“杨水长”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果39个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种心电监护仪-CN201520833960.6有效
发明人：胡建鹏;杨水长;李超彦;辛庆锋 -专利权人：漯河医学高等专科学校
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： A61B5/0402 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种心电监护仪，包括检测仪，其特征在于：所述检测仪上设有用于将检测仪固定于手上的弹性充气带，所述检测仪的一侧设有充气装置，所述的充气装置与弹性充气带相连接并能对弹性充气带进行充气，所述的弹性充气带上设有排气口，所述的检测仪内设有分析模块，所述的分析模块通过信号线与导电极片相连接，所述的导电极片上设有可拆卸的磨砂层，所述的弹性充气带靠近手臂一侧设有压力传感器，所述的压力传感器与分析模块相连接，所述检测仪上设有与分析模块相连接的显示屏。本实用新型具有便于携带，能够实现自行检测进而达到预防疾病的优点。
一种监护

[发明专利]一种非制冷红外探测器及其制备方法-CN201310752522.2有效
发明人： 杨水长;甘先锋;孙瑞山;王宏臣;陈文礼;王鹏 -专利权人：烟台睿创微纳技术有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种非制冷红外探测器制备方法，包括：提供一包含读出电路的半导体衬底，在半导体衬底上依次沉积金属反射层、绝缘介质层、牺牲层、支撑层、金属电极层、氮化硅介质层；刻蚀掉金属电极层上方的部分氮化硅保护层,露出金属电极，形成接触孔；在形成接触孔的半导体衬底上沉积热敏薄膜，对热敏薄膜进行图形化处理，然后沉积氮化硅钝化层，进行钝化层图形化和结构释放。本发明还提出了一种非制冷红外探测器结构，即在金属电极之上覆盖热敏薄膜，使非制冷红外探测器对红外的反射率大大降低，提高了探测器的红外吸收效率。
一种制冷红外探测器及其制备方法

[实用新型]一种非制冷红外探测器塔式桥墩-CN201320061460.6有效
发明人：甘先锋;王宏臣;杨水长;孙瑞山 -专利权人：烟台睿创微纳技术有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种非制冷红外探测器塔式桥墩，包括ASIC电路，所述ASIC电路上设置有聚酰亚胺牺牲层（3）和电极块（2），聚酰亚胺牺牲层（3）上有蚀刻支撑孔（4-1）；蚀刻支撑孔（4-1）所在的圆片上有溅射金属层（4）；牺牲层（3）上设置有聚酰亚胺牺牲层（5），聚酰亚胺牺牲层（5）上有蚀刻支撑孔（6-1）；蚀刻支撑孔（6-1）所在的圆片上有溅射金属层（6）；金属层（6）上有支撑层（7），支撑层（7）上有热敏层（8），热敏层（8）上有介质层（9），介质层（9）上接触孔（11）；支撑孔内金属层(6)上有通孔（10）；通孔（10）和接触孔（11）上有电极金属（12），电极金属层（12）后沉积有钝化层（13），最后进行牺牲层结构释放。
一种制冷红外探测器塔式桥墩

[实用新型]一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法中使用的托盘-CN201320016670.3有效
发明人：甘先锋;杨水长;王宏臣;孙瑞山 -专利权人：烟台睿创微纳技术有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种MEMS圆片划片切割和结构释放方法中所使用的托盘，包括托盘本体，所述托盘本体底部上设置有滤孔，所述托盘本体底部通过十字架隔开形成多个格子,所述格子内设置有两个相互平行的用来放置芯片的横梁,所述滤孔设置在所述横梁之间的托盘本体上。本实用新型可以将划片处理的芯片或MEMS硅晶圆片放置托盘中，进行去胶、清洗、结构释放等工艺，来解决划片和结构释放之间的矛盾冲突，尤其是大尺寸的厚MEMS芯片更为适用。
一种 mems 硅晶圆片划片切割结构释放方法使用托盘

[发明专利]一种非制冷红外探测器塔式桥墩及其制作方法-CN201310041331.5有效
发明人：甘先锋;王宏臣;杨水长;孙瑞山 -专利权人：烟台睿创微纳技术有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种非制冷红外探测器塔式桥墩，包括ASIC电路，所述ASIC电路上设置有聚酰亚胺牺牲层（3）和电极块（2）；聚酰亚胺牺牲层（3）上有蚀刻支撑孔（4-1）；蚀刻支撑孔（4-1）所在的圆片上有溅射金属层（4）；牺牲层（3）上设置有聚酰亚胺牺牲层（5），聚酰亚胺牺牲层（5）上有蚀刻支撑孔（6-1）；蚀刻支撑孔（6-1）所在的圆片上有溅射金属层（6）；金属层（6）上有支撑层（7）；支撑层（7）上有热敏层（8）；热敏层（8）上有介质层（9）；支撑孔内金属层（6）上有通孔（10）；介质层（9）上有接触孔（11）；在通孔（10）和接触孔（11）上连接有电极金属（12），电极金属（12）完成后沉积有钝化层（13）。
一种制冷红外探测器塔式桥墩及其制作方法

[发明专利]一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法-CN201310011056.2有效
发明人：甘先锋;杨水长;王宏臣;孙瑞山 -专利权人：烟台睿创微纳技术有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，包括以下步骤：在MEMS硅晶圆片背面贴UV膜；根据硅晶圆片厚度，设置硅晶圆片的第一次划片的厚度或划片刀的刀高；第一次划片的厚度为硅晶圆片厚度的40～55%；设置第二次划片的厚度为所述硅晶圆片的残留硅厚度(全划透)或刀高为最后需要保留的残留硅厚度加UV膜厚度(半划透)；划片完成后,消除UV膜粘性的80%～90%；在UV膜上拾取芯片或取下整张硅晶圆片放在设有滤孔的托盘内；再将托盘放入去胶液中去胶；脱液和脱水；结构释放。采用两次划片工艺，解决了厚大芯片的蹦边，硅屑沾污，划片导致芯片内应力大的问题；同时，采用了设计的专用托盘，解决了MEMS硅晶圆片的划片和结构释放之间先后顺序的矛盾。
一种 mems 硅晶圆片划片切割结构释放方法

[发明专利]一种双离子束反应溅射沉积设备和制备氧化钒薄膜的方法-CN201210006001.8有效
发明人：王宏臣;甘先锋;孙瑞山;杨水长 -专利权人：烟台睿创微纳技术有限公司
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种改进的双离子束反应溅射沉积设备，该设备添加了多通道的闭环控制系统和RGA反馈控制装置，提高了反应气体的流量控制精度，并稳定了反应气体氧的分压，保证沉积氧化钒(VOx)薄膜方块电阻、厚度和TCR等参数的稳定性和重复性；另外，氧气从腔室的辅源通入，消除了靶材与氧反应造成“靶中毒”的风险，提高了靶的使用寿命和设备的利用率。以及应用此设备制备氧化钒薄膜的方法，其方法为：首先对衬底圆片进行离子铣；其次使用改进的双离子束反应溅射沉积的方法制备氧化钒薄膜。
一种离子束反应溅射沉积设备制备氧化薄膜方法

[发明专利]一种热敏薄膜红外探测器制备方法-CN201110269428.2有效
发明人：甘先锋;杨水长;邹渊渊;孙瑞山;王宏臣;张连鹏 -专利权人：烟台睿创微纳技术有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种热敏薄膜红外探测器制备方法，包括：在红外探测器的读出电路上依次沉积牺牲层、热敏层和保护层，其中热敏层的材料为氧化钒，保护层的材料为氮化硅；同时对保护层和热敏层进行图形化；沉积介质层；刻蚀通孔和接触孔，所述通孔的刻蚀终止于所述读出电路的电极处；所述接触孔的刻蚀终止于所述热敏层表面；沉积金属电极层，并对金属电极层进行图形化；进行牺牲层的结构释放。本发明的方法增加了氮化硅层或SiO2作为氧化钒热敏层保护层，防止了氧化钒薄膜即热敏层在图形化工艺过程中发生热学和电学性能的改变，减小了对探测器性能的影响；同时，利用氮化硅和氧化钒蚀刻的高选择比，接触孔和通孔利用一块光刻版一次性完成孔图形的图形化。
一种热敏薄膜红外探测器制备方法

[发明专利]电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法-CN200810045603.8无效
发明人：廖志君;刘振良;杨水长;卢铁城;伍登学;范强;刘成士;赵利利 -专利权人：四川大学
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法，将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上，使基片位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度不小于6.0×10^－3Pa，基片温度控制在室温～450℃，调节电子束使其聚焦到膜料上的斑点最小，控制束流值在100mA～180mA，沉积时间为5min～120min。此种方法既可制备非晶态碳化硼薄膜，又可制备多晶结构的碳化硼薄膜，还可制备各种不同B、C成分配比的碳化硼薄膜，而且所制备的碳化硼薄膜表面光滑、薄膜致密、均匀性良好。
电子束蒸发技术制备碳化薄膜方法

首页
«上一页
1
2
3
共 39 条