃底座整体放入去胶设备中进行结构释放；解键合：使用UV照射机降低晶圆与玻璃底座之间的UV胶的粘性；对晶圆进行扩膜；利用芯片拾取设备将芯片从UV膜取下放入托盘中；裂片和扩膜；光学检测机封装测试；不需要两次对位，保证了两次切割位置的精准性，实现了晶圆级的结构释放和测试，效率较高。
一种 mems 切割晶圆级释放测试方法

[发明专利]一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器及其制备方法-CN201710328761.3有效
发明人：邱栋;杨水长;王鹏;王宏臣;陈文礼 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器，包括半导体基座、金属反射层、绝缘介质层、支撑层、保护层、金属电极层、热敏层，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第二保护层设置所述热敏层上，所述第二保护层上设有偏振结构，所述偏振结构包括光栅支撑层和设置在所述光栅支撑层上金属光栅结构，采用微桥倒置，微桥下面没有支撑桥墩，结构不容易产生变形；采用了三层微桥结构，第一层为红外辐射吸收结构，第二层为热绝缘微桥结构，第三层为偏振结构，有效提升像素的填充系数及提高入射红外辐射的吸收效率；还涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器的制备方法，两层牺牲层可以连续进行蚀刻，晶圆表面非常平整。
一种新型偏振制冷红外平面探测器及其制备方法

[发明专利]一种非制冷红外焦平面探测器像素结构及其制备方法-CN201710053126.9有效
发明人：陈文礼;杨水长;王宏臣;甘先锋;王鹏;孙瑞山 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种非制冷红外焦平面探测器像素结构制备方法，在包含读出电路半导体基座上制作金属层；在完成图形化金属层上沉积绝缘介质层；在绝缘介质层上依次沉积第一牺牲层、第一支撑层、热敏层和第一保护层，光刻第一支撑层和第一保护层直至接触第一牺牲层，第一保护层上沉积第二牺牲层，并在完成图形化处理的第一牺牲层和第二牺牲层上沉积第二支撑层；在沉积完的第二支撑层的半导体基座上通过光刻和蚀刻的方法刻通孔；光刻或蚀刻第二支撑层和第一保护层以得到接触孔，接触孔光刻和蚀刻终止于热敏层；接触孔内和第二支撑层上沉积金属电极层，在金属电极图形上沉积第二保护层，利用光刻图形化第二保护层和第二支撑层，最后，进行结构释放。
支撑层沉积牺牲层第一保护层光刻蚀刻接触孔非制冷红外焦平面探测器半导体基座第二保护层绝缘介质层像素结构热敏层制备沉积金属电极图形化金属层图形化处理读出电路光刻图形结构释放金属电极金属层通孔制作

[发明专利]一种非制冷红外3DMEMS系统结构及其制作方法-CN201610532815.3有效
发明人：甘先锋;杨水长;王宏臣;王鹏;孙瑞山;陈文礼 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种非制冷红外3D MEMS系统结构及其制作方法，涉及非制冷红外3D MEMS结构领域。目的在于采用新的MEMS结构后，解决了传统结构受像元尺寸的缩小无法解决器件平坦化的问题，以及解决了多层工艺导致金属互联困难的问题，并解决了器件像元缩小后，尽可能维持氧化钒的面积并减少了桥腿的热导，确保器件性能不降低的问题，并采用蜂窝状结构，增加了红外吸收因子。介质层中部设有凹槽，反射层位于介质层中部凹槽的上表面，反射层的上方依次为第一层牺牲层和第二层牺牲层，且所述第一层牺牲层位于介质层中部凹槽中。把第一层牺牲层结构埋在电路的介质中进行制作，有利于后面小尺寸线宽和小像元的制作。
一种制冷红外 dmems 系统结构及其制作方法

[发明专利]一种新型双层非制冷红外焦平面探测器像素结构及其制备方法-CN201710062648.5有效
发明人：陈文礼;杨水长;王宏臣;甘先锋;曲婷;孙传彬 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型双层非制冷红外焦平面探测器像素结构及其制备方法，在包含读出电路半导体基座上制作金属反射层，在金属反射层上沉积绝缘介质层；在绝缘介质层上依次沉积第一牺牲层、第一支撑层、热敏层和第一保护层，光刻第一支撑层和第一保护层直至接触第一牺牲层，第一保护层上沉积第二牺牲层，并对第一牺牲层和第二牺牲层进行图形化处理，图形化处理后的第一牺牲层和第二牺牲层上形成锚点孔，所述锚点孔为直孔，沉积第二支撑层；在第二支撑层蚀刻通孔；在第二支撑层和第一保护层蚀刻接触孔；接触孔内和第二支撑层上沉积金属电极层和金属坞，在金属电极图形上沉积第二保护层，利用光刻图形化第二保护层和第二支撑层，最后，进行结构释放。
一种新型双层制冷红外平面探测器像素结构及其制备方法

[发明专利]一种用于非制冷红外探测器参考像元及其制造方法-CN201610496899.X有效
发明人： 杨水长;甘先锋;王宏臣;陈文礼 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种非制冷红外探测器参考像元及其制造方法。在ASIC电路上设置的金属反射层，以及在所述金属反射层上依次为绝缘介质层、牺牲层、支撑层、热敏薄膜、介质保护层、电极金属层、金属填充图形、遮光层、保护结构和钝化层介质；所述牺牲层上设有桥墩孔；所述桥墩孔内设有通孔；所述介质保护层中设有接触孔。本发明完成了参考像元的特殊结构，同时因参考像元大面积的被覆盖了一层金属层，提高了参考像元阵列的热导，极大的消除了芯片环境的热辐射干扰因素，提高非制冷红外探测器的器件性能。
一种用于制冷红外探测器参考及其制造方法

[发明专利]一种双层非制冷红外探测器结构及其制备方法-CN201710053127.3在审
发明人： 杨水长;王宏臣;甘先锋;牟晓宇;曲婷 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双层非制冷红外探测器结构及其制备方法，所述探测器包括一包含读出电路的半导体基座和一带微桥支撑结构的探测器，所述半导体基座的读出电路与所述探测器电连接，所述探测器包括绝缘介质层、金属反射层、第一支撑层、金属电极层、第一保护层、第二支撑层、电极金属层、热敏层和第二保护层，所述电极金属层上设有热敏层，所述热敏层不能完全覆盖电极金属层，所述热敏层通过所述电极金属层与所述金属电极层电连接；制备时，先沉积电极金属层，再沉积热敏薄膜氧化钒，电极金属层之上覆盖着一层热敏薄膜氧化钒，使其对红外辐射的反射率大大降低，提高了探测器的红外吸收效率。
一种双层制冷红外探测器结构及其制备方法

[发明专利]一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法-CN201710037831.X在审
发明人： 杨水长;陈文礼;牟晓宇;孙传彬;曲婷 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，包括以下步骤贴UV膜，将晶圆正面朝下放置在贴膜机中间悬空的真空吸盘正中央；切割，采用台阶切割，两步切割连续完成，前切刀片切割的厚度为晶圆总厚度的20％～60％，后切刀片将晶圆划透；清洗和甩干，将固定在锈钢框架上的晶圆整体放在可旋转的陶瓷密孔吸盘上，陶瓷密孔吸盘固定不锈钢框架的四周，陶瓷密孔吸盘上方设有喷液系统，喷液系统包含若干个可左右摆动喷洒溶液的喷头，喷头喷洒液体清洗晶圆，陶瓷密孔吸盘高速旋转，将废液甩出；照射；对晶圆进行扩膜；利用芯片拾取设备将芯片从UV膜取下放入托盘中；把托盘放在去胶机设备中，进行结构释放。不需要两次对位，保证了两次切割位置的精准性。
一种 mems 切割清洗释放方法

[实用新型]一种微量注射泵-CN201620600078.1有效
发明人： 杨水长;胡建鹏;辛庆锋;李超彦 -专利权人：漯河医学高等专科学校
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： A61M5/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种微量注射泵，包括用于放置针筒的座体，所述的针筒上连接有能够推动针筒上的推杆进而完成注射的驱动结构，所述的驱动结构与控制器相连接，其特征在于，所述的驱动结构包括驱动气缸，所述的驱动气缸上连接有推板，所述的推板靠近推杆的一侧设有用于固定推杆末端的定位槽，所述的座体上设有用于放置针筒前部且与驱动气缸位于同一轴线上的固定座，所述的固定座上设有防止针筒轴向移动的轴向定位结构以及防止针筒周向转动的周向定位结构。本实用新型具有固定效果好，稳定性高的优点。
一种微量注射